太阳城集团亚洲娱乐城-澳门太阳城集团娱乐城最新地址_百家乐电影网_全讯网xb112 (中国)·官方网站

主要作了以下幾方面探索： 在低維納米結構的合成、納米光電器件制造與性能分析方面有良好的研究基礎。在納米光電器件方面，長期從事納米光電器件的研究與開發(fā)，已經成功地合成了一系列納米結構以及它們異質和復合納米結構，如TiO2、ZnO、ZnS、ZnS/ZnO 等，并在此基礎上制造了基于單個納米結構的光電器件，測試了其性能。其中發(fā)表在國際頂尖一區(qū)期刊《Advanced Materials》上的論文被美國加州大學、中科院重點實驗室、澳大利亞昆士蘭大學等相關課題組報道，被《Nature Communications》、 《Advanced Materials》、《Advanced Function Materials》、《Scientific Reports》等國際著名刊物引用達 123 次；發(fā)表在國際頂尖一區(qū)期刊《Advanced FunctionMaterials》上的論文被北京大學、清華大學、香港理工大學、臺灣國立大學、新加坡南洋理工大學、日本東北大學、美國華盛頓大學等國際名校相關課題組報道，被《Advanced Materials》、《Advanced FunctionMaterials》、《Scientific Reports》、《Energy & Environmental Science》等國際著名刊物引用達 62 次。 在YBa2Cu3O7-δ/ La1-xCaxMnO3氧化物超導與鐵磁雙層結構中，觀察到磁相關的近鄰和耦合效應。證明了超導層中的邁斯納電流與磁層耦合提供的磁場之間存在的相互作用，并明確了來自于超導層的空穴電荷傳輸到反鐵磁層內，使得在靠近超導層的反鐵磁薄層內電荷的重新分布，進而發(fā)生了鐵磁性轉變的物理機制。在錳氧化物和銅氧化物組成的鐵磁/超導/鐵磁/反鐵磁異質結中觀察到大的負磁阻峰，這是在接近超導轉變溫度附近的混合態(tài)所具有的獨特現象，是自旋相關的界面散射的實驗證據；另外，我們還發(fā)現該類氧化物鐵磁/超導異質結中系統(tǒng)發(fā)現磁阻峰即隨溫度變化，其磁阻峰發(fā)生正、負性逆轉的奇特效應，這是YBa2Cu3O7-δ正磁阻和La0.7Sr0.3MnO3負磁阻相互競爭的結果。其次，利用飛秒激光泵浦探測技術對YBCO/LCMO 異質結進行了泵浦探測，觀測了低溫下鐵磁序和超導序的競爭情況，為進一步研究 YBCO/LCMO 的近鄰效應打下了基礎。 在 具 有 不 同YSZ(yttria-stabilized zirconia) 摻 雜 量 的YBCO/YSZ 準多層膜中觀察到 YSZ 摻雜薄膜發(fā)生了化學反應，導致了具有納米數量級鈣鈦礦異質相BaZrO3粒子的形成。BaZrO3粒子的形成促使了晶格的不匹配以致沉積中形成了c-軸關聯的缺陷。角度相關的J c (H,T)在 H//c區(qū)域附近出現的二次峰揭示了c-軸關聯缺陷的存在。基于各向異性磁通釘扎理論，我們分離了各向同性釘扎和各向異性釘扎對臨界電流密度的貢獻。分析表明所研究的準多層膜中產生了各向異性的缺陷，由此形成強釘扎中心，使得準多層膜在高場下仍具有較高的臨界電流密度。 應用唯象含時Ginzburg-Landau 理論并使用有限元方法研究了二維、三維介觀超導體的渦旋態(tài)性質。對于具有不同形狀和不同方向外場作用下的介觀超導體中觀察到了渦旋管交叉纏繞現象。其次，通過對電流驅使下的含弱連接的介觀超導帶的分析，觀察到了介觀超導帶磁化強度隨時間的周期性變化。另外,在我們所研究的小超導環(huán)中出現了穩(wěn)定多渦旋態(tài)。隨著內半徑的增長,我們發(fā)現了穩(wěn)定基態(tài)的(l:L)和(2:L)多渦旋態(tài)現象。 該項目已獲上海市自然基金項目立項支持。

本發(fā)明公開了一種毛細管力驅動制備的微腔量子點激光器及制備方法，所述激光器包括上基板及其下表面的布拉格反射鏡、熱封膜和封口、下基板及其上表面的布拉格反射鏡、量子點增益材料和激光泵浦源；所述熱封膜將具有布拉格反射鏡的上、下基板緊密的熱封在一起，形成微腔用于容置量子點增益材料，熱封膜兩端封口處用紫外固化膠密封；所述量子點增益材料采用濃度為50?120 mg/ml的高濃度量子點溶液。本發(fā)明的量子點激光器件波長可隨著量子點尺寸變化進行調制，制備工藝簡單，重復性和穩(wěn)定性較高。激光器在短波激光泵浦下有很好的光增益，且相干性很好，出光波長可隨量子點發(fā)光峰位置在全可見光譜范圍調節(jié)，制備成本低并易于實現大規(guī)模產業(yè)化生產。

本發(fā)明公開了一種基于六維力傳感器和雙目視覺的機器人打磨裝置及打磨方法，打磨裝置包括機械臂、傳感器固定座、六維力傳感器、工業(yè)相機、柔性連接件、電機固定座、打磨電機和雙軸加速度傳感器；六維力傳感器通過傳感器固定座與機械臂的末端關節(jié)固定連接；六維力傳感器通過柔性連接件與電機固定座柔性連接，打磨電機安裝在電機固定座上；工業(yè)相機對稱設在柔性連接件的兩側；雙軸加速度傳感器分別設在機械臂的末端關節(jié)和打磨電機上。打磨方法包括步驟1，深度點云圖生成；步驟2，打磨時機控制；步驟3，PI控制打磨和步驟4，機械臂位置補償。本發(fā)明簡單穩(wěn)定，易于控制，打磨效果好，效率高；同時，還能補償打磨過程中的位置偏移，提高加工質量。

本實用新型公開了一種離子風驅動的可同步處理多種污染物的空氣凈化器，包括物理過濾裝置、低溫等離子體產生裝置和離子風動力裝置，低溫等離子體產生裝置分為離子泵荷電加速區(qū)、電凝并區(qū)、電除塵氧化區(qū)和反電暈催化區(qū)；物理過濾裝置采用導體網、粗效過濾網、高效過濾網和活性炭過濾網物理過濾，本實用新型采用離子泵荷電加速區(qū)、電凝并裝置、電除塵氧化裝置和反電暈催化區(qū)四處進行低溫等離子體放電同時針對細顆粒物PM2.5、微生物氣溶膠及VOCs、CO、NH3等毒害氣態(tài)污染物進行一體化凈化，能夠高效捕集細顆粒物PM2.5，滅活微生物氣溶膠，同時深度氧化處理VOCs、CO、NH3等毒害氣態(tài)污染物，是一種集鋪集氧化于一體的多污染物復合凈化技術，提高室內空氣凈化效果。

已有樣品/n本發(fā)明公開了一種混合動力汽車鋰離子電池變頻脈沖充電方法。通過交流阻抗法測得電池的頻譜得到電池充電的初始頻率，再通過確定最優(yōu)頻率的算法作進一步的精確跟蹤，從而得出最有頻率。本發(fā)明的充電方法解決了在充電一致性和脈沖周期難以確定的情況下難以對鋰離子電池組進行快速充電的難題，不僅可以縮短充電時間，還可以達到去極化的目的，有效的延長電池組的使用壽命。

本發(fā)明公開了一套評測殺菌劑對自蘋果花器侵染病害防治效果的方法，涉及植物病害防治藥劑評測技術。針對病菌通過花器侵染果實的特點，本發(fā)明用蘋果和海棠的干制花朵為基質，在干制花朵上接種靶標病菌，進行殺菌劑處理，并對接種病菌和藥劑處理的干制花朵進行保濕培養(yǎng)，誘導靶標病菌在干制的花朵產生孢子，最后通過檢查病菌是否產孢及產生孢子密度，評測殺菌劑對抑制病菌定殖花器和（或）鏟除定殖花器病菌的效果。克服了田間藥效試驗周期長、費用高、成功率低，室內藥劑篩選與實際應用效果差異大等問題，為蘋果霉心病、黑點防治藥劑的篩選提供一套簡便、可靠的方法。

本發(fā)明涉及一種基于免疫遺傳算法的模塊化多電平變換器的調制方法，對模塊化多電平變換器的優(yōu)化控 制方面的問題進行研究，優(yōu)化目標為模塊化多電平變換器的輸出電流波形最優(yōu)，本發(fā)明結合模塊化多電平變 換器的結構特點和輸出特性，采用各相上橋臂投入子模塊的數目表示工作狀態(tài)，對模塊化多電平的工作狀態(tài) 進行優(yōu)化，通過編碼操作，注入疫苗，親和度計算，濃度計算，免疫選擇，交叉操作，變異操作，倒位操作， 經過多次迭代收斂后得到優(yōu)化后的模塊化多電平變換器的輸出電壓階梯波。

"本發(fā)明公開了一種基于附加交變電壓的無氣隙傳感器電磁吸力懸浮控制方法，采用在懸浮電磁鐵線圈閉環(huán)控制電壓中摻雜具有一定特征的交變電壓，施加在懸浮電磁鐵線圈，在線圈中得到含有相同特征的分量的電流，根據輸入摻雜的特征交變電壓和線圈電流中具有相同特征的電流分量辨識出懸浮電磁鐵線圈電感，通過電感得到懸浮電磁鐵氣隙，使用此氣隙值進行閉環(huán)控制。由于不采用氣隙傳感器，可以大大簡化系統(tǒng)，通過附加線圈得到的電感可以反映真實的懸浮氣隙，本發(fā)明可以降低磁浮列車系統(tǒng)軌道精度要求，也不會由于氣隙傳感器的測量不準確導致系統(tǒng)控制不穩(wěn)定，可以比較好的解決磁浮列車過軌縫、齒槽效應等問題，具有可靠性高、成本低，安全可靠等優(yōu)點。 "

本發(fā)明公開了一種二維層狀二硫化鉬薄膜的光探測器及制備工 藝，光探測器包括從上之下依次排列的電極結構、多個層狀二硫化鉬 薄膜以及襯底；電極結構為電極、主支、分支三部分，相鄰主支之間 和相鄰分支之間的間距為二硫化鉬薄膜的平均大小，起到并聯二硫化 鉬薄膜、增大光敏面積的作用。二硫化鉬薄膜的生長采用化學氣相沉 積(CVD)的方法，硅片作為襯底，MoO3 粉末作為鉬源，硫粉作為硫源， 通過控制鉬源與襯底之間的間距、硫蒸氣進入反應的時間和反應溫度， 制備得到大面積的層狀二硫化鉬薄膜。使用該方法制備層狀二硫化鉬

本發(fā)明公開了一種二維層狀二硫化鉬薄膜的光探測器及制備工 藝，光探測器包括從上之下依次排列的電極結構、多個層狀二硫化鉬 薄膜以及襯底；電極結構為電極、主支、分支三部分，相鄰主支之間 和相鄰分支之間的間距為二硫化鉬薄膜的平均大小，起到并聯二硫化 鉬薄膜、增大光敏面積的作用。二硫化鉬薄膜的生長采用化學氣相沉 積(CVD)的方法，硅片作為襯底，MoO3 粉末作為鉬源，硫粉作為硫源， 通過控制鉬源與襯底之間的間距、硫蒸氣進入反應的時間和反應溫度， 制備得到大面積的層狀二硫化鉬薄膜。使用該方法制備層狀二硫化鉬