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不銹鋼外殼開啟式管式電爐
產品詳細介紹開啟式管式電阻爐以新型鐵-鉻-鋁高溫電阻絲或硅碳棒為發熱元件，爐溫有1000℃、1200℃、1400℃多種，測溫元件采用K、S分度熱電偶，控溫方式有自動恒溫型和程序控溫型兩種。采用新型隔熱保溫材料，具有測溫精度高、控溫準確、熱導率低、高效節能、美觀大方等特點，供實驗室、工礦企業、科研院所等單位用于金屬、非金屬、合金、陶瓷等材料的高溫燒結、熱處理及熔融、分解等。主要技術參數1、最高溫度：1200℃；2、電源及功率：AC220V/2KW； 3、爐膛尺寸：∮40×600mm；4、測溫：K分度號熱電偶+精密數顯程序控溫儀；5、控溫：可控硅移相調壓+智能PID調節+程序升降溫；6、控溫精度：±1℃；
湘潭市三星儀器有限公司
2021-08-23
五腳升降凳（中管50帶托盤）
※凳面（藍色或白色）采用高密度ABS材質，直徑不小于300mm,底部為1.2mm鐵板托盤。凳腳（三足）采用1.2mm半圓形冷軋鋼管，腳墊采用外包注塑成型，能做到防滑、減震、防靜電。質量穩定，堅固耐用，美觀大方。制作工藝：1. 采用二氧化碳保護焊2. 涂層:環氧樹脂粉末噴塑,高溫凝固,表面磷化處理。
備注：以上是五腳升降凳（中管50帶托盤）的詳細信息，如果您對五腳升降凳（中管50帶托盤）的價格、型號、圖片有什么疑問，請聯系我們獲取五腳升降凳（中管50帶托盤）的最新信息。
咨詢電話：0577-67473999
溫州市育人教儀制造有限公司
2021-08-23
PFA管型瓶、樣品瓶、試劑瓶
產品詳細介紹 PFA管型瓶、樣品瓶、試劑瓶 可熔性聚四氟乙烯（PFA）管形瓶、樣品瓶：有非凡的化學耐受性，幾乎可耐受所有的化學溶劑。可用來長期存放試劑和標準品而并不用擔心有其他雜質析出。從離地1.2米高處落下，瓶體不破裂，瓶蓋不脫落，不泄漏，敞口可高壓滅菌，外底平面設計可用電熱板加熱、蒸壓。
南京瑞尼克科技開發有限公司
2021-08-23
直徑3640mm復合地質頂管機
產品型號：直徑3640mm產品應用：非開挖施工所屬分類：頂管機
山東瑞鉆工程裝備有限公司
2021-08-27
國產精品玻璃管激光切割機
產品詳細介紹深圳成馳機電設備有限公司 常規規格(工作臺面)產品型號:CC6040/9060/1260/1380/1290/1390/1490/1590/1610/1800(其它規格可定做！)雕刻面積400x600/600x900/600*1000/600x1200/900x1200/900x1300/900x1400/900x1500/1000×1600mm/1000*1800。深圳成馳機電設備公司是一家專業開發、生產、銷售激光切割雕打標設備的高新技術企業, 公司廣聚光、機、電、等領域的高素質人才，稟承“以質量求生存，以創新求進步，以服務求市場，以科技求發展”的經營理念，以嚴格規范生產的流程和售后技術服務體系，致力于讓國人都用好，用得起高科技激光加工設備。
深圳市成馳激光設備有限公司
2021-08-23
一種噴射沉積成形制備大塊非晶合金的方法
霧化噴射沉積成形技術近年來被廣泛用于研究和發展高性能的快速凝固材料。該技術最突出的創新點在于，將液態金屬的霧化和霧化熔滴的沉積自然地結合在一起，是一種短流程快速凝固體材料制備新技術。噴射沉積成形塊體致密件的形成，是在特定條件下的凝固過程。其基本特點是在沉積表面形成一層極薄的液膜，塊體致密件的形成則是這一液膜不斷凝固、推進的過程。在多年研究噴射成形技術的基礎上，楊濱教授及其課題組成員近年利用噴射沉積成形技術成功地制備出了最大直徑為380mm、最大厚度12～13mm的La62Al15.7(Cu, Ni)22.3大塊非晶合金，這是國際上迄今報導的最大尺寸的鑭基非晶合金樣品。DSC測試結果表明，沉積態La62Al15.7(Cu, Ni)22.3非晶合金的過冷液相區寬度DTx和約化玻璃轉變溫度Trg均高于單輥旋轉熔體快淬或銅模鑄造法制備的同成分非晶合金。 已獲得中國發明專利，楊濱，劉宗峰，張勇，張濟山，陳國良，一種噴射沉積成形制備鑭基大塊非晶合金的方法，專利號：ZL200510086239.6。“高熔點高合金化材料快速凝固氣霧化制備技術”，獲中國有色金屬工業科學技術獎一等獎（2003.12）。
北京科技大學
2021-04-11
晶圓級二維半導體單晶薄膜外延生長的研究
主流硅基芯片CMOS（互補金屬氧化物半導體）技術正面臨短溝道效應等物理規律和制造成本的限制，需要開發基于新材料和新原理的晶體管技術來延續摩爾定律。高遷移率二維半導體因其超薄的平面結構和獨特的電子學性質，有望成為“后摩爾時代”高性能電子器件和數字集成電路的理想溝道材料，進一步縮小晶體管的尺寸和提高其性能。為滿足集成電路加工工藝和器件成品率對溝道材料的苛刻要求，二維半導體單晶薄膜的大面積制備尤為關鍵與重要。然而，現有二維半導體材料體系（過渡金屬硫族化合物、黑磷等）薄膜制備仍未滿足現實要求，因此亟需實現晶圓級二維半導體單晶薄膜制備技術的突破。 該研究瞄準二維半導體材料的晶圓級單晶制備，率先實現了同時具有高電子遷移率、合適帶隙、環境穩定的二維半導體（硒氧化鉍，Bi2O2Se)單晶晶圓的外延生長。他們基于自主設計搭建的雙溫區化學氣相沉積系統，在商用的鈣鈦礦單晶基底【SrTiO3，LaAlO3，或(La, Sr)(Al,Ta)O3】上，利用Bi2O2Se與鈣鈦礦完美的晶格匹配性及較強的界面相互作用，促使Bi2O2Se晶核同一取向外延并融合生成晶圓級單晶薄膜。Bi2O2Se單晶薄膜在晶圓尺寸上表現出優異的材料和電學均勻性，可被用于批量構筑高性能場效應晶體管。基于晶圓級二維Bi2O2Se單晶薄膜的標準頂柵型場效應晶體管展現了高的室溫表觀遷移率（>150 cm2/V s）、大的電流開關比（>105）和較高的開態電流（45μA/μm）。相關成果發表在Nano Letters (Wafer-Scale Growth of Single-Crystal 2D Semiconductor on Perovskite Oxides for High-Performance Transistors. Nano Lett. 2019, 19, 2148)。
北京大學
2021-04-11
一種超硬非晶碳薄膜的制備裝置和工藝
項目為一種超硬的非晶四面體碳（ta-c）薄膜的制備裝置和工藝，該薄膜具有極好的物理化學特性，在碳基薄膜中，是目前國際上公認的SP3鍵含量最高，超過85%，特性最接近天然金剛石的薄膜，硬度達到HV≥85Gpa，可見光和紅外光透明，透光率達97%，吸收紫外光，達98%，薄膜均勻性好，薄膜平整度達0.2nm，摩擦系數≤0.08，電阻率達（1012Ω·cm），擊穿電壓3.5×106，（），熱導率18（）,密度3.5（g/cm3），薄膜致密耐腐蝕作用極好。 該項目可用于高精度專有刀具、模具和摩擦滑動部件，提高使用壽命，減小摩擦，如手術和美容刀具、絲錐、PCB鉆、拉絲模、沖壓模具、壓縮機滑塊，滑動環等；用于視窗、鏡片和傳感器表面，可防止劃傷，增強散熱，利于紅外光傳遞，等；用于激光透鏡，可提高損傷閾值；用于射線輻射測量傳感器，可抗射線輻射損傷，提高測量的靈敏度。
西安交通大學
2021-04-11
一種非晶合金零件的快速成形方法
本發明公開了一種非晶合金零件的快速成形方法，包括首先對 電磁成形系統中的電容器充電，然后采用電脈沖放電對非晶合金進行 快速升溫使其溫度升至過冷液態溫度，在溫度達到設定溫度停止電脈 ·549·沖放電，同時使所述電磁成形系統的電容器放電，產生電磁力并驅動 過冷液態的非晶合金變形至模具中，即可實現非晶合金零件的快速成 形。本發明還公開了利用上述方法所制備的非晶合金零件。本發明通 過對熱塑性成形過程中的加熱方式、成形驅動方式
華中科技大學
2021-04-14
一種大塑性非晶基復合材料的制備方法
本發明公開了一種非晶基復合材料的制備方法，其特征在于， 包括：將片狀非晶合金與增韌第二相材料交替層疊后置于夾具中，其 中所述增韌第二相為板狀且上下表面開有陣列通孔的結構；在恒壓或 漸增載荷的條件下，對層疊的非晶合金及多孔板加熱，同時對其實施 超聲振動，非晶合金迅速軟化并被壓入第二相增韌板的孔中，使得非 晶相合金與增韌第二相的界面冶金良好結合，而且成形過程中不會發 生晶化，從而獲得塑形良好的非晶合金復合材料。本發明還公
華中科技大學
2021-04-14