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在軟基底上制造定向碳納米管膜方法
研究背景 ：現(xiàn)有的碳納米管膜有兩種形式。 一種是在石英、 硅基底（即 所謂的硬基底）上直接沉積出具有定向排列的碳納米管膜。另一種是與聚 合物復(fù)合成復(fù)合薄膜，這種復(fù)合薄膜中的碳納米管的定向是隨機(jī)分布，采 用切片方式，可以使一部分碳納米管從薄膜中露出。第一種膜好，但是制 造出的碳納米管膜是硬的襯底，從而限制了它的應(yīng)用范圍。第二種膜雖然 應(yīng)用方便，但它的位向是隨機(jī)分布，碳納米管的均勻分散不均勻，將會(huì)大 大地影響碳納米管的使
南昌大學(xué)
2021-04-14
帶臺(tái)階槽型換向器整體冷鍛制造方法
工藝流程 ：換向器現(xiàn)行制造工藝過(guò)程是： 線材 —拉拔 —退火—拉絲（4 道次） —沖壓切斷成單片 —去毛刺（甩桶） —烘干—排片（換向片與云母 片交錯(cuò)嵌排，排成圓環(huán)狀并箍緊） —壓制酚醛樹(shù)脂并固化 —切削加工 —嵌 漆包線等 —換向器產(chǎn)品。 新工藝為管材切斷 —冷鍛 —壓制酚醛樹(shù)脂及后續(xù)工序同原工藝。 效益情況 ：年產(chǎn)量 500 萬(wàn)只；銷售收入 4000 萬(wàn)元。
南昌大學(xué)
2021-04-14
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無(wú)醛生物質(zhì)膠黏劑制造與應(yīng)用技術(shù)
項(xiàng)目成果/簡(jiǎn)介: 項(xiàng)目采用豆粕、棉粕等植物蛋白為主要原料，開(kāi)發(fā)出蛋白質(zhì)活化、降粘、增強(qiáng)及快速固化等技術(shù)，創(chuàng)新植物蛋白膠黏劑施膠設(shè)備，解決了蛋白膠黏劑工業(yè)化應(yīng)用的一系列難題,獲國(guó)家發(fā)明專利12項(xiàng)。 黏劑產(chǎn)品具有涂布性能好、預(yù)壓性好、固化溫度低（110-120℃）固化速度快、耐水膠合強(qiáng)度高、成本低等優(yōu)點(diǎn)，可用于單板類人造板生產(chǎn)。人造板產(chǎn)品力學(xué)性
北京林業(yè)大學(xué)
2021-01-12
人才需求：專項(xiàng)化學(xué)品制造相關(guān)專業(yè)、領(lǐng)域人才
專項(xiàng)化學(xué)品制造相關(guān)專業(yè)、領(lǐng)域人才
山東三牧新材料科技有限公司
2021-09-08
人才需求：焊接、機(jī)械制造、自動(dòng)化、化工工藝
焊接專業(yè)人才
機(jī)械制造專業(yè)人才
自動(dòng)化專業(yè)人才
化工工藝專業(yè)
蓬萊祿昊化工機(jī)械有限公司
2021-06-18
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新型密封材料及裝備的設(shè)計(jì)制造與性能表征
新型無(wú)石棉短纖維增強(qiáng)橡膠基密封復(fù)合材料制備技術(shù)：本項(xiàng)目制備開(kāi)發(fā)的短纖維增強(qiáng)NAFC材料具有耐高溫（300攝氏度）、低蠕變、高強(qiáng)度、低成本的特點(diǎn)，且其制備工藝單，基本沿用了傳統(tǒng)CAF材料的生產(chǎn)設(shè)備，產(chǎn)品技術(shù)指標(biāo)完全滿足國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)對(duì)NAFC材料性能的要求，且某些指標(biāo)已經(jīng)超過(guò)了國(guó)外同類進(jìn)口產(chǎn)品。
非石棉密封復(fù)合材料生產(chǎn)技術(shù)：本項(xiàng)目所開(kāi)發(fā)產(chǎn)品的技術(shù)指標(biāo)包括壓縮回彈率、泄漏率、應(yīng)力松弛率、外觀質(zhì)量等均符合國(guó)標(biāo)規(guī)定的要求，其使用性能達(dá)到甚至超過(guò)國(guó)外知名企業(yè)同類產(chǎn)品的性能指標(biāo)，可替代國(guó)外進(jìn)口產(chǎn)品。
密封件及其防松弛元件生產(chǎn)技術(shù)及裝備：項(xiàng)目團(tuán)隊(duì)已開(kāi)發(fā)出密封元件分級(jí)制造新技術(shù)以及工藝參數(shù)可控制的國(guó)內(nèi)最先進(jìn)的靜密封件生產(chǎn)裝備，包括新型纏繞機(jī)、金屬包復(fù)墊滾壓成型機(jī)、石墨復(fù)合墊剪圓及包邊機(jī)等。采用上述技術(shù)和裝備可生產(chǎn)出滿足不同工況條件的高質(zhì)量靜密封產(chǎn)品。此外,項(xiàng)目團(tuán)隊(duì)開(kāi)發(fā)了高溫連接用防松弛技術(shù)及其相應(yīng)的元件，可提供成熟的產(chǎn)品設(shè)計(jì)和制造技術(shù)。
南京工業(yè)大學(xué)
2021-01-12
螺栓法蘭密封接頭用高溫碟簧設(shè)計(jì)與制造技術(shù)
碟簧作為一種彈性補(bǔ)償元件，被引入螺栓法蘭連接系統(tǒng)，可有效地解決因諸多因素引起的法蘭接頭的螺栓預(yù)緊力松弛問(wèn)題。當(dāng)螺栓擰緊時(shí)，碟簧吸收機(jī)械能并將其轉(zhuǎn)化成彈性勢(shì)能儲(chǔ)存起來(lái)，當(dāng)法蘭接頭由于溫度變化、壓力波動(dòng)、機(jī)械振動(dòng)或自身各元件的蠕變導(dǎo)致螺栓預(yù)緊力或螺栓力松弛時(shí)，碟簧將釋放其儲(chǔ)存的彈性勢(shì)能轉(zhuǎn)化成機(jī)械能，對(duì)螺栓預(yù)緊力或螺栓力進(jìn)行補(bǔ)償，從而使螺栓力始終保持在墊片密封所需要的區(qū)間范圍內(nèi)，保證法蘭接頭長(zhǎng)周期緊密不漏。本成果基于PVRC泄漏緊密性等級(jí)，考慮法蘭、螺栓、墊片及碟簧的變形協(xié)調(diào)，對(duì)碟簧結(jié)構(gòu)進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì)，并通過(guò)材料、加工及熱處理工藝的深入研究，為石化、煉油、電力、核能、冶金等領(lǐng)域的高溫高壓或溫度壓力波動(dòng)的螺栓法蘭接頭提供高品質(zhì)的密封輔助元件。
南京工業(yè)大學(xué)
2021-01-12
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微生物轉(zhuǎn)化制造 L-瓜氨酸的方法
利用自主篩選、鑒定和保藏的一株產(chǎn)精氨酸脫亞氨基酶（ADI）的惡臭假單胞菌 CGMCC1347，通過(guò)發(fā)酵培養(yǎng)其微生物細(xì)胞，用于轉(zhuǎn)化精氨酸生成 L-瓜氨酸，用 5L 發(fā)酵罐發(fā)酵 20 小時(shí)產(chǎn)酶活力達(dá)到 2.17U/mL。采用卡拉膠等凝膠包埋固定化細(xì)胞反復(fù)分批轉(zhuǎn)化 10 次，酶活力不減。用固定化細(xì)胞固定床反應(yīng)器進(jìn)行連續(xù)轉(zhuǎn)化，連續(xù) 30 天以上，連續(xù) 30 天 mol 轉(zhuǎn)化率穩(wěn)定在 90-99％，30 天平均稀釋速率 D=0.0735 h-1，固定床反應(yīng)器生產(chǎn)效率平均 6.34 g L-1 h-1，固定化細(xì)胞生產(chǎn)能力 0.0108 g h-1 g -1。本技術(shù)的特點(diǎn)是高產(chǎn)精氨酸脫亞氨基酶（ADI）的惡臭假單胞菌菌株能高效轉(zhuǎn)化精氨酸生成 L-瓜氨酸，對(duì)底物總摩爾轉(zhuǎn)化率高，轉(zhuǎn)化后的產(chǎn)物純度高，作為生物催化劑的微生物細(xì)胞易于培養(yǎng)且安全無(wú)毒，生物轉(zhuǎn)化反應(yīng)條件溫和，環(huán)境友好。固定化細(xì)胞可反復(fù)利用多次，或裝柱連續(xù)轉(zhuǎn)化。
江南大學(xué)
2021-04-11
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一種單分散氧化鎵粉體及其高密度陶瓷靶材的制備方法
一種單分散氧化鎵粉體及其高密度陶瓷靶材的制備方法 發(fā)明專利/實(shí)用新型/：發(fā)明授權(quán) 簡(jiǎn)介：本發(fā)明公開(kāi)了一種單分散氧化鎵粉體及其高密度陶瓷靶材的制 備方法，其將純度為 99.99％以上的金屬鎵原料溶解于酸中，配制澄清 的鎵鹽溶液，加入沉淀劑產(chǎn)生沉淀物，將獲得的沉淀經(jīng)洗滌、過(guò)濾、 干燥、煅燒制成單分散超細(xì)氧化鎵粉體；用合成的單分散氧化鎵粉體 作為原料，經(jīng)模壓成型和冷等靜壓強(qiáng)化獲得氧化鎵生坯，將生坯放在 高溫爐
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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高穩(wěn)定金屬膜電阻器用磁控濺射中高阻靶材及制備技術(shù)
成果與項(xiàng)目的背景及主要用途：
Cr-Si 中高阻膜電阻器具有精度高、噪聲低、溫度系數(shù)小、耐熱性和穩(wěn)定性好等優(yōu)點(diǎn)，在精密電子設(shè)備和混合集成電路中大量采用。對(duì)于濺射制備電阻膜來(lái)說(shuō)，靶材是至關(guān)重要的，它制約著金屬膜電阻器的電阻率、精度、可靠性、電阻溫度系數(shù)（Temperature Coefficient of Resistance, TCR）等性能。電阻溫度系數(shù)(TCR)是金屬膜電阻器的一個(gè)重要性能技術(shù)指標(biāo)之一，較大的 TCR 在溫度變化時(shí)會(huì)造成電阻值漂移，從而影響電阻器的精度和穩(wěn)定性。目前國(guó)內(nèi)外生產(chǎn)的金屬膜電阻器用高阻靶材，其性能不能滿足低 TCR（≤25ppm/℃）要求。
技術(shù)原理與工藝流程簡(jiǎn)介： 靶材煉制工藝如下圖所示所制備的靶材(382 mm ×128 mm ×14 mm)在濺射成電阻器薄膜后, 電阻溫度系數(shù)小(≤25 ×10-6 / ℃), 電阻值高(要求不刻槽數(shù)量級(jí)為千歐, 刻槽后數(shù)量級(jí)為兆歐)且穩(wěn)定(隨時(shí)間變化小), 因此, 在本靶材研究中, 將選擇 Cr 、Si 作為高阻靶材的主體材料。由于 C r 、Si 熔點(diǎn)高, 原子移動(dòng)性低, 因此由其所組成的薄膜穩(wěn)定性高。通過(guò)在金屬 C r 中引入半導(dǎo)體材料 Si 來(lái)提高電阻器合金膜的阻值。C r 是很好的吸收氣體的金屬元素, 在電阻器薄膜濺射過(guò)程中, 可通過(guò)通入微量的氧來(lái)提高薄膜的電阻率, 同時(shí)調(diào)節(jié)電阻溫度系數(shù)。技術(shù)指標(biāo)如下：溫度沖擊實(shí)驗(yàn)后 ΔR/R ≤±0 .5 %, 過(guò)載實(shí)驗(yàn)后 ΔR/R ≤±0 .5 %, 壽命實(shí)驗(yàn)后ΔR/R ≤±1 .0 %,電阻溫度系數(shù) TCR ≤±20 ×10-6 / ℃。
應(yīng)用領(lǐng)域：
集成電路、電子元器件
合作方式及條件：具體面議
天津大學(xué)
2021-04-11