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【第57屆高博會系列報道之二十一】第三屆“一帶一路”國家教育論壇在西安舉辦
8月5日，由中國高等教育學會主辦，中國高等教育學會“一帶一路”研究分會、云南大學、清華大學、北京大學、復旦大學、浙江大學、四川大學、陜西師范大學等共同承辦的第三屆“一帶一路”國家教育論壇在陜西西安舉辦。
中國高等教育學會
2022-08-17
關于舉辦2022年第六屆全國大學生集成電路創新創業大賽的通知
“全國大學生集成電路創新創業大賽”以服務產業發展需求為導向，以提升我國集成電路產業人才培養質量為目標，打造產學研用協同創新平臺，將行業發展需求融入教學過程，提升在校大學生創新實踐能力、工程素質以及團隊協作精神，助力我國集成電路產業健康快速發展。
工業和信息化部人才交流中心
2022-01-10
第二屆科創中國·高等學校技術交易大會集成電路產業分論壇在重慶舉辦
4月9日，以“芯”成果·新生態|集成電路產業發展現狀及趨勢”為主題的第二屆科創中國·高等學校技術交易大會集成電路產業分論壇在重慶召開。
云上高博會
2023-04-10
清華大學集成電路學院錢鶴、吳華強團隊提出基于旋轉神經元的新型儲備池計算硬件架構
隨著摩爾定律的放緩，基于硅晶體管和馮諾依曼架構的傳統計算硬件系統在人工智能時代面臨嚴峻的性能瓶頸。受大腦啟發，基于新原理器件的類腦計算致力于充分挖掘電子器件自身的物理屬性作為計算資源，從而在硬件層面高效實現各種人工神經網絡。
清華大學
2022-04-08
關于開展2023年長江經濟帶科技資源e路行系列活動（江西專場）暨大型科研儀器開放共享機制創新發展研討會的通知
為全面貫徹落實黨的二十大精神，持續推進科研儀器等科技資源開放共享，優化配置創新資源，提升科技資源使用效率效能，更好地服務科技創新，促進相關產業高質量發展，茲定于2023年7月24日在江西南昌開展2023年長江經濟帶科技資源e路行系列活動（江西專場）暨大型科研儀器開放共享機制創新發展研討會。
江西省科技廳
2023-07-20
中國海洋大學集成電路多功能實驗基礎平臺、電子學院教學終端等設備采購項目公開招標公告
中國海洋大學集成電路多功能實驗基礎平臺、電子學院教學終端等設備采購項目招標項目的潛在投標人應在青島市市北區敦化路138號甲西王大廈24樓23A01室或者郵件報名獲取招標文件，并于2022年06月23日14點00分（北京時間）前遞交投標文件。
中國海洋大學
2022-06-01
【子民好好說】在第二屆科創中國·高等學校技術交易大會-集成電路產業分論壇上的致辭
集成電路產業是信息化時代的基礎，是國家戰略性新興產業的重要組成部分。近年來，重慶市高度重視集成電路產業的發展，頒布實施了多項行動方案促進集成電路的發展，并在全國率先建立了以政府為主導、企業為主體、市場為導向、多元化投資參與的集成電路產業發展機制。
云上高博會
2023-04-11
【成電重研院】第二屆科創中國·高等學校技術交易大會集成電路產業分論壇在重慶舉辦
4月9日，以“芯”成果·新生態|集成電路產業發展現狀及趨勢”為主題的第二屆科創中國·高等學校技術交易大會集成電路產業分論壇在重慶召開。論壇由中國科協和重慶市人民政府指導，中國高等教育學會、中國科協科學技術創新部、重慶市教育委員會、重慶市科技局、中國科學技術出版社共同主辦，電子科技大學承辦，電子科技大學重慶微電子產業技術研究院、成都市電子學會協辦。
云上高博會
2023-04-11
南京大學現代工學院徐飛、郝玉峰教授成功制成透明探測模塊串行集成--超薄的光纖偏振態分析儀
南京大學現代工學院徐飛教授、郝玉峰教授、陳燁副研究員、陸延青教授團隊和物理學院詹鵬教授，聯合中國科技大學石孟竹博士、陳仙輝院士團隊、廈門大學陳錦輝副教授和日本國家材料科學研究所Kenji Watanabe博士和Takashi Taniguchi博士團隊，將三個由二維材料組成的透明光電功能單元串行集成，成功地在人頭發絲般粗細的光纖的端面制作出了一個大小約為人類頭發橫截面的 1/100，厚度為100 nm級的光偏振傳感器，能夠實現快速、準確、高效地檢測光的多種偏振態。
南京大學
2022-06-14
南京大學余林蔚、徐駿教授課題組在柔性襯底上“激光-液滴”自加熱驅動納米線超高速生長集成新突破
在大面積柔性襯底上直接生長集成高品質晶硅納米線溝道是突破高性能柔性電子邏輯、可穿戴傳感和顯示等應用的關鍵技術難點。然而，高品質晶體溝道的獲得往往依賴高溫生長過程（>800 ℃）-- 這恰恰是柔性聚合物襯底（熔點<150 ℃）所無法承受的！為此，南京大學電子科學與工程學院余林蔚教授、徐駿教授課題組基于自主創新的平面固-液-固（IPSLS）納米線生長模式（近期工作Refs. 1-4），探索了一種全新的“激光-液滴”自聚焦局域加熱生長策略，突破了傳統環境加熱技術的限制，利用柔性聚合物襯底（聚酰亞胺，PI）和金屬銦催化劑顆粒對特定激光（808 nm）輻照的高選擇性吸收差異，實現僅在液滴/納米線生長界面附近范圍的高效局部加熱，以驅動晶硅納米線在柔性襯底上的超高速度生長：在不需要環境加熱的室溫“冷”環境下，其生長速度可以高達3.5 μm/s，比傳統加熱方式納米線生長速度提高了3個數量級。值得一提的是，即便在此高速生長過程中，IPSLS納米線的生長路徑依然可以被精確引導定位，并成功展示了豐富的線形調控能力。此外，由于納米金屬液滴具有極小的熱熔，通過調控激光照射時序，可以對納米線生長動態過程進行前所未有的精確調控（例如，對生長液滴實現瞬間“激活和冷卻”等操作），從而實現對超長納米線的精準形貌/直徑編碼。基于此技術，成功在柔性PI襯底上生長高品質納米線溝道，并制備了納米線場效應晶體管（FET）器件，其電流開關比和亞閾值擺幅分別為>104和386 mV/dec。此“激光-液滴”選擇性加熱生長策略有望推廣應用于：在各類大面積、低成本柔性襯底上的“冷”環境中，直接定位生長和集成高品質晶硅納米線陣列，為推動各種高性能柔性電子器件的規模化應用提供關鍵的材料支撐和全新的技術路線。
南京大學
2021-02-01