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產品詳細介紹         譜誠博閱原卷留痕閱卷機，獨創的原卷留痕閱卷新模式，能夠切實解決師生存在的不同困境，提高教師閱卷效率，給廣大學子增效減負。         我們的原卷留痕智能閱卷機，具體優勢有以下幾點：      1.無需答題卡。省時省錢      2.無需人工干預。減輕教師負擔      3.原卷答題。學生原卷答題無需答題卡，省時便捷      4.原卷批改。方便學生復習，教師掌握學生學情。      5.高效閱卷。一鍵閱卷，操作簡單；客觀題自動批閱、主觀題得分自動識別、總分自動統計、錯題標準答案自動打印；雙面同時閱卷，效率優于人工批閱。                                                                                  閱卷機產品展示圖 譜誠博閱的原卷留痕閱卷機AYJ800針對網上閱卷系統的不足，做出創新改進，實現了學生原卷作答，教師原判批改，所有的批改原卷留痕，閱卷機本身負責主觀題的批改，客觀題的批改讀取，可以與原有的共享資源平臺對接形成閉環，更有針對性的服務于基礎教育階段的師生，因材施教。                                                                                                                                         閱卷機批改后的卷面效果   此外，譜成博閱科技有限公司基于大數據的準確分析給學生提供專家級學情分析報告，可以真正的促進學生的學習，針對性提高學習效率，具體有以下優勢： 1.紙質試卷自動電子存儲 2.學生答題分析 3.易錯知識點分布統計 4.平臺利用學情報告完成針對性教育與個性化學習 5.自動生成學生錯題本，學生提高成績有捷徑 6.自動生成高頻易錯題集，老師定位重點有方向 7.學生各人知識點掌握情況分析表，補齊短板有目標 8.每人一張個性卷，數據分析有反饋 如今，教育行業，越來越多的教學內容期待高效的傳播，越來越多的基礎教育階段的學生希望節約時間，更注重自己全方位的發展，越來越多的教育培訓服務更多的依賴大數據的分析來快速指導實踐，譜誠博閱原卷留痕閱卷機AYJ800就可以很好地滿足教育行業師生的各種需求，無論從教學、考試還是各大培訓都會相得益彰共同發展，未來在原卷留痕閱卷機的廣泛普及下，必將極大地促進基礎教育的發展，為學生學習開辟更加恢宏的康莊大道。                                                       譜誠博閱原卷留痕閱卷機產品效果圖  杭州譜誠博閱科技有限公司——教育信息化服務理念的倡導者,我們專注于教育，致力于實現創新技術與傳統教學模式的最佳融合，傾注全部的心血和激情，發展互聯網教育服務產業，開創中國教育現代化的未來。我們創造并實踐嶄新的服務模式和商務模式，打造產業生態圈。在智能閱卷、智慧課堂、云端針對練習、云端個性考試服務、K12互聯網信息化教育等領域，博閱科技的創新理念和技術將推動行業的蓬勃發展。  公司現已擁有獨立的研發團隊、生產基地，以及遍布全國的銷售網絡渠道。公司開發的愛閱卷原卷留痕閱卷機系統，多項技術通過了國家有關部門的嚴格測試，技術處理水平先進。博閱愛閱卷原卷留痕閱卷機系統是將現代先進的圖像壓縮、分割技術與高速圖像掃描設備相結合而產生的一項高效數字化信息系統。系統經過嚴密設計，并結合傳統的閱卷模式，成功地將先進的計算機網絡技術同教師閱卷工作結合在一起。在充分考慮用戶的需求和使用狀況的基礎上，優化、整合設計流程，實現了靈活方便的閱卷、大數所分析、試卷管理過程，充分體現了本閱卷系統的實際效益和推廣意義。博閱科技正成為廣大師生及家長的好伙伴。

本項目屬于電子信息功能材料技術領域。 特色及先進性：為了實現同一種單晶薄膜即可應用于磁光器件，又可應用于微波器件中，本項目提出了鉍镥鐵石榴石（BiLuIG）薄膜的設計體系，為了使其同時具有良好的磁光和微波特性，本項目很好的根據晶格匹配原則設計了材料配方，并選用無鉛液相外延技術，大大提高了薄膜的性能。本項目提出了在釓鎵石榴石（GGG）襯底上直接外延大口徑磁光BiLuIG單晶體的思路，解決我國無大晶格常數摻雜釓鎵石榴石（SGGG）晶圓片技術、無鉛液相外延大尺寸BiLuIG晶體圓片的不足，突破純GGG基片上外延超厚（1-20μm）磁光晶體這一難點科學問題。研究內容包括：（1）BiLuIG薄膜材料的配方設計研究：基于四能級躍遷模型，并結合離子替代規律和多離子摻雜技術，尋找最佳配方；（2）液相外延單晶薄膜材料的工藝技術研究：包括薄膜均勻性、缺陷控制、無鉛配方、生長速率和薄膜鏡面條件控制等；（3）材料在器件中的驗證研究，設計制備平面波導型磁光開關對材料磁光性能的驗證。 技術指標：（1）建成了我國第一條大尺寸磁光單晶薄膜液相外延的生產線，最大尺寸達到3英寸，單面薄膜厚度達到1μm－20μm。（2）單晶薄膜具體微波和磁光參數：4πMs=1500-1750Gs，△H=0.6-2.0Oe，Θf≥1.6-2.1度/μm＠633nm。（3） 掌握了進行單晶薄膜材料在磁光和微波器件中的設計、制備和測試工作。 促進科技進步作用意義：本項目突破了我國在3英寸石榴石系列單晶體材料以及相關器件研究上的瓶頸技術，獲得了高法拉第效應和低鐵磁共振線寬的大尺寸高質量石榴石單晶薄膜材料。滿足了國內在磁光、微波及毫米波集成器件方面對石榴石系晶體材料的需求，擺脫了完全依賴進口、受制于人的不利局面。該項目研制的材料已提供給中電集團41所、美國Delaware大學、天津大學、中國工程物理研究院、深圳市通能達電子科技有限公司（中電九所下屬）、陜西金山電器有限公司（4390廠）等單位使用，并為中電集團9所、33所等單位提供批量樣品，用于制備磁光和微波器件，受到好評。

本項目提出了在釓鎵石榴石（GGG）襯底上直接外延大口徑磁光BiLuIG單晶體的思路，解決我國無大晶格常數摻雜釓鎵石榴石（SGGG）晶圓片技術、無鉛液相外延大尺寸BiLuIG晶體圓片的不足，突破純GGG基片上外延超厚（1-20μm）磁光晶體這一難點科學問題。

本發明公開了一種基于紅外成像的薄膜測厚儀，包括光源、準直透鏡、分光棱鏡、參考路散射玻璃、參考路紅外濾光片、參考路反 射鏡、測量路散射玻璃、測量路紅外濾光片、測量路反射鏡、半透半 反分光鏡、成像透鏡、CCD；測量時參考物經反射鏡、分光鏡和成像 透鏡成像到 CCD 光敏面，被測物經反射鏡和成像透鏡也成像到 CCD 光敏面，CCD 將圖像傳送至計算機，經圖像處理后根據圖像的灰度值 求得被測物的厚度；如此形成雙光路測量系統，避免了光源光強變化 的影響；使用散射光透射成像的測量體系，避免了傳統紅外測厚裝置 中存在的干涉影響；設置具有多個局部標準厚度的參考物，該裝置可 以獲取參考物各個局部標準厚度，從而能夠更加精確地測量薄膜厚度。 

柔性智能互動終端的關鍵材料與傳感器件是實現物聯網技術革命的重要技術，柔性透明導電薄膜為其 中不可取代的關鍵元件。本團隊在前期工作中針對納米銀線透明導電薄膜進行了系統的研究，包含材料合 成、導電墨水配方調制、大面積卷對卷制程工藝和柔性觸控樣機制備，已經初步建立起一條從材料、工藝 到器件應用的產學模式；并做了一系列十余項的專利布局（發明專利12篇，授權專利6篇）。其采用的技 術方法如下： （1）低成本的表面圖形化工藝。包含基于光酸顯影的可圖形化配方調制、基于表面能差異化驅動的 自組裝電極圖形化，相比較于傳統的激光、黃光刻蝕，溶液態的圖形化方式成本更低，同時可保證滿足柔 性觸控傳感器的線寬/線距要求； （2）高穩定性的納米銀導電薄膜。基于單分子緩蝕劑修飾的納米銀線穩定性提升方案，相較于業界 傳統的單級分子蒸餾存在分離效率不高、能耗 較大和成本較高等問題，而常規精餾方法又會使某 些活性組分發生熱變質或分解能等不足。薄膜蒸發 與精餾是一種特殊的液－液分離技術，本技術成果 將薄膜蒸發的高效蒸發性與精密精餾的高分離度融 合于一臺完整的設備中，既可避免熱敏性物質長期 暴露于加熱器內，又可使各組分通過

該成果是原有的鋁反射激光全息防偽末的升級替換品。這種薄膜結構簡單，僅有信 息層和基底層兩層組成。全息圖像以激光全息技術拍攝并用激光雕刻和電鑄手段，以光 柵條紋的形式復制到鎳質金屬模版上。以金屬模版熱壓氣凝膠或有機高聚物聚氨酯涂層， 形成承載全息圖像的信息層，可在薄膜上再現全息圖像。

透明導電氧化物薄膜具有良好的導電性能和透光性能，廣泛應用于平面液晶顯示（LCD）、電致發光顯示（ELD）、等離子體顯示（PD）以及太陽能電池、熱鏡、電磁屏蔽等。在相當一段時間內, In2O3：Sn (ITO) 薄膜作為一種典型的透明導電氧化物薄膜得到了極廣泛的應用，但ITO 薄膜中的銦有毒，在制造和應用中對人體有害；ITO 中的In2O3 的價格昂貴,成本較高， ITO 薄膜易受氫等離子體的還原作用，這些缺點在很大程度上限制了ITO 薄膜的研究和應用。新型透明導電ZnO :Al (AZO) 薄膜中的ZnO 價格便宜,來源豐富,無毒,并且在氫等離子中穩定性要優于ITO，在很多領域特別是太陽電池領域具有逐步取代ITO薄膜的趨勢。本產品是多層ZAO透明導電膜，具有透過率高和電阻率低的優點，而且非常適合制備絨面，可作為陷波結構應用于薄膜太陽能電池中。 透明導電膜的主要性能指標有兩個：透過率和方阻。產業化對透明導電膜透過率的要求一般要達到80%以上，南韓的Ｗｏｏｎ－ＪｏＪｅｏｎｇ制備的ZAO膜在可見光區域的平均透過率大于９５％，是國際最高水平。國外科研人員制備的ZAO透明導電膜室溫電阻率最低可達3×10-4Ω·cm，方塊電阻最低可達3Ω/□。國內制備的ZAO透明導電膜一般平均透過率約為80%，電阻率在10-3數量級。 本產品具體性能指標是：透過率＞85%，方阻<50Ω/□。 太陽電池是正在蓬勃發展的產業。國務院剛剛頒布的《可再生能源中長期發展規劃》中明確提出：到2010年，太陽能發電總容量達到30萬千瓦，其中全國將建成1000個屋頂光伏發電項目，總容量5萬千瓦，大型并網光伏電站總容量2萬千瓦；到2020年，太陽能發電總容量達到180萬千瓦，其中全國建成2萬個屋頂光伏發電項目，總容量100萬千瓦，太陽能光伏電站總容量將達到20萬千瓦；另外，光伏發電在通訊、氣象、長距離管線、鐵路、公路等領域的應用，計劃到2010年也將累計達到3萬千瓦，到2020年將達到10萬千瓦。而全球太陽能光伏市場將從2000年的10億美元到2015年擴大到1500億美元。透明導電薄膜是太陽電池中關鍵的薄膜，需求巨大。

薄膜晶體管（thin film transistor, TFT）本質上是一種場效應晶體管，其電性質與傳統的MOS場效應管一樣，都是利用垂直于導電溝道的電場強度來控制溝道的導電能力來實現系統放大，這被稱為電導率調制或場效應原理。同時它也是良好的開關元件，當柵源電壓小于閾值電壓時器件截止，反之導通。場效應管是通過改變輸入電壓來控制輸出電流的，它是電壓控制器件，不吸收信號源電流，不消耗信號源功率，因此它的輸入阻抗很高，它還具有很好的溫度特性、抗干擾能力強、便于集成等優點。 與硅材料相比，ZnO薄膜材料的禁帶寬度大、透明等優異的半導體特性，使得ZnO-TFT可能替代a-Si TFT成為平板顯示器件的像素開關。若使用ZnO-TFT作為有源矩陣驅動的開關元件有以下明顯優勢： (1) ZnO為寬禁帶半導體材料，可以避免可見光照射對器件性能的影響，保證顯示器的清晰度不受太陽光照的影響； (2) 提高開口率，提高顯示器的亮度，進而可以降低功耗； (3) 如果存儲電容也用透明材料制備，制備全透明顯示器件便成為可能； (4) 對襯底要求不高。ZnO薄膜的生長溫度較低，即使室溫條件下也可以生長高質量ZnO薄膜，因此襯底可以選擇廉價的玻璃或者柔韌性塑料等，這又是柔性顯示器成為可能； (5) ZnO具有很好的載流子遷移率，使得ZnO-TFT既具有很高的開態電流，又有效的抑制關態電流的增加；研究ZnO-TFT的另一個重要意義在于推動透明電子學的研究。ZnO-TFT的實現對透明電子學來說是一個富有成效的進展，具有里程碑的意義，為制造透明電路和系統創造了條件。

設計并成功合成了兩種新型噻唑酰亞胺缺電子受體單元,并在其基礎上得到全受體類型均聚物PDTzTI（圖1a）。單晶XRD分析表明，DTzTI單體中存在S…N非共價鍵相互作用因而平面性較好，單體間的π堆積也非常緊密，非常適合構建全受體聚合物。噻唑酰亞胺的強拉電子能力也使得聚合物的前沿軌道能級較低，有利于晶體管中電子注入并提升器件穩定性，同時抑制空穴注入和降低器件關電流。基于PDTzTI的有機薄膜晶體管器件表現出優異的單極性n-型輸運性能（圖1b）。晶體管電子遷移率達到1.6 cm 2  V -1  s -1 ，關電流僅為10 ?10 -10 ?11 A，因而電流開關比高達10 7 -10 8 。該遷移率是全受體均聚物材料中的最高紀錄，同時在晶體管關電流和開關比性能上顯著優于常見給體-受體共聚物材料，表明全受體結構是實現單極性n-型聚合物材料的有效途徑,為新型受體單元和單極性n-型材料的設計提供重要參考依據。

該成果由于采用新型的安全膜結構和絕氧吸弧工藝（減小金屬材料在加工過程中的氧化，降低接觸電阻、電勢壘等），產品具有自愈性，在高壓大電流的沖擊下不會發生短路擊穿現象，無需防爆裝置；由于采用端面高密度、低電阻的等離子放電噴射沉積制備技術和大功率電容器電極的電阻焊接技術，寄生電阻和發熱量減小，使產品在可靠性、穩定性上具有明顯的優勢。