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磁隨機存儲器芯片（STT-MRAM）器件
已有樣品/nSTT-MRAM 是一種極具應用潛力的下一代新型存儲器解決方案。由于采用了大量的新材料、新結構，加工制備難度極大。當前，美韓日三國在該項技術上全面領先，很有可能在繼硬盤、DRAM 及閃存等存儲芯片之后再次實現對我國100%的壟斷。微電子所集成電路先導工藝研發中心研究員趙超與北京航空航天大學教授趙巍勝的聯合團隊通過3 年的艱苦攻關，在STT-MRAM 關鍵工藝技術研究上實現了重要突破，在國內首次采用可兼容CMOS 工藝成
中國科學院大學
2021-01-12
薄膜電致電光器件的大平面制備方法
薄膜電致發光器件作為顯示器件主要用于工業現場儀表顯示、車站、機場、銀行、證券交易市場、街頭廣告信息顯示，作為大平面高清晰顯示可用于各種會場、廣場高清晰電視彩像顯示，及可檢索軍用地圖、筆記本電腦及賓館等山水、立體彩色裝飾。其特點為全固體化、亮度高、壽命長、可大平面化和可裝飾表面。響應速度快，使用溫度范圍寬。由于制備方法簡單較之國內外同類產品成本低，可批量工業
西安交通大學
2021-01-12
EMI多層片式LC濾波器材料和器件
內容介紹： 本項目通過通過研究EMI多層片式LC濾波器的制造技術，攻克了材料 的低溫燒結技術、器件的獨石化流延工藝技術、異種材料的疊層共燒技術 和多層片式LC濾波器的結構設計技術等產業化關鍵技術難題，釆用先進 的流延成型工藝技術制備出尺寸為2Xl.2X0.8mm （0805規格）的EMI多 層片式LC濾波器，電學參數測試結果表明其各項性能參數與國外同類產 品相當，關鍵技術獲得國家專利3項，并榮獲陜西省科
西北工業大學
2021-04-14
大尺寸鈮酸鋰晶體、單晶薄膜及器件
本技術涵蓋大尺寸鈮酸鋰晶體生長工藝及裝備、晶圓制備、單晶薄膜制備及聲表面波器件，實現材料、裝備、器件協同發展。主要針對8英寸鈮酸鋰晶體、單晶薄膜及聲表面波器件進行開發研究，該技術屬于我國“卡脖子”技術，目前國際市場空白。在鈮酸鋰晶體生長方面，開發了大尺寸智能單晶生長設備及工藝，包括大尺寸鈮酸鋰晶體生長模擬仿真設計、鈮酸鋰熔體-晶體固液界面特性與控制、大尺寸鈮酸鋰晶體生長工藝開發、生長-檢測-分析-控制人工智能系統。采用離子束切片鍵合技術制備鈮酸鋰單晶薄膜，突破傳統的薄膜制備方法無法制備單晶鈮酸鋰薄膜
山東大學
2021-04-14
光纖柵陣列傳感器件及檢測技術
本項目的創新點主要是采用環形鏡解調和GSM數字移動網傳輸信號的技術。具有響應速度快、調諧范圍寬、可實時檢測、使用壽命長、抗電磁干擾能力強等優點，有重要實用意義。 光纖光柵傳感器陣列的每一個光柵反射率大于90%，線寬小于0.4nm，各光柵中心波長間隔大于1nm。 研制出寬帶光源等實驗裝置，寬帶光源輸出功率大于1mw，帶寬30nm；已成功應用于光纖光柵傳感器陣列檢測實驗。 研制出寬帶光源、高雙折射光纖環鏡濾波邊緣濾波解調系統的實驗樣機。 研制出快
南開大學
2021-04-14
虛實力融合遙操作機器人力覺臨場感實現方法
一種基于虛實力融合的遙操作機器人力覺臨場感實現方法可廣泛用于各類機器人的力控制，以及各種工程機械裝備的力控制。
東南大學
2021-04-10
防爆本安型離子感煙探測器55000-540PRC
產品詳細介紹1、55000-540PRC本安型智能離子感煙探測器一、55000-540PRC特點： 55000-540PRC本安型智能離子感煙探測器采用本質安全電路設計，低功耗并有效降低了電路板內本安型智能離子感煙探測器的儲能，使其電氣性能符合安全環境的應用標準。可編址智能離子感煙探測器，通過配合使用阿波羅生產的通信協議轉換器55000 - 855、55000 - 856及安全柵29600-098可連接到安全區域內的智能火災報警系統。 二、55000-540PRC應用： 55000-540PRC本安型智能離子感煙探測器可適用于建筑內多種危險區域，這些區域可能含有各種易燃易爆的氣體或空氣混合物。該探測器必須配合使用阿波羅生產的各種通訊協議轉換器如55000 - 855，55000 - 856及安全柵。 三、55000-540PRC工作原理： 55000-540PRC本質安全型離子感煙探測器的工作原理類似于55000 - 620。 四、55000-540PRC技術要求： 二線制有極性要求，具有獨立地址。有4級靈敏度可作高速根據不同環境及時間做出不同的設定，減低誤報率。可通過插片設置地址與其它系統部件安裝。如需連接遠程報警指示燈，需采用高效的發光二極管，最大點燈電流ImA。 五、55000-540PRC技術參數： 接線端子 Ll 正極；L2 負極；+R 遠程指示燈正極 工作電壓 直流14 - 22V;兩線制有極性 報警指示 紅色發光二極管，紅光； 靜態電流 340 u A 遠程LED報警電流 1mA 工作環境溫度 - 20℃至+40℃ (T5) - 20℃至+60℃ (T4) 等級 E Ex ia IIC T5 (T4 Ta≤60 ℃) 認證 CCCF．BASEEFA
北京贏科迅捷科技發展有限公司
2021-08-23
單分子晶體管器件研究取得重要進展
當電子器件基本單元--晶體管的尺寸進入到亞納米尺度，量子效應將越來越顯著。探索極端尺度下的晶體管器件并研究其性能和物理機理，對未來信息技術以及介觀物理學的發展具有深刻的意義。
科技部
2021-04-19
電子材料及器件低頻噪聲-可靠性測試平臺
電子材料及器件噪聲-可靠性測試平臺，該系統是國內外首套電子器件噪聲-可靠性分析系統。采用了基于虛擬儀器的微弱噪聲測試、基于噪聲的可靠性診斷方法、電子器件噪聲的子波分析方法等關鍵技術，將子波分析用于噪聲-可靠性表征，可對各種電子器件和集成電路模塊進行噪聲測試與分析、內部潛在缺陷診斷和無損預篩選。系統可以測量電子器件的各種噪聲參數，同時對噪聲進行頻譜分析、子波分析、集總參數分析。具有實時檢測、采集、和分析, 高精度、高可靠性、智能化、小體積的優點，良好的通用性和可升級性使其同時適用于科研和生產單位。
電子科技大學
2021-04-10
一種用于ESD保護的低壓觸發SCR器件
本發明公開了一種用于 ESD 保護的低壓觸發 SCR 器件。本發明創造采用第一 PMOS 和第二 PMOS 分別進行襯底觸發和柵觸發，從而降低 SCR 器件的觸發電壓。 ESD 脈沖信號施加在 Anode 和 Cathode 之間，第一 PMOS 和第二 PMOS 首先被觸發導通，第一 PMOS 開通之后，給 Nwell 施加一觸發電流，第二 PMOS 開通之后給第三 PMOS 施加一觸發電壓。第一 PMOS 施加的 Nwell 觸發電流和第三 PMOS 的溝道電流觸發晶閘管導通，晶閘管電流（ SCR current ）導通大部分 ESD 電流，從而實現了 ESD 保護。
遼寧大學
2021-04-11