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? 非損傷微測技術(shù)（Non-invasive Micro-test Technology，NMT）源于美國MBL實驗室（54位諾貝爾獎得主的搖籃），由神經(jīng)學(xué)家Lionel F. Jaffe（美國揚格公司創(chuàng)始人之一）于1974年發(fā)明，2001年，美國揚格公司正式推出現(xiàn)代NMT。NMT是一種研究活體材料的底層核心技術(shù)，研究人員基于NMT能夠建立自己獨有的Me-Only 研究平臺，從而獲得極具創(chuàng)新的研究成果。 ? NMT可在不接觸、不損傷樣品的情況下，檢測分子/離子進出生物活體的流速（流動速率和方向），可測樣品種類繁多，小到菌、單細(xì)胞、液泡，大到組織、器官、整體都可檢測?；贜MT商業(yè)化的設(shè)備統(tǒng)稱為非損傷微測系統(tǒng)。 ? 揚格/旭月的非損傷微測系統(tǒng)包含BIO系列、CONFLUX系列（共聚焦/熒光NMT）、NMT100系列、NMT200系列、NMT100S系列、NMT200S系列、NMT150系列、NMT活體工作站系列、NMT Physiolyzer?系列等，已發(fā)展至第七代自動化智能產(chǎn)品。揚格/旭月的NMT系統(tǒng)全部采用從美國揚格（旭月北京）研發(fā)中心自主研發(fā)的imFluxes智能操作軟件，將十余年的NMT應(yīng)用大數(shù)據(jù)與設(shè)備實現(xiàn)完美結(jié)合，并且在產(chǎn)品一體化、自動化、智能化、擴展升級等諸多方面都有大幅提升。 ? 揚格/旭月已取得基于NMT的數(shù)十項專利及軟件著作權(quán)，擁有完善的專利保護體系，所有產(chǎn)品全部通過中關(guān)村NMT聯(lián)盟認(rèn)證和ISO9001質(zhì)量體系認(rèn)證。揚格/旭月所銷售的NMT專用耗材，已通過中關(guān)村NMT聯(lián)盟認(rèn)證，所有耗材是揚格/旭月研發(fā)中心結(jié)合十余年的經(jīng)驗、摸索并自主研發(fā)生產(chǎn)的。NMT專用耗材較傳統(tǒng)的通用型耗材保質(zhì)期更長，性能更穩(wěn)定、可靠，所有對外銷售的耗材全部經(jīng)過嚴(yán)格的生產(chǎn)、檢驗流程。 ? 揚格/旭月的NMT研究平臺已經(jīng)幫助國內(nèi)外科研單位取得近百項各類專利，以及包含Nature、Cell在內(nèi)的500多篇論文。同時，已銷往歐洲的瑞士蘇黎世大學(xué)（擁有包括愛因斯坦在內(nèi)10余位諾貝爾獎得主），以及中國科學(xué)院、中國林科院、中國農(nóng)科院、農(nóng)業(yè)部下屬的眾多科研院所與高校，以及北大、上海交大等知名高校。 ? 美國揚格公司推出新產(chǎn)品共聚焦非損傷微測系統(tǒng)，該系統(tǒng)非損傷性地同時獲取活體樣品內(nèi)外離子分子種類、濃度、流速和運動方向的信息，是生理功能鑒定的直接手段。 測量方式和特點：活體、動態(tài)、實時、內(nèi)外兼測、長時間多維掃描與測量。 所測離子和分子：IAA、O2、H2O2、Ca2+、H+、K+、Na+、Cu2+、Pb2+、Cd2+、Cl-、NH4+、NO3-、Mg2+。 測量材料：整體、器官、組織、細(xì)胞層、單細(xì)胞、（富集）細(xì)胞器。 擁有共聚焦功能。 產(chǎn)品型號：CONFLUX-01 參數(shù)請來電咨詢：82622628 按1 營銷中心

據(jù)李榮鵬教授介紹，人類基因組中編碼功能蛋白的基因僅占基因總量的2%，其余98%的基因轉(zhuǎn)錄產(chǎn)物為非編碼RNA，過去這類RNA一直被認(rèn)為是冗余，其相關(guān)功能研究一直是空白。近年來，非編碼RNA的研究逐漸成為國際熱點，大量實驗證據(jù)證明，非編碼RNA控制著幾乎所有的細(xì)胞生理功能。李榮鵬教授的研究在國際上首次證實了母系遺傳的長鏈非編碼RNA MEG3的4號轉(zhuǎn)錄產(chǎn)物，在肺部感染免疫過程中能夠特異性表達(dá)，然后通過調(diào)節(jié)炎癥因子IL-1b的表達(dá)水平，精準(zhǔn)控制宿主的免疫反應(yīng)。在感染過程中，肺泡巨噬細(xì)胞通過降低MEG3-4的表達(dá)量，釋放出游離的小分子非編碼RNA miR-138，然后miR-138結(jié)合到細(xì)胞因子IL-1b的mRNA 5‘UTR區(qū)域，形成剪切復(fù)合體降解mRNA，以維持IL-1b在體內(nèi)的較低水平，防止過度的炎癥反應(yīng)殺傷細(xì)胞。這一結(jié)果深層次解析了MEG3-4調(diào)節(jié)宿主感染免疫的分子機制，同時也為推進MEG3-4作為RNA藥物的應(yīng)用提供了理論基礎(chǔ)。

本發(fā)明公開了一種基于塊的子圖構(gòu)建及分布式圖處理方法，其子圖構(gòu)建方法，包括圖分割、對子圖中的頂點重新貼標(biāo)簽、將區(qū)間與數(shù)據(jù)片關(guān)聯(lián)、分塊和構(gòu)建子圖的步驟；采用啟發(fā)式的、輕量級的 SGP方法進行圖分割，采用用戶定義的啟發(fā)式函數(shù)把頂點按順序指派到 P個子圖，具有性能高，邊的切割率較低的特點，并且可以兼顧子圖工作負(fù)載平衡問題；其分布式圖處理系統(tǒng)，塊分割之后，子圖之間以整個內(nèi)存塊為單位進行通信；與現(xiàn)有技術(shù)的細(xì)粒度通訊方式相比，本發(fā)

寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅(SiC)材料是第三代半導(dǎo)體的典型代表之一，具有寬帶隙、高飽和電子漂移速度、高臨界擊穿電場、高熱導(dǎo)率等突出優(yōu)點，能滿足下一代電力電子裝備對功率器件更大功率、更小體積和更惡劣條件下工作的要求，正逐步應(yīng)用于混合動力車輛、電動汽車、太陽能發(fā)電、列車牽引設(shè)備、高壓直流輸電設(shè)備以及艦艇、飛機等軍事設(shè)備的功率電子系統(tǒng)領(lǐng)域。與傳統(tǒng)硅功率器件相比，目前已實用化的SiC功率模塊可降低功耗50%以上，從而減少甚至取消冷卻系統(tǒng)，大幅度降低系統(tǒng)體積和重量，因此SiC功率器件也被譽為帶動“新能源革命”的“綠色能源”器件。 本團隊在SiC功率器件擊穿機理、SiC功率器件結(jié)終端技術(shù)、SiC新型器件結(jié)構(gòu)、器件理論研究和器件研制等方面具有豐富經(jīng)驗，能夠提供完整的大功率SiC電力電子器件的設(shè)計與研制方案。目前基于國內(nèi)工藝平臺制作出1600V/2A-2500V/1A的SiC DMOS晶體管（圖1，有源區(qū)面積0.9mm2）；4000V/30A的SiC PiN二極管（圖2）；擊穿電壓>5000V的SiC JBS二極管（圖3）。 a b c 圖1 1.6-2.5kV SiC DMOS器件：(a)晶圓照片(b)正向IV測試曲線(c)反向擊穿電壓測試曲線 a b c 圖2 4kV/30A SiC PiN器件：(a)晶圓照片(b)正向?qū)y試曲線(c)反向擊穿電壓測試曲線 a b c 圖3 5kV SiC JBS器件：(a)顯微照片(b)正向?qū)y試曲線(c)反向擊穿電壓測試曲線

本發(fā)明公開了一種基于全息波導(dǎo)的頭戴式顯示器件，該器件包括入耦合光柵（１）、左視場偏折光柵（２）、右視場偏折光柵（３）、出耦合光柵（４）、矩形波導(dǎo)（５）；入耦合光柵（１）、左視場偏折光柵（２）、右視場偏折光柵（３）、出耦合光柵（４）、貼附于矩形波導(dǎo)（５）的上表面或下表面；入耦合光柵（１）、左視場偏折光柵（２）、右視場偏折光柵（３）、出耦合光柵（４）、矩形波導(dǎo)（５）貼于上表面或下表面由出入瞳光線設(shè)計方向決定。本發(fā)明利用光瞳重塑方式解決了傳統(tǒng)二維擴瞳方式產(chǎn)生的大視場角情況下的視場分離。

傳統(tǒng)PZT壓電陶瓷應(yīng)用廣泛，但在居里溫度較低，環(huán)境溫度較高時，PZT陶瓷樣品極易退極化。隨著壓電材料的應(yīng)用范圍的進一步拓展，一些極端條件對壓電陶瓷的應(yīng)用提出了新的挑戰(zhàn)。北京大學(xué)工學(xué)院實驗室利用高居里點的鈧酸鉍-鈦酸鉛壓電陶瓷制備了基于d31模式和d33模式的應(yīng)用于高溫環(huán)境中的壓電振動能量回收器，器件可以穩(wěn)定地工作在150℃以上的高溫環(huán)境中。高溫下由于電疇被活化，器件的壓電系數(shù)和相應(yīng)的輸出功率比室溫時提高一倍以上。 與壓電能量回收器不同的是，壓電驅(qū)動器是一種利用壓電效應(yīng)，將電能轉(zhuǎn)化為機械能實現(xiàn)納米級驅(qū)動的器件，壓電驅(qū)動器利用壓電材料的準(zhǔn)靜態(tài)逆壓電效應(yīng)實現(xiàn)10微米至100微米的微小位移；同時，還可以利用壓電陶瓷的高溫諧振動效應(yīng)制備高溫壓電馬達(dá)。

本團隊在SiC功率器件擊穿機理、SiC功率器件結(jié)終端技術(shù)、SiC新型器件結(jié)構(gòu)、器件理論研究和器件研制等方面具有豐富經(jīng)驗，能夠提供完整的大功率SiC電力電子器件的設(shè)計與研制方案。

項目概況 針對小型化、集成化、高頻率和高運算速度的電子器件，應(yīng)用磁流體的熱磁對流效應(yīng)，把磁流體作為新一代高效傳熱冷卻技術(shù)用于高密度高功率電子器件設(shè)備中。 主要特點 1. 選擇合適的外加磁場和屏蔽技術(shù)。 2．溫度區(qū)內(nèi)磁場梯度條件和粒子濃度的準(zhǔn)確控制 3．磁流體微型熱管散熱過程的磁場的準(zhǔn)確定位。 技術(shù)指標(biāo)     建立適合電子器件密集環(huán)境下適用磁流體散熱技術(shù)及相應(yīng)的磁場條件和屏蔽技術(shù)，提高了磁流體在磁場、熱場和重力場協(xié)同作用下的流動傳熱效果。促進節(jié)能環(huán)保技術(shù)的發(fā)展，達(dá)到節(jié)能減排的綠色材料應(yīng)用。市場前景 目前該項目已通過現(xiàn)場的工業(yè)化證明，散熱效果好，能達(dá)到電子器件冷卻要求，滿足工業(yè)生產(chǎn)的需求，在生產(chǎn)過程中無污染，無三廢排放。該項目可應(yīng)用于高密度、高功率電子器件密集環(huán)境下的散熱設(shè)備中，具有較好的經(jīng)濟效益和社會效益。

隨著集成電路的發(fā)展，功耗問題越來越成為制約的瓶頸問題。特別是在即將到來的萬物互聯(lián)智能時代，物聯(lián)網(wǎng)、生物醫(yī)療、可穿戴設(shè)備和人工智能等新興領(lǐng)域更加追求極低功耗，尤其是極低靜態(tài)功耗。面向未來龐大的物聯(lián)網(wǎng)節(jié)點應(yīng)用的需求，極低功耗器件及其電路芯片受到越來越多的關(guān)注。受玻爾茲曼限制，傳統(tǒng)晶體管的亞閾擺幅存在理論極限，這一限制是阻礙器件功耗降低的關(guān)鍵因素，基于傳統(tǒng)CMOS晶體管的集成電路已經(jīng)無法滿足物聯(lián)網(wǎng)節(jié)點等對極低功耗的需求。 本項目基于標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝研制新型超陡擺幅隧穿器件，并進一步研發(fā)具有極低功耗的物聯(lián)網(wǎng)節(jié)點芯片。新型超陡擺幅隧穿器件采用有別于傳統(tǒng)晶體管的量子帶帶隧穿機制，可突破亞閾擺幅極限，同時獲得比傳統(tǒng)晶體管低2個量級以上的關(guān)態(tài)電流性能，具備極其優(yōu)越的低靜態(tài)功耗性能。通過超陡亞閾擺幅器件及電路技術(shù)的研究和突破，可促進我國物聯(lián)網(wǎng)芯片產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，顯著提高物聯(lián)網(wǎng)節(jié)點的工作時間，具有重要的應(yīng)用價值。