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本項目針對現行碳熱還原工藝存在的不足，提供一種實用用微波還原弱磁性鐵礦物制取鐵精礦的方法，它無需用碳作為還原劑和熱源，因而沒有碳的消耗和由此產生的CO2對環境的污染，生產成本低，特別適于鐵品位為15～45%的難選低品位紅鐵礦和含鐵工業廢料中弱磁性鐵礦物的磁化改性，再用弱磁選機磁選獲得高品質鐵精礦。 本發明解決上述技術問題所采用的技術方案是： 利用微波具有通過物體內部原子和分子發生高速振動的方式，選擇性加熱能夠吸收微波的礦物之特點，以微波場中升溫極快的鐵粉或鐵泥代替碳作為還原劑，鐵粉或鐵泥同時也是促進劑，通過微波磁化還原焙燒，使難選低品位紅鐵礦和含鐵工業廢料中的弱磁性鐵礦物還原為磁鐵礦，再用弱磁選機磁選獲得高品質合格鐵精礦。  與傳統的碳熱還原技術相比，本發明的有益效果在于： （1）用廢鐵粉或鐵泥作還原劑，用弱磁選可將其作為鐵精礦回收，可變廢為寶，沒有還原劑的消耗、過程清潔、成本大幅度降低；而且由于鐵粉或鐵泥在微波場中升溫極快，對高溫還原反應具有促進作用。 （2）由于微波僅選擇性加熱鐵礦物，導致鐵礦物和脈石礦物熱膨脹系數不同，在晶格間應力的作用下，鐵礦物更容易在晶界斷裂單體解離，有利于后續的磁選回收富集。 （3）微波焙燒不僅可降低磁化還原反應的活化能，而且因其可選擇性地加熱鐵礦物，不需要象碳熱還原那樣將整個物料加熱至600～800℃的高溫，還原反應效率高，可顯著降低過程所需的能耗。實驗表明：將同樣二份1kg的紅鐵礦粉，一份用焦炭作還原劑，在4kw的馬弗爐中還原焙燒，另一份用廢鐵粉作還原劑，在頻率2450MHz、功率1.3kw的微波爐中還原焙燒6分鐘，還原劑加入量均為處理物料的20%，后者在6分鐘內可將98%的弱磁性鐵礦物還原為強磁性的磁鐵礦,而前者50分鐘內弱磁性鐵礦物的還原率不到60%，本發明所處理的弱磁性鐵礦物物料含鐵品位為15～45%，得到的鐵精礦其鐵品位大于60%，回收率大于80%。（4）突破傳統工藝處理貧、細、雜難選紅鐵礦和含鐵工業廢料成本高、效率低的瓶頸，使目前傳統工藝難以處理的大量鐵礦資源得到回收和利用。

該項目以基片集成類導波結構的工作機理與創新應用為主線，對這類結構及器件的傳輸特性、損耗機理等基礎科學問題進行了深入研究，提出了半模基片集成波導等多種新型平面導波結構，發展了相應的設計方法，并發明了一系列新型高性能微波毫米波器件，部分器件已得到實際應用。

本發明涉及微波功率發生器。本發明公開了一種利用選頻反射器來實現磁控管雜散能量回收利用，以較小的注入信號功率，滿足大功率磁控管輸出頻率的鎖定要求的微波發射系統。本發明的技術方案是，雜散能量回收注入鎖頻磁控管微波發射系統，包括n只磁控管及n個鎖頻裝置，所述鎖頻裝置向磁控管注入鎖頻信號，其特征在于，所述n個鎖頻裝置與同一個微波源連接，所述磁控管輸出端連接有選頻反射器，將磁控管輸出的雜散微波信號反射回磁控管，n≥1。本發明微波發射系統，制造簡單，能夠有效地實現磁控管輸出信號雜散能量回收，降低注入信號功率，降低微波源的成本，從而降低整個微波發射系統的成本，特別適用于多只磁控管相干功率合成的應用場合。

本項目共包括10項授權專利，其中高品質微波單晶薄膜的制備工藝獲得3項專利技術，同時將這種單晶薄膜應用在微波器件/結構、太赫茲結構/器件和自旋邏輯器件中等，共獲得7項專利技術。本項目突破了我國在3英寸石榴石系列單晶體材料以及相關器件研究上的瓶頸技術，獲得了高法拉第效應和低鐵磁共振線寬的大尺寸高質量石榴石單晶薄膜材料。滿足了國內在磁光、微波及毫米波集成器件方面對石榴石系晶體材料的需求，擺脫了完全依賴進口、受制于人的不利局面。（1）建成了我國第一條大尺寸磁

本發明屬于微波光子學領域，公開了一種頻率可調諧的微波相 移系統及方法，包括連續光載波經過分束后一束經過馬赫曾德爾調制 器產生載波抑制的雙邊帶光信號，另一束經相位調制器產生移相后的 光載波信號，兩束光信號經合波后通過可調諧微環濾波器濾除其中的 一個一階邊帶，得到一個頻率搬移后的載波信號和一個相移后的載波 信號，再經光電探測器進行光電轉換產生相移微波電信號；可通過改 變輸入電壓驅動信號的頻率和可調諧微環濾波器的諧振波長，

本發明公開了一種高功率微波打火探測系統，包括方波發生器、 發光二極管、本底光傳輸光纖、至少一根弧光探測光纖、光電轉換電 路、信號放大電路、閾值電壓產生電路、第一電壓比較器和第二電壓 比較器；發光二極管、二極管、本底光傳輸光纖依次連接；本底光傳 輸光纖的輸出端置于本底光輸入孔內，弧光探測光纖的輸入端則置于 弧光探測孔內；弧光探測光纖、光電轉換電路、信號放大電路、閾值 電壓產生電路依次連接；而第一電壓比較器和第二電壓比較器的比較 端連接信號放大電路，參考端連接閾值電壓產生電路；本發明將本底 光引入高功率

本實用新型公開了一種用于微波波導測量系統的數字檢流計，包括信號調理電路、A/D 采樣及顯示 電路和電源電路。信號調理電路包括依次相連的 I/V 轉換電路、放大電路以及有源濾波電路。A/D 采樣 及顯示電路包括依次相連的微處理器、驅動電路和數碼管顯示電路。電源電路分別與信號調理電路、A/D 采樣及顯示電路相連。該數字檢流計，具有調零和增益調節功能，測量精度較高，結果穩定，不易被外 界環境干擾，在微波技術實驗中，用它來替代光點檢流計，應用于微波波導測量系統中，實現對對傳輸 線上電壓的測量，方便了教學的開展和實驗室的維護，能夠更好地滿足實驗要求。

本實用新型屬于水產品加工機械技術領域，具體涉及一種水產品微波巴氏循環殺菌裝置。包括微波源、連接波導、功率分配器、角錐喇叭、介質耦合窗和諧振腔腔體；諧振腔腔體的兩端上下兩側對稱連接有介質耦合窗，諧振腔腔體左端部的介質耦合窗左側上部為進料口，右端部的介質耦合窗右側下部為出料口；諧振腔腔體內部設有兩條平行的傳送帶，諧振腔腔體內部側壁、出料口上方、轉角輥右側設有抓桿，抓桿與液壓桿相連；諧振腔腔體左端底部設有循環水進口，右端頂部設有循環水出口。本裝置通過將微波殺菌與水浴巴氏殺菌方式相結合，用循環水作為加熱殺菌介質，減緩微波加熱升溫速度，提高了殺菌后水產品的綜合品質。

大粒徑硅溶膠是一種重要的無機膠體材料，以其獨特的物理化學性質在多個領域得到廣泛應用。 一、定義與特性 定義：硅溶膠是一種含有二氧化硅（SiO2?）的膠體溶液，通常呈現為透明或半透明的液體。大粒徑硅溶膠指的是粒徑在100納米以上的硅溶膠，其粒徑范圍可以從100納米到500納米不等。 特性： 物理性質：大粒徑硅溶膠具有較高的粘度和良好的流動性，能夠在高溫和高壓環境下保持其性能。 化學性質：硅溶膠無毒無味，耐高溫、耐酸堿，具有穩定的物理和化學性質。 光學性能：大粒徑硅溶膠具有較好的光散射能力，可以在涂料中產生優良的遮蓋效果，提升涂料的遮蓋力和白度。 機械性能：干燥后能形成堅韌的薄膜，具有一定的耐磨性和耐化學性。 二、制備方法 大粒徑硅溶膠的制備方法多種多樣，常見的包括： 溶膠-凝膠法：通過控制反應條件，如溫度、pH值和反應時間等，調節硅溶膠的粒徑和分布。是目前應用最廣泛的一種方法。 離子交換法：也稱粒子增長法，以水玻璃為原料，通過離子交換反應去除雜質，生成聚硅酸溶液，再經處理得到大粒徑硅溶膠。 水熱合成法：在高溫高壓條件下合成硅溶膠，能夠獲得較為均勻的顆粒分布。 直接酸化法：采用稀水玻璃，經離子交換樹脂去除雜質，制備活性硅酸溶膠，再加熱保溫、直接酸化，控制反應條件使晶粒長大，得到大粒徑硅溶膠。 三、應用領域 大粒徑硅溶膠因其獨特的性質，在多個領域展現出廣泛的應用前景： 涂料行業：作為填料和增稠劑，改善涂料的流動性和刷涂性能，提高涂層的附著力和耐磨性。其透明性也適用于透明和半透明涂料的生產。 建筑材料：作為粘結劑，提高水泥和砂漿的強度及耐久性，改善建筑材料的抗滲性能。在混凝土中加入適量的大粒徑硅溶膠，可以增強混凝土的抗壓強度和耐磨性。 電子行業：用于電子封裝材料和絕緣體，提高材料的熱導性和電絕緣性，減少電子元件之間的干擾，提高電子設備的性能和可靠性。 陶瓷材料：作為添加劑，改善陶瓷的成型性和燒結性能，增強陶瓷制品的強度和韌性，提高陶瓷產品的表面光潔度和色澤。 橡膠行業：作為填充劑和增強劑，提高橡膠的耐磨性和抗老化性能，改善橡膠的加工性能，降低加工難度，提高生產效率。 紙張和紡織行業：作為涂布劑和助劑，提高紙張的光滑度和印刷適應性，改善紡織品的手感和強度，提高紡織品的耐水性和耐污性。 環境保護：作為吸附劑，有效去除水中懸浮物和重金屬離子，改善水質。在土壤改良方面也展現出一定的應用前景。 化妝品行業：被廣泛應用于粉底、遮瑕膏等產品中，提供良好的滑爽感，使化妝品在涂抹時更加順滑，且不易出現結塊現象。 四、使用注意事項 在使用大粒徑硅溶膠之前，應準備好所需的工具和材料，包括攪拌器、量筒、噴槍等。 注意施工環境，高濕度環境可能導致涂層干燥不良，而低溫環境則可能延長干燥時間。 在大規模應用前，建議進行小面積的兼容性測試，確保硅溶膠與基材之間的相容性，避免因不兼容造成的涂層脫落或起泡。 使用后應及時清洗工具和設備，避免硅溶膠固化在工具上，影響下次使用。 五、總結 大粒徑硅溶膠以其獨特的物理化學性質，在涂料、建材、電子、陶瓷、橡膠、紙張、紡織、環境保護及化妝品等多個領域展現出廣泛的應用前景。隨著科技的不斷進步和生產工藝的改進，大粒徑硅溶膠的應用范圍和潛力將進一步拓展，為各行業的發展提供更為強大的支持。

電機系李琦副教授、何金良教授等在《自然·通訊》（Nature Communications）期刊上發表了題為“基于聚合物-分子半導體全有機復合材料的高溫電容薄膜”（Polymer/molecular semiconductor all-organic composites for high-temperature dielectric energy storage）的研究論文，首次研制出 200 攝氏度高效介電儲能的全有機復合薄膜。這類全有機復合介電材料在 200 攝氏度高溫條件下的介電儲能性能不僅遠超過目前最好的高溫聚合物及聚合物納米復合介電材料，并接近商業化聚合物電容薄膜室溫下性能；在大幅提升高溫介電儲能特性的同時還實現了大面積、性能均勻的薄膜制備，為實現薄膜電容器在 200 攝氏度嚴酷溫度環境下應用提供了可能。 聚合物薄膜電容器具有介電強度高、能量損耗低以及自愈性好等優點，在全球工業電容器市場占有率超過其它類型電容產品。然而，聚合物介電材料的絕緣性能對溫度極其敏感，在高溫、高電場作用下泄漏電流呈指數上升、放電效率急劇下降，最終造成電容器過熱損壞。目前主流商業薄膜電容器僅在 105 攝氏度以下工作，長期工作溫度低于 70 攝氏度。另一方面，隨著電子器件和電力、能源設備功率不斷增大以及對小型化和緊湊型功率模塊的持續追求，電子材料的工作溫度要求快速提高，薄膜電容器介電材料已成為高溫電子器件和設備的技術瓶頸。 該論文采用了一種與前期方法截然不同的技術路線——利用有機光伏中電子受體材料的強得電子能力，實現了在高溫聚合物中構筑深電荷陷阱。這種有機分子半導體型的電子受體材料具有極高的電子親和能，被廣泛應用于有機光伏中激子在異質結界面高效分離。它們可通過其表面靜電勢分布的極不均勻特性，對自由電子產生強束縛作用。通過向耐熱聚合物中摻雜極少量高電子親和能有機分子半導體制備了全有機復合高溫介電材料。這類材料在 200 攝氏度和 200kV/mm 電場條件下，電阻率比高溫聚合物提升兩個數量級以上；200 攝氏度、放電效率90%以上的能量密度是目前最好的聚合物高溫介電材料的 2.3 倍。此外，全有機復合體系解決了傳統有機-無機復合體系中高表面能粒子分散不均和引入界面缺陷等問題，在薄膜品質和規模化制備等方面具有顯著優勢。