太阳城集团亚洲娱乐城-澳门太阳城集团娱乐城最新地址_百家乐电影网_全讯网xb112 (中国)·官方网站

產(chǎn)品詳細(xì)介紹 　　概述： 　　1.0625Gbps至4.25Gbps單芯片集成的低功耗SFP+多速率限幅 　　放大器和VCSEL驅(qū)動器高速光收發(fā)芯片(EP110) 　　EP110為高度集成的限幅放大器和VCSEL驅(qū)動器，設(shè)計(jì)用于數(shù)據(jù)傳輸速率高達(dá)8.5Gbps的1x/2x/4x/8x光纖通道傳輸系統(tǒng)以及10.3125Gbps數(shù)據(jù)傳輸速率的10GBASE-SR傳輸系統(tǒng)。器件采用+3.3V單電源供電，這款低功耗、集成限幅放大器、VCSEL驅(qū)動器和微控制器三合一的高集成單芯片。平均光功率由平均功率控制環(huán)路(APC)控制，該控制環(huán)路通過連接至VCSEL驅(qū)動器的3線數(shù)字接口控制、所有差分I/O為50歐姆傳輸線PCB設(shè)計(jì)提供最佳的背板短接。EP110集成一個微處理器，可以實(shí)現(xiàn)SFF8472協(xié)議的數(shù)字監(jiān)控接口要求，可通過固件實(shí)現(xiàn)高級Rx設(shè)置(模式選擇、LOS門限、LOS極性、CML輸出電平、信號通道極性)和Tx設(shè)置(調(diào)制電流、偏置電流、極性、眼圖交叉點(diǎn)調(diào)制)，無需外部微處理器和外部元件。 　　EP110采用無鉛、5mm*5mm、40引腳QFN封裝。 　　1.0625Gbps至10.32Gbps單芯片集成的低功耗SFP+多速率限幅 　　放大器和VCSEL驅(qū)動器高速光收發(fā)芯片(EP112) 　　EP112為高度集成的限幅放大器和VCSEL驅(qū)動器，設(shè)計(jì)用于數(shù)據(jù)傳輸速率高達(dá)8.5Gbps的1x/2x/4x/8x光纖通道傳輸系統(tǒng)以及10.3125Gbps數(shù)據(jù)傳輸速率的10GBASE-SR傳輸系統(tǒng)。器件采用+3.3V單電源供電，這款低功耗、集成限幅放大器、VCSEL驅(qū)動器和微控制器三合一的高集成單芯片。平均光功率由平均功率控制環(huán)路(APC)控制，該控制環(huán)路通過連接至VCSEL驅(qū)動器的3線數(shù)字接口控制、所有差分I/O為50歐姆傳輸線PCB設(shè)計(jì)提供最佳的背板短接。EP112集成一個微處理器，可以實(shí)現(xiàn)SFF8472協(xié)議的數(shù)字監(jiān)控接口要求，可通過固件實(shí)現(xiàn)高級Rx設(shè)置(模式選擇、LOS門限、LOS極性、CML輸出電平、信號通道極性)和Tx設(shè)置(調(diào)制電流、偏置電流、極性、眼圖交叉點(diǎn)調(diào)制)，無需外部微處理器和外部元件。 　　EP112采用無鉛、5mm*5mm、40引腳QFN封裝。 　　1.0625Gbps至14Gbps單芯片集成的低功耗SFP+多速率限幅 　　放大器和VCSEL驅(qū)動器高速光收發(fā)芯片(EP116) 　　EP116是一款低功耗、集成限幅放大器、VCSEL驅(qū)動器和微控制器三合一的16G SFP+高集成高速光收發(fā)芯片,工作在高達(dá)14Gbps的數(shù)據(jù)速率、非常適合以太網(wǎng)和光纖通道應(yīng)用。在EP116的發(fā)射和接收路徑上集成了CDR功能，解決了大多數(shù)高速系統(tǒng)存在的信號失真問題。平均光功率由平均功率控制環(huán)路(APC)控制，該控制環(huán)路通過連接至VCSEL驅(qū)動器的3線數(shù)字接口控制、所有差分I/O為50歐姆傳輸線PCB設(shè)計(jì)提供最佳的背板短接。EP116集成一個微處理器，可以實(shí)現(xiàn)SFF8472協(xié)議的數(shù)字監(jiān)控接口要求，可通過固件實(shí)現(xiàn)高級Rx設(shè)置(模式選擇、LOS門限、LOS極性、CML輸出電平、信號通道極性、去加重)和Tx設(shè)置(調(diào)制電流、偏置電流、極性、可編程去加重、眼圖交叉點(diǎn)調(diào)制)，無需外部微處理器和外部元件。 　　EP116采用無鉛、6mm*6mm、48引腳QFN封裝。 　　特點(diǎn)： 　　3.3供電時，功耗僅為500mW 　　工作速率高達(dá)10.32Gbps 　　10.32Gbps下，具有5mVp-p接收靈敏度 　　Rx和Tx極性選擇 　　可調(diào)節(jié)觸發(fā)LOS報(bào)警電平 　　LOS極性選擇 　　能夠向100歐姆差分負(fù)載提供高達(dá)12mA的調(diào)制電流 　　偏置電流高達(dá)19mA 　　Rx輸出可選擇去加重 　　支持SPI EEPROM和IIC EEPROM 　　可調(diào)節(jié)調(diào)制輸出的眼圖交叉點(diǎn) 　　工作溫度: -40度 到 90度

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金屬電弧噴涂快速制模技術(shù)是一種基于電弧噴涂、快速原形、機(jī)器人控制和材料科學(xué)的模具制造工藝。它通過電弧噴涂工藝制造模具的金屬型殼，通過材料累加原理制造出具有材料梯度、功能梯度結(jié)構(gòu)的模具，是一種近凈成形的模具制造技術(shù)。該技術(shù)可用于制作金屬沖壓模具、熱壓成型模具以及塑料模具等。目前已經(jīng)在飛機(jī)、汽車、拖拉機(jī)、家電、塑料、制鞋等行業(yè)中成功應(yīng)用，特別適用于為新產(chǎn)品開發(fā)、試制以及小批量生產(chǎn)提供快速、低成本模具的場合，屬于極具發(fā)展?jié)摿Φ囊环N模具制造新技術(shù)。

金屬電弧噴涂快速制模技術(shù)是一種基于電弧噴涂、快速原形、機(jī)器人控制和材料科學(xué)的模具制造工藝。它通過電弧噴涂工藝制造模具的金屬型殼，通過材料累加原理制造出具有材料梯度、功能梯度結(jié)構(gòu)的模具，是一種近凈成形的模具制造技術(shù)。 

主要技術(shù)指標(biāo)：防滲墻深度： 20m；防滲墻壁厚： 10～25 cm；質(zhì)量要求：墻體骨料為水泥砂漿， 摻入適量粉煤灰； 墻體抗壓強(qiáng)度 ≥3.0mpa； 滲透系數(shù) ≦ A×10-6cm/s。

 蘇州蘇模儀器有限公司成立于2005年，公司集科研、生產(chǎn)、經(jīng)營為一體，主要生產(chǎn)人體解剖模型、組織胚胎模型、護(hù)理模型、口腔教學(xué)模型；人體解剖標(biāo)本、陳列標(biāo)本、鑄型、透明標(biāo)本、塑化標(biāo)本、病理標(biāo)本、斷面標(biāo)本；組織切片、病理切片、口腔切片等，是教學(xué)設(shè)備行業(yè)內(nèi)的知名企業(yè)，公司擁有模型和標(biāo)本、切片制造設(shè)備和技術(shù)，采用符合國際環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)的專用原材料，公司的員工和技術(shù)人員等具有30多年的人體解剖模型、標(biāo)本、切片等方面的工作經(jīng)驗(yàn)，公司憑借技術(shù)開發(fā)能力和高質(zhì)量的售后服務(wù)團(tuán)隊(duì)，在全國高等院校內(nèi)推廣蘇模產(chǎn)品，公司通過權(quán)威的國際ISO9001-2008和ISO14001：2004認(rèn)證，產(chǎn)品遠(yuǎn)銷英美德法的等國家。

針對生化芯片加工新技術(shù),根據(jù)生化樣品特征，按照整體、高效設(shè)計(jì)，制備 出生化芯片，具有適應(yīng)面廣、直觀，無創(chuàng)，高效等優(yōu)點(diǎn)，在生物醫(yī)學(xué)、食品安全 生化芯片加工等方面都具有廣泛的應(yīng)用前景。

成果介紹人體器官芯片的成功研發(fā)將有力推動我國生物醫(yī)療用芯片制造技術(shù)的發(fā)展，建立全新的生命科學(xué)實(shí)驗(yàn)方法；能夠有效減少新藥研發(fā)等對動物和臨床實(shí)驗(yàn)的依賴，加速新藥研發(fā)的流程并減少研發(fā)投入技術(shù)創(chuàng)新點(diǎn)及參數(shù)微縮人工器官，以實(shí)現(xiàn)對人體器官功能的模擬。器官芯片高內(nèi)涵裝置的設(shè)計(jì)和制造，開發(fā)了標(biāo)準(zhǔn)芯片系統(tǒng)及器官特異性生物材料市場前景疾病模型，藥物評估，個性化醫(yī)療。

一、領(lǐng)航一號 JFM7101 基帶處理集成電路采用 SOC 設(shè)計(jì),支持 10 路獨(dú)立接收通道和 1 路發(fā)送通道,內(nèi)部集成高性能 16 位數(shù)字信號處理器,支持多種通信接口,可實(shí)現(xiàn)北斗一代衛(wèi)星 信號的接收與發(fā)送、出入站協(xié)議處理及接口通信等功能; 二、領(lǐng)航二號 JFM7201 基帶處理集成電路 支持北斗二號B3、B1頻點(diǎn)/GPS-L1頻點(diǎn)信號的捕獲跟

GaN系列材料具有低的熱產(chǎn)生率和高擊穿電場，是制作大功率電子器件的重要材料。利用GaN材料制造的功率管擁有承受大電流、耐高壓、抗輻射，耐高溫而且開關(guān)速度快的特點(diǎn)，非常適用于高功率微波器件。隨著5G毫米波通信、工業(yè)4.0和新一代雷達(dá)的發(fā)展，這種功率微波器件將會得到更廣泛的應(yīng)用。但是，對于這種半導(dǎo)體器件的負(fù)載開關(guān)驅(qū)動提出了非常高的要求。要求負(fù)載開關(guān)驅(qū)動封裝尺寸小，便于大陣列集成。并且對可靠行的要求也極高。智能功率集成電路（Smart Power Inte