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本發(fā)明屬于流化床和多相流領域，特別涉及一種強化載氧體氧化再生的化學鏈燃燒空氣反應器；包括反應室、第一提升管、復合式內構件和第二提升管；所述反應室的側壁設置給料口，底部設置空氣入口；所述反應室和第一提升管之間采用第一漸縮管連接；所述第一提升管與第二提升管之間安裝有復合式內構件；所述復合式內構件包括第二漸縮管、環(huán)形內構件、導向管、支撐板和傾斜式環(huán)形內構件；解決了現有技術中提升管內載氧體徑向分布不均、氧化再生效率不高的問題，可以有效延長載氧體的停留時間，提高大粒徑載氧體的氧化再生效率，從而提高化學鏈燃燒效率。

本項目屬光、機、電、材一體化技術領域，具有多學科綜合的特點。半導體激光器具有效率高、體積小、重量輕、結構簡單、能將電能直接轉換為激光能、功率轉換效率高、便于直接調制、省電等優(yōu)點，因此應用領域日益擴大。半導體激光技術已成為一種具有巨大吸引力的新興技術并在工業(yè)中得到了廣泛的應用。高功率半導體泵浦激光器是半導體激光技術中最具發(fā)展?jié)摿Φ念I域之一。 半導體激光器最大的缺點是激光性能受溫度影響大，光束的發(fā)散角較大。封裝成本占半導體激光器組件成本的一半，封裝技術不僅直接影響泵浦激光器組件的可靠性，而且直接關系到泵浦激光器芯片的性能能否充分發(fā)揮。本項目對非致冷高功率980nm泵浦激光器的封裝技術進行了研究，整個封裝技術涉及光學、電學、熱學、機械等，精度達微米數量級。通過采用激光器芯片的倒裝貼片技術，小型化、全金屬化無膠封裝技術，最終滿足了光纖放大器對泵浦激光器小體積、高功率、低成本、高可靠性的要求。光耦合則采用透鏡光纖直接耦合，最大限度地減小耦合系統(tǒng)的元件數和相關損耗，提高了光路可靠性和易操作性。采用雙光纖光柵波長鎖定技術，提高了非致冷高功率980nm泵浦激光器的邊模抑制比和波長穩(wěn)定性。項目組通過采用這些技術，最終解決了一系列非致冷高功率980nm泵浦激光器封裝關鍵技術。 經國家光學儀器質量監(jiān)督檢測中心測試，非致冷高功率980nm泵浦激光器主要技術指標如下：    1. 管殼尺寸：12.7(mm)×7.4(mm)×5.2 (mm)    2. 工作溫度：0-70℃    3. 中心波長：980nm    4. 譜 寬：1nm    5. 閾值電流：24mA    6. 輸出功率：240mW    7. 功 耗：小于1W 本項目的研究成果，通過與相關企業(yè)開展產學研合作，經過近五年的技術研發(fā)和不斷改進，非致冷高功率980nm泵浦激光器封裝關鍵技術研究成果已成功應用于相關產品的批量生產，為企業(yè)創(chuàng)造了較好的經濟效益。在社會效益方面，填補了我國非致冷高功率半導體泵浦激光器方面的不足，對行業(yè)技術進步和產業(yè)結構優(yōu)化升級起到了積極的推動作用。 耦合封裝是對精度要求非常高的一系列工藝過程，這注定它很難實現自動化技術。因此，小型化泵浦激光器封裝技術的研究成果，特別適合在中國這樣人力成本低且技術基礎好的環(huán)境。通過對小型化980nm泵浦激光器封裝技術的研究，實現了封裝技術的源頭性創(chuàng)新，有助于向其他半導體泵浦激光器和光電器件的耦合封裝拓展。該技術在光電子器件的應用方面具有廣闊的市場潛力和廣泛的推廣應用前景，將成為形成光電子器件封裝技術產業(yè)的重要技術支撐。

本發(fā)明公開了一種集成加熱部件的微型氣敏傳感器的制作工藝，步驟為：①在基底上勻膠和光刻顯影，形成叉指形狀的光刻膠圖形； ②將基底在保護氣氛下進行熱解，形成玻碳叉指電極；③在玻碳叉指 電極上勻膠并光刻顯影；④再次熱解，得到具有氣體敏感材料和加熱 部件的叉指電極氣敏傳感器。本發(fā)明利用光刻和熱解技術先制作完成 加熱部件和氣敏部分，不需要另外加上檢測電路，以及另外旋涂敏感 材料。本工藝的特點是將氣體敏感材料部分和加熱器件集成為一體， 而且制作的工藝就是常規(guī)的光刻、熱解等工藝，相對于現有的氣敏傳 感器的加熱部件具有尺寸小，耗費能量小，制作簡單的優(yōu)點。 

本發(fā)明公開了一種測量滾動直線導軌與阻尼器間油膜厚度的裝 置，其包括機架，還包括多個支撐滾筒，多個相互平行的支撐滾筒位于機架寬度方向的棱邊上并與之平行，用于支撐其上面的滾動直線導 軌。還包括多個測量單元，其均位于導軌夾具底部，一個測量單元包 括位于導軌夾具底部的磁力座和與磁力座相固定的位移傳感器，位移 傳感器從導軌夾具底部測量滾動直線導軌與其上部阻尼器間的油膜厚 度。本發(fā)明裝置可同時測量多個位置的油膜厚度，其成本低、測量效 率高、操作簡便。

本發(fā)明公開了一種可實現固體廢棄物層遞式發(fā)酵的攪拌裝置及反應器。包括：一中心軸；一用于軸向推送物料的輸送螺旋，同心固定于該中心軸一側且從軸端向軸中間位置呈漸縮式延伸；以及若干攪拌槳葉，與輸送螺旋同軸固定于該中心軸另一側。基于該攪拌裝置，可將其設置于筒體內形成用于固體廢棄物的反應器。本發(fā)明中攪拌槳葉的布設標準為：在旋轉過程中不產生沿中心軸軸向的推送力。由此，可在反應器內形成分層發(fā)酵體系。該體系能夠大大降低新舊物料的混合率，有效控制固體物料在反應器中的停留時間，提高輸出物料的降解效率，提升最終產品質量。

本實用新型公開了一種基于釜底壓力測量的多相攪拌釜攪拌器氣泛轉速測量裝置。包括釜體以及置于釜體內的擋板、攪拌器和氣體分布器，釜體內壁設有擋板，釜體內的攪拌器經轉速測量儀和電機的輸出軸連接，電機與控制柜連接；釜體底部安裝有壓力變送器，攪拌器正下方的釜體內設有氣體分布器，空氣壓縮機依次經穩(wěn)壓閥、轉子流量計和開關閥后與氣體分布器連接，壓力變送器和數字顯示儀表連接。本實用新型裝置使得測量條件降低低，不受外界因素干擾，能適應各種惡劣的測量環(huán)境，測量誤差小，具有較好的適應性。

本實用新型公開了一種具有圖案化微結構陣列的電容式觸覺傳感器。由從上至下依次的指紋狀表面微凸起、上層電容電極基底、上層電容電極、二維正弦微凸起介電層、下層電容電極和下層電容電極基底層疊而成，指紋狀表面微凸起用于接收外部力刺激，上、下層電容電極基底作為結構支撐，上、下層電容電極上的電極極片串聯(lián)方向呈正交布置，并與二維正弦微凸起介電層三者共同構成傳感器的電容主體。本實用新型能用于解決傳感器對于多維力的高靈敏度實時檢測問題，可在對靈敏度要求高的人工假肢、手術機械手等領域應用。

 傳統(tǒng)的植物組織培養(yǎng)的方法是以瓊脂為支持物的半固體或固體培養(yǎng)。固體、半固體培養(yǎng)是一個勞動密集型技術，需要大量的手工勞動，導致生產成本居高不下。液體培養(yǎng)易于操控，適合大規(guī)模的組培生產，但是由于組培苗長期的浸泡在液體中，無法進行有效的氣體交換，組培苗玻璃化情況嚴重、抗逆性較差，栽培死亡率高，也增加了生產成本。隨著植物組織培養(yǎng)產業(yè)日益興盛，傳統(tǒng)的固體、半固體培養(yǎng)及液體培養(yǎng)模式已經滿足不了產業(yè)的需求。新型生物反應器采用間歇浸沒培養(yǎng)模式和自動化控制技術，并以半夏等藥用植物為材料進行試驗，優(yōu)化該裝置的浸沒頻率等參數，實現了高通量植物種苗的工廠化擴繁。與傳統(tǒng)的培養(yǎng)模式作比較，無論在培養(yǎng)周期、種苗質量上均較優(yōu)。由于通量大，在育種上的應用節(jié)省了時間和人力、物力，效率大大提高，達到產業(yè)化應用水平。項目技術優(yōu)勢間歇浸沒培養(yǎng)系統(tǒng)結合了固體培養(yǎng)（最大化氣體交換）和液體培養(yǎng)（營養(yǎng)充分的吸收）的優(yōu)點，在很多種植物幼苗和體細胞胚體的培養(yǎng)中占有一定的優(yōu)勢，植物的長勢情況和增殖率比傳統(tǒng)的固體培養(yǎng)、半固體培養(yǎng)和液體培養(yǎng)都要好，所獲得的幼苗和體細胞胚體質量高，更能很好的適應環(huán)境，移栽成活率較高。間歇浸沒培養(yǎng)模式采用程序控制，自動化程度高，大大的減少了勞動力的消耗，生產成本和傳統(tǒng)的模式相比大幅度的降低，在商業(yè)化生產上占有很大的優(yōu)勢。①.減少甚至避免玻璃化 實驗證明，增加通風和植物材料間歇的接觸液體培養(yǎng)基是降低玻璃化的有效方法，而間歇浸沒培養(yǎng)系統(tǒng)正好具備這兩個特征。②.組培苗環(huán)境適應性強 利用傳統(tǒng)的培養(yǎng)方式獲得的組培苗，對環(huán)境適應能力較弱，在煉苗階段由于環(huán)境變化較大，一般成活率較低。但間歇浸沒系統(tǒng)獲得的植物由于在培養(yǎng)時就進行了外界空氣的鍛煉，因此，絕大多數能夠成功的適應環(huán)境，煉苗成活率較高。

本發(fā)明的固支梁Ｔ型結間接加熱在線式未知頻率微波相位檢測器由六端口固支梁耦合器，通道選擇開關，微波頻率檢測器，微波相位檢測器級聯(lián)構成；六端口固支梁耦合器由共面波導，介質層，空氣層和固支梁構成，兩個固支梁之間的共面波導長度為λ／４；六端口固支梁耦合器的第一端口到第三端口、第四端口以及第一端口到第五端口、第五端口的耦合度分別相同，待測信號經第一端口輸入，由第二端口輸出下級處理電路，由第四端口和第六端口輸出微波相位檢測器，由第三端口和第五端口輸出通道選擇開關；通道選擇開關的第七端口和第八端口接間接加熱式微波

本發(fā)明的固支梁Ｔ型結間接加熱在線式已知頻率微波相位檢測器由六端口固支梁耦合器、微波相位檢測器和間接加熱式微波功傳感器級聯(lián)構成；六端口固支梁耦合器由共面波導，介質層，空氣層和固支梁構成；共面波導制作在ＳｉＯ２層上，固支梁的下方沉積介質層，并與空氣層共同構成耦合電容結構，兩個固支梁之間的共面波導長度為λ／４；六端口固支梁耦合器的第一端口到第三端口、第四及到第一端口到第五端口、第六端口的功率耦合度相同，待測信號經六端口固支梁耦合器的第一端口輸入，由第三端口和第五端口輸出到間接加熱式微波功率傳感器，由第四端