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一種提高四針狀氧化鋅晶須抗菌性能的方法
一種提高四針狀氧化鋅晶須抗菌性能的方法，其步驟是：A、將外觀為白色粉狀的四針狀氧化鋅晶須加入到酒石酸鉀鈉的水溶液中形成糊狀或懸濁液，攪拌10～30分鐘，所述的酒石酸鉀鈉和四針狀氧化鋅晶須的摩爾比為0.1～1∶100，；再在攪拌狀態下緩慢加入與酒石酸鉀鈉等摩爾量氯化銅的水溶液；之后，繼續攪拌30～60分鐘；最后，經過濾、洗滌、烘干，得表面原位沉積有納米酒石酸銅的四針狀氧化鋅晶須復合物粉末；B、將復合物粉末在氫氣氣氛中升溫至270～300℃保溫15～60分鐘，冷卻至室溫，即得。該方法得到的粉末抗菌力強，4小時殺菌率為98.5％～99.9％；且成本低廉，使用中不變色、易于推廣。
西南交通大學
2016-10-20
一種精確控制微納尺寸相變材料非晶化率連續變化的方法
本發明公開了一種通過施加低電平脈沖實現微納尺寸 GST 相變 材料非晶化率連續變化的控制方法，包括控制非晶化率連續單調增大 和連續單調減小的操作，通過利用兩個或兩個以上的連續脈沖的幅值、 寬度和間隔等三個參量綜合自適應變化精確控制焦耳熱產生，繼而實 現 GST 相變材料晶化率的連續變化，具體包括步驟：對相變存儲單元 施加具有一定參量的兩個或兩個以上的連續脈沖；在連續脈沖的作用 下，相變材料獲得一定的熱量，使部分相變材
華中科技大學
2021-04-14
一株對灰霉病菌有抑制作用的嗜麥芽假單胞菌菌株QBA-5及其應用
本發明公開了一株對灰霉病菌有抑制作用的嗜麥芽假單胞菌菌株QBA-5及其應用，本發明通過篩選獲得的菌株QBA-5其分類命名為嗜麥芽假單胞菌Pseudomonas?maltophilia，保藏于中國典型培養物保藏中心，其保藏編號為CCTCC?M?2015403。本發明具體經過對灰霉病菌孢子、芽管伸長和離體葉片的實驗，證明本發明獲得的菌株QBA-5具有對灰霉病菌的強抑制作用，可以將其制備成防治灰霉病菌的生防制劑，具有良好的市場應用前景。
青島農業大學
2021-04-13
人才需求: 高分子材料專業人員，對高分子材料改性有工作經驗的最好。
1、 高分子材料專業人員，對高分子材料改性有工作經驗的最好。2、 設備自動化或智能化面的專業人員，提高傳統生產線的自動化和智能化水平，減少對人員的依賴性，提高設備的綜合技術水平。
肥城聯誼工程塑料有限公司
2021-09-01
在鈉金屬薄膜和等離激元光子器件研究方面上的重要突破
研究團隊發展了獨特的液態金屬旋涂工藝，制成了金屬鈉薄膜，首次揭示了金屬鈉膜的優異光波段等離激元特性。
北京大學
2021-04-11
一種超高速率充放電超級電容器薄膜電極的制備
高?？萍汲晒M在科轉云
電子科技大學
2021-04-10
高模量低收縮聚酰亞胺薄膜的產業化關鍵制備技術研究
本項目針對目前國內撓性印制線路板及材料在生產及應用中存在的問題，在研究團隊前期開發的高模 低縮聚酰亞胺薄膜配方體系的基礎上，從市場需求及產業化的角度，優選具有顯著分子間相互作用力的體 系，開展聚合物前驅體聚酰胺酸膠液的實驗室小試、中試及產業化規模制備、膠液流延和薄膜制備過程中 的關鍵技術研究，獲得一套穩定可靠的產業化工藝參數，制備具有自主知識產權的新型高模低縮聚酰亞胺 薄膜產品，打破該產品國外壟斷的局面。
中山大學
2021-04-10
一種二元前驅體合成伸展石墨烯復合薄膜的制備方法
本發明屬于半導體納米復合材料的制備技術領域，涉及一種利用二元前驅體合成石墨烯復合薄膜的制備方法。該發明采用簡單的兩步合成路線，通過在水熱法中合成兩元前驅體，然后經過高溫處理使四氧化三鐵納米顆粒均勻的分散在石墨烯納米薄膜的表面。相對于其他合成方法，此方法制備的石墨烯復合薄膜具有伸展更充分，Fe3O4納米粒子粒徑更均勻，分布范圍窄等優點。借助本發明提供的方法，制備出的石墨烯納米復合薄膜可作為鋰離子電池的負極材料，顯示了較高的電容量和循環穩定性。通過本發明提供的無機半導體和石墨烯復合納米材料制備方法，可制備多種不同種類的復合材料，制備出的復合材料在鋰離子電池，無機太陽能電池，藥物的靶向緩釋與治療等方向具有實際的應用前景。
青島大學
2021-04-13
一種硒化銻薄膜太陽能電池的背表面處理方法
本發明屬于薄膜太陽能電池制備領域，具體公開了一種硒化銻 薄膜太陽能電池的背表面處理方法，該方法是使用含有二硫化碳的液 體接觸處理硒化銻薄膜太陽能電池中硒化銻薄膜層的表面，并以經處 理后的硒化銻薄膜層的表面作為硒化銻薄膜太陽能電池的背表面。本 發明通過對硒化銻薄膜太陽能電池中硒化銻薄膜層的背表面進行處理 改進，有效降低了硒化銻薄膜太陽能電池的背接觸勢壘，達到了提高 器件的填充因子的效果，進而提高了硒化銻薄膜太陽能電池的
華中科技大學
2021-04-14
一種無空穴傳輸材料鈣鈦礦薄膜異質結電池的制備方法
本發明公開了一種無空穴傳輸材料鈣鈦礦薄膜異質結電池的制備方法。該方法在傳統的 PbI2 前驅體 溶液中加入少量 PbCl2，以提高 PbI2 在溶劑中的溶解性，以免在旋涂時形成不均勻的晶核，影響鈣鈦礦 生長的均勻性。在空氣中 100℃燒結 5 分鐘后，往鈣鈦礦層上刮涂上一種含有 CH3NH3I 的碳漿，在空氣 中 100℃烘干，再次刮涂上一層不含 CH3NH3I 的碳漿以降低器件電阻。最后 50mg/mL?PMMA 的甲苯溶 液均勻滴在碳電極上
武漢大學
2021-04-14