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鐵磁性結構部件缺陷、應力無損檢測系統
北京工業大學
2021-04-14
液晶屏微米級金球缺陷檢測設備
成果簡介： 1、主要功能和應用領域： 本設備可滿足液晶屏/觸摸屏制造行業對導電金球在COG綁定后的在線質量全檢需求，即對導電金球的深淺、個數和偏位進行準確高效的自動檢測，以滿足液晶行業日益上升的金球質檢標準和產能要求。金球內核為聚合物材料，外殼為金或鎳，直徑3~5微米。ACF熱壓后金球有的被壓扁，有的被壓開口，并充當LCD和驅動芯片之間的導電通道，如金球壓合不好會造成導電不良，使得液晶屏發生批量缺線等故障。 2、特色及先進性： 1）金球深淺判斷。導電金球的壓合輕重程度沒有量化指標，主要依靠人眼目視的感受，需要從圖像上提取物理特征參數，以反映金球被壓迫從過輕到合適再到過重變化，對應無變形-變形良好-變形過多(壓碎)的過程。 2）偏位測量情況多樣。當BUMP比金手指尺寸大的時候，完全對準的情況下看不到金手指，和剛好錯開一個金手指的情況一樣。需保證調機良好情況下的3微米精度，對于偏位較大的情況則需要采用額外的算法來判斷。 3）檢查標準設置繁多。設計并實現了一個智能分組的工具，在采集了所有視場的圖像后，將建標的時候識別出來的BUMP(多為白色)尺寸分組，尺寸相近的在一組，則通過點擊智能分組工具，然后就把尺寸、面積和比例相似的分在一起，簡化操作。 4）屏幕放置精度和尺寸精度高。系統的檢測流程需要根據被測屏幕的放置位置精度和尺寸精度來確定，若屏幕在自動對邊后相同特征不同片子產生的位置差異遠大于線寬線距，則需要添加自動尋找定位點，然后將其作為位置起點再進行自動檢測。 3、技術指標： 金球直徑：3微米；分辨率：0.7微米；放大倍數：10；圖片大小：4000*100000，4億像素；采集時間：2秒 ；計算時間：0.8秒 ；ITO引腳：200~500個；單個引腳金球個數：10~50個；整機檢測效率：一代機5 s，二代機3.5 s 4、關鍵問題和實施效果： 目前傳統液晶屏和觸摸屏生產線上，對于ACF熱壓后的金球壓合質量均采用人工抽檢的方式，借助顯微鏡進行人工檢測，8-10片抽檢一片。該設備可以實現產品的全檢，一臺設備相當于8-10個人，對于提高產能提升產品質量具有非常重大的意義。該設備采用線陣相機配合精密運動平臺實現0.7微米分辨率的圖像采集，其光學采集部分如下圖所示。
電子科技大學
2017-10-23
一種表面缺陷電磁超聲檢測方法
一種表面缺陷電磁超聲檢測方法，屬于無損檢測技術，解決現 有電磁超聲檢測方法中提離距離的變化影響檢測準確度的問題。本發 明通過改變電磁超聲傳感器檢測探頭的提離距離，測量不同提離距離 下標準試樣的信號，并進行信號處理，得到提離斜率，利用不同缺陷 深度下提離斜率與缺陷深度的關系，建立相應的擬合函數；將檢測待 測缺陷所得到的提離斜率代入所述擬合函數，達到定量檢測缺陷的目 的。本發明簡單易行，與現有的采用峰峰值強度和透射系數定量檢測 缺陷的方法相比，本發明可以減少檢測探頭提離距離的影響，而且不 用在檢測過程中
華中科技大學
2021-04-14
石墨烯體系單原子缺陷研究進展發表
石墨烯中電子除了自旋這個內秉自由度，還有子格贗自旋和谷贗自旋自由度。石墨烯中電子的多自由度給石墨烯帶來了很多新奇的物理性質。單原子缺陷是材料體系中最簡單的缺陷形式，可以作為一種模型體系來幫助了解缺陷對材料性質的影響和調控。物理學系何林教授課題組長期致力于研究石墨烯中的單原子缺陷，發現缺陷可對石墨烯中自旋、子格贗自旋和谷贗自旋相關的電學性質產生深刻影響。例如，他們利用掃描隧道顯微鏡（STM）首次證實石墨烯中單原子空位缺陷存在局域自旋磁矩，并在原子尺度上實現了對其自旋磁矩調控，實現了三種自旋量子態；觀測到石墨烯中單原子缺陷引入的對稱性破缺態，并系統地測量了缺陷附近谷極化和谷依賴的自旋極化在實空間的分布情況。 石墨烯中電子的子格贗自旋來自于其六角晶格結構，有A和B兩套子格，因此波函數數學形式上類似于自旋。對于電子自旋有很多有意思的可觀測物理現象，那么對應石墨烯中的子格贗自旋是否有可觀測的物理現象呢？帶著這一問題，何林教授課題組開展了深入研究。他們發現石墨烯中的單原子缺陷可以使準粒子在石墨烯手性不同的兩個谷之間發生彈性散射，并伴隨著子格贗自旋的旋轉，在缺陷附近產生一個原子尺度的子格贗自旋渦旋，而贗自旋在渦旋（單原子缺陷）的繞數直接反映了體系的Berry相位（圖1）。通常來說，貝利相位的測量需要借助于外加磁場，因為磁場可以驅動準粒子沿閉合的軌跡絕熱運動，所以這一的結果提供了一個簡單的方法測量不同層石墨烯Berry相位的方法。何林教授課題組利用STM測量單原子缺陷引起的谷間散射形成的電荷密度波振蕩，證明電荷密度波振蕩在實空間中增加的額外波前條紋數直接反映了子格贗自旋在渦旋的繞數，從而可直接測量不同層石墨烯的Berry相位。最近的工作中，他們對雙層石墨烯進行了詳細的研究，并將相關結果推廣到多層石墨烯體系。進一步他們還研究了相同和相反繞數的子格贗自旋渦旋的量子干涉。上述結果直接證明了子格贗自旋有很多豐富有趣的物理現象亟待深入研究，也為子格贗自旋物理提供了全新的研究思路。
北京師范大學
2021-02-01
石墨烯體系單原子缺陷研究進展發表
石墨烯中電子除了自旋這個內秉自由度，還有子格贗自旋和谷贗自旋自由度。石墨烯中電子的多自由度給石墨烯帶來了很多新奇的物理性質。單原子缺陷是材料體系中最簡單的缺陷形式，可以作為一種模型體系來幫助了解缺陷對材料性質的影響和調控。物理學系何林教授課題組長期致力于研究石墨烯中的單原子缺陷，發現缺陷可對石墨烯中自旋、子格贗自旋和谷贗自旋相關的電學性質產生深刻影響。例如，他們利用掃描隧道顯微鏡（STM）首次證實石墨烯中單原子空位缺陷存在局域自旋磁矩，并在原子尺度上實現了對其自旋磁矩調控，實現了三種自旋量子態；觀測到石墨烯中單原子缺陷引入的對稱性破缺態，并系統地測量了缺陷附近谷極化和谷依賴的自旋極化在實空間的分布情況。 石墨烯中電子的子格贗自旋來自于其六角晶格結構，有A和B兩套子格，因此波函數數學形式上類似于自旋。對于電子自旋有很多有意思的可觀測物理現象，那么對應石墨烯中的子格贗自旋是否有可觀測的物理現象呢？帶著這一問題，何林教授課題組開展了深入研究。他們發現石墨烯中的單原子缺陷可以使準粒子在石墨烯手性不同的兩個谷之間發生彈性散射，并伴隨著子格贗自旋的旋轉，在缺陷附近產生一個原子尺度的子格贗自旋渦旋，而贗自旋在渦旋（單原子缺陷）的繞數直接反映了體系的Berry相位（圖1）。通常來說，貝利相位的測量需要借助于外加磁場，因為磁場可以驅動準粒子沿閉合的軌跡絕熱運動，所以這一的結果提供了一個簡單的方法測量不同層石墨烯Berry相位的方法。何林教授課題組利用STM測量單原子缺陷引起的谷間散射形成的電荷密度波振蕩，證明電荷密度波振蕩在實空間中增加的額外波前條紋數直接反映了子格贗自旋在渦旋的繞數，從而可直接測量不同層石墨烯的Berry相位。最近的工作中，他們對雙層石墨烯進行了詳細的研究，并將相關結果推廣到多層石墨烯體系。進一步他們還研究了相同和相反繞數的子格贗自旋渦旋的量子干涉。上述結果直接證明了子格贗自旋有很多豐富有趣的物理現象亟待深入研究，也為子格贗自旋物理提供了全新的研究思路。
北京師范大學
2021-04-10
一種缺陷態結構聲學超材料板
本發明公開了一種缺陷態結構聲學超材料板，包括彈性薄膜，兩塊復合材料板以及若干個質量片，其中，兩塊所述復合材料板分別粘接于彈性薄膜上下兩側，所述復合材料板上設置有周期性排列的開口，若干個所述質量片分別設置于開口處的彈性薄膜上，所述質量片在分布中具有缺陷態結構。本發明提供的缺陷態結構聲學超材料板，結構簡單，設計性好，所使用基礎材料皆為常規材料，易于批量化加工、生產，值得在業內推廣。
西南交通大學
2016-10-19
一種芯片連晶缺陷識別方法
本發明公開了一種芯片連晶缺陷識別方法，該發明主要用于在 芯片制造過程中識別含連晶缺陷的不合格芯片；包括三個步驟：步驟 一，對采集到的芯片圖片進行模板匹配，定位出芯片的位置，根據芯 片的位置，對圖片進行截取；步驟二，對截取獲得的圖片進行預處理， 增大芯片基體與背景的差別；步驟三、對經過預處理的圖片進行分割， 獲取 blob 塊，對 blob 塊進行特征分析：首先以面積為基準判斷出是否 含連晶缺陷；對面積正常的 blob 塊，獲取其 blob 塊最小外接矩形的中 心點以及四邊中點的位置，以中心點以及四邊
華中科技大學
2021-04-14
微流芯片及利用微流芯片制備聚合物微球技術
已有樣品/n該項目所開發的儀器設備可以實現對FNRBCs 準確、高效、快速、低廉的分離與富集，并進行基因組層面的全面分析，為無創性產前診斷技術的發展及相關科學研究的深入提供有力的推動和支撐平臺。項目團隊在該研究領域進行了長期的研究工作，積累了大量經驗，并取得了一定成績。該成果，方法獨特，效果明顯并成功用于三體綜合癥檢測。
武漢大學
2021-01-12
聚丙烯酸酯微球及其應用
中國發明專利ZL2023104389499：采用高內相乳液模板法制備20-100微米的聚丙烯酸酯實心或多孔微球，可應用于吸附劑、藥物香精載體或粉末涂料；制備簡便、綠色環保且產率較高，基本無排放。
廈門大學
2025-02-07
鋼輪轂焊縫缺陷X射線自動識別系統
該系統可對鋼輪轂中的焊縫缺陷進行自動識別和判斷，并對缺陷大小進行自動統計，從而自動判斷是否合格。其控制軟件具有圖像采集、數據通信、數據及工藝文件存儲、合格不合格統計及數據庫查詢、圖像的自動處理與模式識別、加密、打印及幫助等功能。
北京交通大學
2021-04-13