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產品詳細介紹該裝置根據國內外最新加氫工藝,吸收國外同類微反評價裝置的優點,融匯我們多年從事加氫工藝裝置研究和實踐的經驗進行設計和制造,配置德國西門子或日本橫河等控制系統,系統安全可靠.該裝置可用于石化單位,研究機構及高等院校在中高壓實驗條件下進行加氫工藝研究和催化劑評價,為設計和生產提供可靠的數據和依據,是發展煉油加氫工藝重要的設備.裝置特點1.工藝配置零部件及電氣儀表部件均采用國外品牌產品,精度高,設計安裝合理,試驗數據準確可靠.2.裝置采用先進危機控制系統和最新版本的正版軟件包，具有工藝流程顯示，歷史趨勢，軟件調節控制等功能，自動化程度高，運行穩定可靠。還增加高壓加氫自動計量和成品油連續釋放功能。3.裝置采用先進的工藝流程，可在保持FINEREACTOR裝置總體技術標準的前提下，根據用戶特定的技術考慮及資金狀況確定用戶自身特地的設計和制作，具有相應的靈活性和合理性。4.裝置配置全面的安全管理和報警系統，對人身和設備均安全可靠；同時采用開放式標準模塊化設計，更換部件和維修都非常方便。主要技術參數1.微機監控系統反應器溫度控制精度：0.2%FS程序升溫段數：30段氣體流量控制精度:1%SP液體流量設置精度:1.5%FS壓力控制精度:0.02MPa2.工藝要求工作溫度:室溫-650度工作壓力:0-20MPa催化劑裝填量:5-200mL(根據實際情況而定)氣體流量：0-3SLM液體流量：0.01-10sccm

產品詳細介紹產品名稱:  MS系列Dwyer微壓差變送器 產品型號:  MS-111,MS-121,MS-321                                 可測量差壓和風速，可帶現場液晶顯示 特性：量程小，現場可調公制英制2種范圍,可監測壓差或風速 介質： 空氣和非可燃性兼容氣體 精度： MS-X21: 0.5" w.c. 和0.25" w.c.: ±1%； 0.1" w.c.: ±2%； 100 Pa 和 50 Pa: ±1%； 25 Pa: ±2%. MS-X11: 5" w.c.和 2" w.c.: ±1%； 1" w.c.: ±2%； 1000 Pa 和 500 Pa: ±1%； 200 Pa: ±2% (@標準條件下) 穩定性： ±1% F.S./年 溫度限制： 0~150°F (-18~66°C) 壓力限制： 1 psi最大, 可選; 10 psi,脈沖壓力 電源： 10~35 VDC (2-線); 17~36 VDC 或隔離的 21.6 ~33 VAC (3-線) 輸出： 4~20 mA (2-線); 0~10 V (3-線) 反應時間： 0.5 ~15 sec. 現場連續可調. 提供1.5 to 45 seconds 的95%的反應時間 零偏和滿偏： 數字按鍵 環路阻抗： 電流輸出: 0-1250 最大. 電壓輸出: 最小負載阻抗 1 k 電流消耗： 40 mA 最大 顯示 (可選)： 4 位LCD 電氣連接： 4-20 mA, 2-線: 歐式端子 16~ 26 AWG. 0-10 V, 3-線: 歐式端子16~ 22 AWG 氣壓連接： 3/16" (5 mm) 內徑管子. 最大外徑 9 mm 封裝： NEMA 4X (IP66) 安裝方向： 膜盒垂直位置 重量： 8.0 oz (230 g) 認證：CE   選型表: 型號 輸出 范圍 安裝方式  MS-121 4-20 mA 0.1", 0.25", 0.5" w.c. (25, 50, 100 Pa) 掛墻或盤裝  MS-122 4-20 mA 0.1", 0.25", 0.5" w.c. (25, 50, 100 Pa) 管道  MS-321 0-10 V 0.1", 0.25", 0.5" w.c. (25, 50, 100 Pa) 掛墻或盤裝  MS-322 0-10 V 0.1", 0.25", 0.5" w.c. (25, 50, 100 Pa) 管道  MS-111 4-20 mA 1", 2", 5" w.c. (250, 500, 1250 Pa) 掛墻或盤裝  MS-112 4-20 mA 1", 2", 5" w.c. (250, 500, 1250 Pa) 管道  MS-311 0-10 V 1", 2", 5" w.c. (250, 500, 1250 Pa) 掛墻或盤裝  MS-312 0-10 V 1", 2", 5" w.c. (250, 500, 1250 Pa) 管道  MS-131 4-20 mA 10" w.c. (2 kPa) 掛墻或盤裝  MS-331 0-10 V 10" w.c. (2 kPa) 掛墻或盤裝  MS-141 4-20 mA 15" w.c. (3 kPa) 掛墻或盤裝  MS-341 0-10 V 15" w.c. (3 kPa) 掛墻或盤裝  MS-151 4-20 mA 25" w.c. (5 kPa) 掛墻或盤裝  MS-351 0-10 V 25" w.c. (5 kPa) 掛墻或盤裝  MS-021 4-20 mA ±0.1", 0.25", 0.5" w.c. (±25, 50, 100 Pa) 掛墻或盤裝  MS-221 0-10 V ±0.1", 0.25", 0.5" w.c. (±25, 50, 100 Pa) 掛墻或盤裝 注: -LCD:帶LCD顯示 -XX-XX2:將型號最后一個數字改為2,管道安裝方式

實驗內容 1、理解激光產生的基本原理及外腔面發射激光器的工作原理； 2、掌握諧振腔的設計及基本調節方法，熟悉激光器主要性能參數的測試； 3、理解非線性頻率變換的基本原理，認識相位匹配的概念和種類； 4、掌握腔內倍頻激光器調節的要領，研究影響倍頻轉換效率的主要因素； 5、理解激光波長調諧的原理，了解主要調諧方式，學會標準具調諧方法的使用； 6、了解激光調 Q 的基本原理及主要手段，了解被動調 Q 激光器的使用調節方法； 7、了解激光鎖模的基本原理及方法，了解 SESAM 被動鎖模激光器的調節要點。

寬禁帶半導體碳化硅(SiC)材料是第三代半導體的典型代表之一，具有寬帶隙、高飽和電子漂移速度、高臨界擊穿電場、高熱導率等突出優點，能滿足下一代電力電子裝備對功率器件更大功率、更小體積和更惡劣條件下工作的要求，正逐步應用于混合動力車輛、電動汽車、太陽能發電、列車牽引設備、高壓直流輸電設備以及艦艇、飛機等軍事設備的功率電子系統領域。與傳統硅功率器件相比，目前已實用化的SiC功率模塊可降低功耗50%以上，從而減少甚至取消冷卻系統，大幅度降低系統體積和重量，因此SiC功率器件也被譽為帶動“新能源革命”的“綠色能源”器件。 本團隊在SiC功率器件擊穿機理、SiC功率器件結終端技術、SiC新型器件結構、器件理論研究和器件研制等方面具有豐富經驗，能夠提供完整的大功率SiC電力電子器件的設計與研制方案。目前基于國內工藝平臺制作出1600V/2A-2500V/1A的SiC DMOS晶體管（圖1，有源區面積0.9mm2）；4000V/30A的SiC PiN二極管（圖2）；擊穿電壓>5000V的SiC JBS二極管（圖3）。 a b c 圖1 1.6-2.5kV SiC DMOS器件：(a)晶圓照片(b)正向IV測試曲線(c)反向擊穿電壓測試曲線 a b c 圖2 4kV/30A SiC PiN器件：(a)晶圓照片(b)正向導通測試曲線(c)反向擊穿電壓測試曲線 a b c 圖3 5kV SiC JBS器件：(a)顯微照片(b)正向導通測試曲線(c)反向擊穿電壓測試曲線

本發明公開了一種基于全息波導的頭戴式顯示器件，該器件包括入耦合光柵（１）、左視場偏折光柵（２）、右視場偏折光柵（３）、出耦合光柵（４）、矩形波導（５）；入耦合光柵（１）、左視場偏折光柵（２）、右視場偏折光柵（３）、出耦合光柵（４）、貼附于矩形波導（５）的上表面或下表面；入耦合光柵（１）、左視場偏折光柵（２）、右視場偏折光柵（３）、出耦合光柵（４）、矩形波導（５）貼于上表面或下表面由出入瞳光線設計方向決定。本發明利用光瞳重塑方式解決了傳統二維擴瞳方式產生的大視場角情況下的視場分離。

傳統PZT壓電陶瓷應用廣泛，但在居里溫度較低，環境溫度較高時，PZT陶瓷樣品極易退極化。隨著壓電材料的應用范圍的進一步拓展，一些極端條件對壓電陶瓷的應用提出了新的挑戰。北京大學工學院實驗室利用高居里點的鈧酸鉍-鈦酸鉛壓電陶瓷制備了基于d31模式和d33模式的應用于高溫環境中的壓電振動能量回收器，器件可以穩定地工作在150℃以上的高溫環境中。高溫下由于電疇被活化，器件的壓電系數和相應的輸出功率比室溫時提高一倍以上。 與壓電能量回收器不同的是，壓電驅動器是一種利用壓電效應，將電能轉化為機械能實現納米級驅動的器件，壓電驅動器利用壓電材料的準靜態逆壓電效應實現10微米至100微米的微小位移；同時，還可以利用壓電陶瓷的高溫諧振動效應制備高溫壓電馬達。

本團隊在SiC功率器件擊穿機理、SiC功率器件結終端技術、SiC新型器件結構、器件理論研究和器件研制等方面具有豐富經驗，能夠提供完整的大功率SiC電力電子器件的設計與研制方案。

項目概況 針對小型化、集成化、高頻率和高運算速度的電子器件，應用磁流體的熱磁對流效應，把磁流體作為新一代高效傳熱冷卻技術用于高密度高功率電子器件設備中。 主要特點 1. 選擇合適的外加磁場和屏蔽技術。 2．溫度區內磁場梯度條件和粒子濃度的準確控制 3．磁流體微型熱管散熱過程的磁場的準確定位。 技術指標     建立適合電子器件密集環境下適用磁流體散熱技術及相應的磁場條件和屏蔽技術，提高了磁流體在磁場、熱場和重力場協同作用下的流動傳熱效果。促進節能環保技術的發展，達到節能減排的綠色材料應用。市場前景 目前該項目已通過現場的工業化證明，散熱效果好，能達到電子器件冷卻要求，滿足工業生產的需求，在生產過程中無污染，無三廢排放。該項目可應用于高密度、高功率電子器件密集環境下的散熱設備中，具有較好的經濟效益和社會效益。

隨著集成電路的發展，功耗問題越來越成為制約的瓶頸問題。特別是在即將到來的萬物互聯智能時代，物聯網、生物醫療、可穿戴設備和人工智能等新興領域更加追求極低功耗，尤其是極低靜態功耗。面向未來龐大的物聯網節點應用的需求，極低功耗器件及其電路芯片受到越來越多的關注。受玻爾茲曼限制，傳統晶體管的亞閾擺幅存在理論極限，這一限制是阻礙器件功耗降低的關鍵因素，基于傳統CMOS晶體管的集成電路已經無法滿足物聯網節點等對極低功耗的需求。 本項目基于標準CMOS工藝研制新型超陡擺幅隧穿器件，并進一步研發具有極低功耗的物聯網節點芯片。新型超陡擺幅隧穿器件采用有別于傳統晶體管的量子帶帶隧穿機制，可突破亞閾擺幅極限，同時獲得比傳統晶體管低2個量級以上的關態電流性能，具備極其優越的低靜態功耗性能。通過超陡亞閾擺幅器件及電路技術的研究和突破，可促進我國物聯網芯片產業的發展，顯著提高物聯網節點的工作時間，具有重要的應用價值。

隨著電子技術的不斷發展，電子器件和芯片性能的提高帶來電路及其芯片的散熱問題日益突出。研究表明：電子器件工作溫度在70～80℃水平時，每增加1℃，其可靠性就降低5%。同時由于芯片的不斷集成化和微型化，導致散熱量的迅速增加，傳統的冷卻技術已經不能滿足散熱要求。本技術開發了一種制冷劑閃蒸噴霧高效冷卻循環系統，利用閃蒸霧化和相變傳熱技術，實現了低溫高效換熱，傳熱系數高達26533W/(m2·K)，表面溫度在低于60攝氏度熱流密度即可超過100W/cm2（而常規水冷條件下元器件表面溫度超過150攝氏度）。