太阳城集团亚洲娱乐城-澳门太阳城集团娱乐城最新地址_百家乐电影网_全讯网xb112 (中国)·官方网站

產品詳細介紹 　　概述： 　　1.0625Gbps至4.25Gbps單芯片集成的低功耗SFP+多速率限幅 　　放大器和VCSEL驅動器高速光收發芯片(EP110) 　　EP110為高度集成的限幅放大器和VCSEL驅動器，設計用于數據傳輸速率高達8.5Gbps的1x/2x/4x/8x光纖通道傳輸系統以及10.3125Gbps數據傳輸速率的10GBASE-SR傳輸系統。器件采用+3.3V單電源供電，這款低功耗、集成限幅放大器、VCSEL驅動器和微控制器三合一的高集成單芯片。平均光功率由平均功率控制環路(APC)控制，該控制環路通過連接至VCSEL驅動器的3線數字接口控制、所有差分I/O為50歐姆傳輸線PCB設計提供最佳的背板短接。EP110集成一個微處理器，可以實現SFF8472協議的數字監控接口要求，可通過固件實現高級Rx設置(模式選擇、LOS門限、LOS極性、CML輸出電平、信號通道極性)和Tx設置(調制電流、偏置電流、極性、眼圖交叉點調制)，無需外部微處理器和外部元件。 　　EP110采用無鉛、5mm*5mm、40引腳QFN封裝。 　　1.0625Gbps至10.32Gbps單芯片集成的低功耗SFP+多速率限幅 　　放大器和VCSEL驅動器高速光收發芯片(EP112) 　　EP112為高度集成的限幅放大器和VCSEL驅動器，設計用于數據傳輸速率高達8.5Gbps的1x/2x/4x/8x光纖通道傳輸系統以及10.3125Gbps數據傳輸速率的10GBASE-SR傳輸系統。器件采用+3.3V單電源供電，這款低功耗、集成限幅放大器、VCSEL驅動器和微控制器三合一的高集成單芯片。平均光功率由平均功率控制環路(APC)控制，該控制環路通過連接至VCSEL驅動器的3線數字接口控制、所有差分I/O為50歐姆傳輸線PCB設計提供最佳的背板短接。EP112集成一個微處理器，可以實現SFF8472協議的數字監控接口要求，可通過固件實現高級Rx設置(模式選擇、LOS門限、LOS極性、CML輸出電平、信號通道極性)和Tx設置(調制電流、偏置電流、極性、眼圖交叉點調制)，無需外部微處理器和外部元件。 　　EP112采用無鉛、5mm*5mm、40引腳QFN封裝。 　　1.0625Gbps至14Gbps單芯片集成的低功耗SFP+多速率限幅 　　放大器和VCSEL驅動器高速光收發芯片(EP116) 　　EP116是一款低功耗、集成限幅放大器、VCSEL驅動器和微控制器三合一的16G SFP+高集成高速光收發芯片,工作在高達14Gbps的數據速率、非常適合以太網和光纖通道應用。在EP116的發射和接收路徑上集成了CDR功能，解決了大多數高速系統存在的信號失真問題。平均光功率由平均功率控制環路(APC)控制，該控制環路通過連接至VCSEL驅動器的3線數字接口控制、所有差分I/O為50歐姆傳輸線PCB設計提供最佳的背板短接。EP116集成一個微處理器，可以實現SFF8472協議的數字監控接口要求，可通過固件實現高級Rx設置(模式選擇、LOS門限、LOS極性、CML輸出電平、信號通道極性、去加重)和Tx設置(調制電流、偏置電流、極性、可編程去加重、眼圖交叉點調制)，無需外部微處理器和外部元件。 　　EP116采用無鉛、6mm*6mm、48引腳QFN封裝。 　　特點： 　　3.3供電時，功耗僅為500mW 　　工作速率高達10.32Gbps 　　10.32Gbps下，具有5mVp-p接收靈敏度 　　Rx和Tx極性選擇 　　可調節觸發LOS報警電平 　　LOS極性選擇 　　能夠向100歐姆差分負載提供高達12mA的調制電流 　　偏置電流高達19mA 　　Rx輸出可選擇去加重 　　支持SPI EEPROM和IIC EEPROM 　　可調節調制輸出的眼圖交叉點 　　工作溫度: -40度 到 90度

高校科技成果盡在科轉云

金屬電弧噴涂快速制模技術是一種基于電弧噴涂、快速原形、機器人控制和材料科學的模具制造工藝。它通過電弧噴涂工藝制造模具的金屬型殼，通過材料累加原理制造出具有材料梯度、功能梯度結構的模具，是一種近凈成形的模具制造技術。該技術可用于制作金屬沖壓模具、熱壓成型模具以及塑料模具等。目前已經在飛機、汽車、拖拉機、家電、塑料、制鞋等行業中成功應用，特別適用于為新產品開發、試制以及小批量生產提供快速、低成本模具的場合，屬于極具發展潛力的一種模具制造新技術。

金屬電弧噴涂快速制模技術是一種基于電弧噴涂、快速原形、機器人控制和材料科學的模具制造工藝。它通過電弧噴涂工藝制造模具的金屬型殼，通過材料累加原理制造出具有材料梯度、功能梯度結構的模具，是一種近凈成形的模具制造技術。 

主要技術指標：防滲墻深度： 20m；防滲墻壁厚： 10～25 cm；質量要求：墻體骨料為水泥砂漿， 摻入適量粉煤灰； 墻體抗壓強度 ≥3.0mpa； 滲透系數 ≦ A×10-6cm/s。

 蘇州蘇模儀器有限公司成立于2005年，公司集科研、生產、經營為一體，主要生產人體解剖模型、組織胚胎模型、護理模型、口腔教學模型；人體解剖標本、陳列標本、鑄型、透明標本、塑化標本、病理標本、斷面標本；組織切片、病理切片、口腔切片等，是教學設備行業內的知名企業，公司擁有模型和標本、切片制造設備和技術，采用符合國際環保標準的專用原材料，公司的員工和技術人員等具有30多年的人體解剖模型、標本、切片等方面的工作經驗，公司憑借技術開發能力和高質量的售后服務團隊，在全國高等院校內推廣蘇模產品，公司通過權威的國際ISO9001-2008和ISO14001：2004認證，產品遠銷英美德法的等國家。

針對生化芯片加工新技術,根據生化樣品特征，按照整體、高效設計，制備 出生化芯片，具有適應面廣、直觀，無創，高效等優點，在生物醫學、食品安全 生化芯片加工等方面都具有廣泛的應用前景。

成果介紹人體器官芯片的成功研發將有力推動我國生物醫療用芯片制造技術的發展，建立全新的生命科學實驗方法；能夠有效減少新藥研發等對動物和臨床實驗的依賴，加速新藥研發的流程并減少研發投入技術創新點及參數微縮人工器官，以實現對人體器官功能的模擬。器官芯片高內涵裝置的設計和制造，開發了標準芯片系統及器官特異性生物材料市場前景疾病模型，藥物評估，個性化醫療。

一、領航一號 JFM7101 基帶處理集成電路采用 SOC 設計,支持 10 路獨立接收通道和 1 路發送通道,內部集成高性能 16 位數字信號處理器,支持多種通信接口,可實現北斗一代衛星 信號的接收與發送、出入站協議處理及接口通信等功能; 二、領航二號 JFM7201 基帶處理集成電路 支持北斗二號B3、B1頻點/GPS-L1頻點信號的捕獲跟

GaN系列材料具有低的熱產生率和高擊穿電場，是制作大功率電子器件的重要材料。利用GaN材料制造的功率管擁有承受大電流、耐高壓、抗輻射，耐高溫而且開關速度快的特點，非常適用于高功率微波器件。隨著5G毫米波通信、工業4.0和新一代雷達的發展，這種功率微波器件將會得到更廣泛的應用。但是，對于這種半導體器件的負載開關驅動提出了非常高的要求。要求負載開關驅動封裝尺寸小，便于大陣列集成。并且對可靠行的要求也極高。智能功率集成電路（Smart Power Inte