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郭永懷（1909—1968）山東榮城人。物理學(xué)家。學(xué)部委員。北京大學(xué)畢業(yè)。20世紀(jì)50年代初在激波與邊界層相互作用研究中獲出色成果，并發(fā)展了奇異攝動(dòng)法（稱龐加萊——萊特希爾——郭永懷方法）。

彭桓武（1915—2007）湖北麻城人。物理學(xué)家。學(xué)部委員（院士）。曾在北京大學(xué)任教。主要從事理論物理的基礎(chǔ)和應(yīng)用研究，領(lǐng)導(dǎo)并參加原子彈、氫彈的原理突破和戰(zhàn)略核武器的理論研究、設(shè)計(jì)工作。

陳芳允（1916—2000）浙江黃巖人。電子學(xué)與空間系統(tǒng)專家。學(xué)部委員（院士）。曾在西南聯(lián)合大學(xué)學(xué)習(xí)。為我國(guó)無(wú)線電電子學(xué)做了開(kāi)創(chuàng)性工作。

本發(fā)明涉及一種高精度全鏈路星載SAR輻射定標(biāo)仿真方法，包括：讀入真實(shí)雷達(dá)衛(wèi)星數(shù)據(jù)；選取距離向和方位向點(diǎn)數(shù)大小符合要求的面目標(biāo)作為輻射定標(biāo)的仿真數(shù)據(jù)源；通過(guò)在場(chǎng)景中心位置加入已知雷達(dá)散射截面積的定標(biāo)器，構(gòu)造布設(shè)定標(biāo)器的面目標(biāo)仿真數(shù)據(jù)源；將布設(shè)定標(biāo)器的面目標(biāo)分解為多個(gè)點(diǎn)目標(biāo)，計(jì)算每個(gè)點(diǎn)目標(biāo)的回波并疊加，獲得回波仿真信號(hào)；進(jìn)行成像處理，得到包含定標(biāo)器的場(chǎng)景雷達(dá)圖像；計(jì)算輻射定標(biāo)系數(shù)，完成定標(biāo)處理

本技術(shù)支撐了我國(guó)遙感衛(wèi)星從地表監(jiān)測(cè)到人類活動(dòng)監(jiān)測(cè)的跨越，總體上達(dá)到了國(guó)內(nèi)領(lǐng)先水平，在夜光遙感載荷設(shè)計(jì)定標(biāo)處理、星基導(dǎo)航信號(hào)增強(qiáng)方面處于國(guó)際領(lǐng)先水平。1）研制了高靈敏度、高動(dòng)態(tài)范圍、高幾何輻射質(zhì)量的夜光遙感微小衛(wèi)星。提出了星載耦合雜光規(guī)避、聯(lián)合增益處理等模型方法，構(gòu)建了夜光遙感器在軌幾何輻射定標(biāo)技術(shù)，設(shè)計(jì)的夜光相機(jī)在靈敏度、動(dòng)態(tài)范圍、幾何輻射質(zhì)量等方面優(yōu)于DMSP/OLS、NPP/VIIRS等國(guó)際同類傳感器。2）首創(chuàng)低軌衛(wèi)星對(duì)GNSS的信號(hào)增強(qiáng)。提出了低軌衛(wèi)星對(duì)GNSS進(jìn)行

本發(fā)明公開(kāi)了一種基于光學(xué)天線的片上無(wú)線光通信系統(tǒng)，現(xiàn)有關(guān)于光學(xué)頻段天線的發(fā)明與研究多是基于諸如透鏡、反射鏡等傳統(tǒng)光學(xué)器件，這些設(shè)計(jì)只適用于較大的光學(xué)范圍。本發(fā)明利用金屬光學(xué)天線自身的定向輻射特性，采用片上系統(tǒng)集成的方式，將光學(xué)天線發(fā)射基站、反射單元、光學(xué)天線中繼單元以及光學(xué)天線接收終端構(gòu)成基于光學(xué)天線的片上無(wú)線光通信系統(tǒng)。該系統(tǒng)能夠大大降低通信網(wǎng)絡(luò)中器件的串?dāng)_與功耗，同時(shí)使得系統(tǒng)空間響應(yīng)大大減小達(dá)到亞波長(zhǎng)量級(jí)，進(jìn)而提高整個(gè)光纖通信網(wǎng)絡(luò)的傳輸帶寬與響應(yīng)速度。

本實(shí)用新型公開(kāi)了一種光伏太陽(yáng)能硅片上料設(shè)備，包括：機(jī)架；安裝在機(jī)架上用于將硅片沿著 X 軸方向輸送路徑可調(diào)換方向地輸送至下位機(jī)的硅片輸送機(jī)構(gòu)；分別設(shè)置在輸送路徑的兩側(cè)用于貯存硅片的料盒；處于輸送路徑的上方，通過(guò) Y 軸和 Z 軸方向的移動(dòng)拾取硅片并將其釋放至輸送路徑上執(zhí)行輸送的機(jī)械手，該機(jī)械手還具備硅片分離裝置，由此在拾取硅片的過(guò)程中使得相鄰硅片予以分離以便逐一拾取；用于對(duì)整體工況提供控制指令的電氣控制系統(tǒng)；以及根據(jù)電氣控制系統(tǒng)的控制指令對(duì)相應(yīng)功能元件執(zhí)行驅(qū)動(dòng)的氣動(dòng)模塊。本實(shí)用新型還公開(kāi)了相應(yīng)的上料系統(tǒng)。通過(guò)本實(shí)用新型，能夠取得上料效率高、降低硅片破損率以及靈活設(shè)定傳送方向等方面的優(yōu)點(diǎn)。

北京大學(xué)物理學(xué)院寬禁帶半導(dǎo)體研究中心沈波和楊學(xué)林課題組與俞大鵬、劉開(kāi)輝課題組合作，成功實(shí)現(xiàn)了Si(100)襯底上單晶GaN薄膜的外延生長(zhǎng)，相關(guān)工作于2019年7月23日在Advanced Functional Materials上在線刊登 [doi.org/10.1002/adfm.201905056]。 GaN基寬禁帶半導(dǎo)體具有帶隙大、擊穿電場(chǎng)高、飽和電子漂移速度大等優(yōu)異，能夠滿足現(xiàn)代電子技術(shù)對(duì)高溫、高頻、高功率等性能的要求，對(duì)國(guó)家的高技術(shù)發(fā)展和國(guó)防建設(shè)具有重要意義。由于缺乏天然的GaN單晶襯底，GaN基半導(dǎo)體材料和器件主要在異質(zhì)襯底上外延生長(zhǎng)。因具有大尺寸、低成本及易于集成等優(yōu)點(diǎn)，Si襯底上外延GaN成為近年來(lái)學(xué)術(shù)界和產(chǎn)業(yè)界高度關(guān)注的熱點(diǎn)領(lǐng)域。 目前用于GaN外延生長(zhǎng)的Si襯底主要是Si(111)襯底，其表面原子結(jié)構(gòu)為三重排列，可為六方結(jié)構(gòu)的GaN外延提供六重對(duì)稱表面。然而，Si(100)襯底是Si集成電路技術(shù)的主流襯底，獲得Si(100)襯底上GaN外延薄膜對(duì)于實(shí)現(xiàn)GaN器件和Si器件的集成至關(guān)重要。但Si(100)表面原子為四重對(duì)稱，外延生長(zhǎng)時(shí)無(wú)法有效匹配；同時(shí)Si(100)表面存在二聚重構(gòu)體，導(dǎo)致GaN面內(nèi)同時(shí)存在兩種不同取向的晶疇。迄今國(guó)際上還未能實(shí)現(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)Si(100)襯底上單晶GaN薄膜的外延生長(zhǎng)。圖 Si(100)襯底上單晶GaN薄膜的外延生長(zhǎng) 沈波和楊學(xué)林課題組創(chuàng)造性地使用單晶石墨烯作為緩沖層，在Si(100)襯底上實(shí)現(xiàn)了單晶GaN薄膜的外延生長(zhǎng)，并系統(tǒng)研究了石墨烯上GaN外延的成核機(jī)理和外延機(jī)制。該突破不僅為GaN器件與Si器件的集成奠定了科學(xué)基礎(chǔ)，而且對(duì)當(dāng)前國(guó)際上關(guān)注的非晶襯底上氮化物半導(dǎo)體外延生長(zhǎng)和GaN基柔性器件研制具有重要的指導(dǎo)價(jià)值。

該項(xiàng)目針對(duì) 30CrMnMoTiA, 30CrNi3A、25Cr2Ni4WA 和 Nil9Co9Mo5 四種含銘、線合金鋼難磷 化及磷化膜耐蝕性能低的實(shí)際生產(chǎn)難題，深入研究磷化膜的形成過(guò)程和磷化機(jī)理, 探討含銘、線合金鋼難磷化的內(nèi)在原因；通過(guò)工藝優(yōu)化，開(kāi)發(fā)出了解決上面4 種合金難磷化問(wèn)題的高溫鎰系黑色磷化新技術(shù)，開(kāi)發(fā)了新工藝，應(yīng)用于某廠，建 成了年處理各類零件1200萬(wàn)件的磷化生產(chǎn)線一條，使廢品率由原來(lái)的8~10%降 低為現(xiàn)在的0.5%以內(nèi)。每年產(chǎn)生直接經(jīng)濟(jì)效益近600萬(wàn)元，節(jié)約成本150萬(wàn)元。

一、成果簡(jiǎn)介 該課題受北京市自然科學(xué)基金項(xiàng)目“植物乳桿菌素對(duì)肉源李斯特氏病原菌作用機(jī)理研究”的資助，鑒于化學(xué)防腐劑在食品防腐應(yīng)用中的不安全性，重點(diǎn)開(kāi)展了新型生物防腐劑乳酸菌細(xì)菌素產(chǎn)生菌株的篩選，活性細(xì)菌素的分離純化，細(xì)菌素及其產(chǎn)生菌株的應(yīng)用研究。二、技術(shù)指標(biāo) 從傳統(tǒng)宣威火腿中分離篩選出一株高產(chǎn)