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本發(fā)明公開了一種 MTJ 納米柱陣列的制備方法，包括 S1 在基 底上表面制備電子束光刻對準(zhǔn)所需要的定標(biāo)符；S2 根據(jù)定標(biāo)符在基底 上表面制備底電極層，底電極層包括多條平行的底電極線；S3 在附著 有底電極層的基底上表面涂覆一層 HSQ，通過電子束曝光對 HSQ 層 進(jìn)行圖形化，在每一條底電極線上形成多個絕緣單元；每一個絕緣單 元的中間具有一個孔；S4 依次通過光刻、濺射和剝離工藝在絕緣單元 的孔內(nèi)形成磁性多層膜層；

本發(fā)明公開了一種公園排球?qū)Ｓ镁W(wǎng)柱，包括底座、設(shè)于底座上的支柱以及在支柱上設(shè)置的彈性球網(wǎng)，所述支柱上設(shè)有一包括升降滑塊在內(nèi)的可控制整個彈性球網(wǎng)沿支柱長度方向上下移動的升降系統(tǒng)，在支柱上還設(shè)置有一用于調(diào)節(jié)彈性球網(wǎng)縱向尺寸的高度調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)，所述高度調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)包括沿升降滑塊軸向方向開設(shè)的滑軌，在升降滑塊兩端設(shè)置有與滑軌滑動配合連接的可彼此靠近或遠(yuǎn)離的活動滑臺，所述升降滑塊上設(shè)有用于調(diào)節(jié)兩活動滑臺的旋轉(zhuǎn)把手及固定旋轉(zhuǎn)把手的定位鎖銷，彈性球網(wǎng)與兩活動滑臺固定連接。本發(fā)明不但可以在作為公園排球網(wǎng)柱的同時兼做羽毛球網(wǎng)柱，而且還可以作為普通的排球運(yùn)動的網(wǎng)柱。

產(chǎn)品詳細(xì)介紹Inertsil CN-3:Inertsil CN-3是在高純度球狀硅膠上鍵合了氰丙基的色譜柱，基于氰基三鍵的π電子作用以及氮的孤對電子作用力，對極性化合物有獨(dú)特的選擇性，適合應(yīng)用于正相分離。當(dāng)用于反相系統(tǒng)時，其選擇性與C8和C18不同。在藥學(xué)領(lǐng)域和復(fù)雜混合物的分離中應(yīng)用廣泛。Inertsil CN-3一般保存在正己烷/乙醇溶液中，當(dāng)作為反相色譜柱使用時，務(wù)必用能與兩種流動相互溶的溶劑，如異丙醇進(jìn)行過渡置換，再用流動相進(jìn)行平衡。 --------------------------------------------------------------------------------色譜柱參數(shù)：※基體：3系列高純度硅膠※粒徑：3μm，5μm※微孔徑：100?※化學(xué)鍵合基團(tuán)：氰丙基※端基封尾：無※含碳量：14%※USP號：L10 --------------------------------------------------------------------------------訂貨信息： 5μm 長度/內(nèi)徑(mm) 2.1 3.0 4.0 4.6 33 5020-05311 5020-05321 5020-05331 5020-05341 50 5020-05312 5020-05322 5020-05332 5020-05342 75 5020-05313 5020-05323 5020-05333 5020-05343 100 5020-05314 5020-05324 5020-05334 5020-05344 150 5020-05315 5020-05325 5020-01942 5020-01940 250 5020-05316 5020-05326 5020-01943 5020-01941 【保護(hù)柱】 填料名 粒徑 長度(mm) 目標(biāo)色譜柱的內(nèi)徑(mm) 內(nèi)徑(mm) 更換用小柱E（2根一組） 更換用小柱E套件（小柱E2根+小柱保護(hù)柱套） Cat.No. Cat.No Inertsil CN-3 3μm、5μm 10 1.0 1.0 5020-08517 5020-08527 1.5、2.1 1.5 5020-08518 5020-08528 2.1、3.0 3.0 5020-08515 5020-08525 4.0、4.6 4.0 5020-08510 5020-08520 20 2.1、3.0 3.0 5020-08565 5020-08575 4.0、4.6 4.0 5020-08560 5020-08570 --------------------------------------------------------------------------------

產(chǎn)品詳細(xì)介紹C18液相色譜柱使用的pH值通常為2-7.5，Wondasil C18-WR具有高表面覆蓋率和完全封尾的特點(diǎn)，采用獨(dú)特的內(nèi)表面處理技術(shù)，提高了填料的穩(wěn)定性，能夠適合pH 1-10寬范圍內(nèi)的分析。由于最大限度的去除了殘存在硅膠表面的硅醇基，因此無論在強(qiáng)酸、強(qiáng)堿性化合物的分析中，還是在金屬配位性化合物的分析中都能夠很好的抑制樣品吸附。色譜柱參數(shù)：                            特征：                                                   基體： 3系列高純度球狀硅膠              ● 保留能力強(qiáng)，因此與母體成分的分離更容易。粒徑： 3um，5um                         ● 使用壓力低，給泵帶來的負(fù)擔(dān)更小，使用簡便。表面積：450 ㎡/g                        ● 高惰性，無論酸性化合物還是堿性化合物，都能得到尖銳的峰型。微孔徑：100A（10nm）                    ● 由于純度高，金屬配位性化合物也能分析。微孔容積：1.05mL/g                      ● 能夠安心使用的高品質(zhì)保證。化學(xué)鍵合基團(tuán)：十八烷基                  ● ｐH１０即使是強(qiáng)堿性溶離液下也能維持高性能。端基封尾：有                            ● 提供100%滿足度的ODS色譜柱碳含量：14.0%貨號 品名 規(guī)格 5020-39031 WondaSil C18-WR 4.6*150mm,5μm 5020-39032 WondaSil C18-WR 4.6*200mm,5μm 5020-39033 WondaSil C18-WR 4.6*250mm,5μm 5020-39034 WondaSil C18-WR 保護(hù)柱柱芯*2 4.6*10mm,5μm 5020-39035 柱套+柱芯*2 4.6*10mm,5μm 

射頻識別（Radio Frequency Identification-RFID）技術(shù)被公認(rèn)是21世紀(jì)最有發(fā)展前途的信息技術(shù)之一，已廣泛應(yīng)用于生產(chǎn)、零售、物流、交通、醫(yī)療、消費(fèi)、旅游、國防等各個領(lǐng)域。超高頻（UHF）RFID技術(shù)憑借其無源遠(yuǎn)距離多標(biāo)簽快速識別的優(yōu)勢，能廣泛應(yīng)用于智能物流、智能交通、 物品質(zhì)量追溯、公共安全管理、智慧城市等物聯(lián)網(wǎng)系統(tǒng)，顯著提高各行各業(yè)的管理效率，降低成本，具有最為廣闊的市場規(guī)模和發(fā)展?jié)摿Γ殉蔀镽FID及物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)下一個爆發(fā)式增長點(diǎn)。 本團(tuán)隊在2008年度廣東省重大科技專項的支持下，研究突破了低功耗低壓射頻/模擬/數(shù)字電路及SOC架構(gòu)、高效率整流電路、多標(biāo)簽防碰撞、高穩(wěn)定時鐘電路等共性關(guān)鍵技術(shù)，掌握了基于CMOS工藝的高識別靈敏度的超高頻RFID標(biāo)簽芯片設(shè)計、測試與驗(yàn)證、質(zhì)量可靠性保障等核心技術(shù)，已獲得授權(quán)發(fā)明專利7項、公開的發(fā)明專利申請8項，發(fā)表論文30多篇。自主設(shè)計開發(fā)出符合ISO18000-6B、ISO18000-6C標(biāo)準(zhǔn)的四款超高頻RFID標(biāo)簽芯片，通過了賽寶實(shí)驗(yàn)室（工信部五所）的測試認(rèn)證，超高頻RFID標(biāo)簽芯片測試性能達(dá)到Impinj等國際主流公司同期同類產(chǎn)品技術(shù)指標(biāo)。在此基礎(chǔ)上，自主設(shè)計開發(fā)出具有溫度感知功能的超高頻RFID標(biāo)簽芯片、具有開關(guān)狀態(tài)數(shù)監(jiān)測的超高頻RFID標(biāo)簽芯片、具有多傳感器接口的超高頻物聯(lián)網(wǎng)標(biāo)簽芯片等樣品。 超高頻RFID標(biāo)簽芯片主要技術(shù)指標(biāo)： ？ 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)：ISO18000-6B/6C ？ 工作頻率：840-960MHz ？ 識別（讀取）靈敏度：-15dBm ？ 讀寫距離：讀8 米/寫5 米(與天線形式及當(dāng)?shù)責(zé)o線電頻率規(guī)范相關(guān)) ？ 識別速率：>100次/秒 ？ 存儲容量：256、512、1000bits ？ 前向鏈路速率：10-40kbps（6B）/40-160kbps(6C) ？ 反向鏈路速率：40-80kbps（6B）/160-640kbps(6C) ？ 工作溫度：-40 —850C ？ 數(shù)據(jù)保存時間：10年 ？ 寫入次數(shù)：100000

傳統(tǒng)的體外生理信號監(jiān)測如心電、腦電等基于濕電極在電極皮膚建立穩(wěn)定且低阻抗的接觸,需要凝膠，不易佩戴且容易滋生細(xì)菌感染等。使用干電極是可穿戴和醫(yī)療健康芯片的必然趨勢。但目前的商業(yè)芯片在干電極下無法使用，存在諸多性能上的缺陷，諸如功耗、輸入阻抗、共模抑制比等方面均無法滿足要求。在對國內(nèi)外相關(guān)技術(shù)的研究和綜述的基礎(chǔ)上，我們提出了提出一種基于干電極的信號采集芯片。經(jīng)流片驗(yàn)證，可以提供足夠的空間分辨率，功耗在μW級別。同時該技術(shù)采用了實(shí)驗(yàn)室積累多年的低功耗集成電路設(shè)計技術(shù)。以下是兩款超低功耗干電極腦電與心電采集芯片及其應(yīng)用場景。其中腦電芯片可以在耳道采集腦電信號，方便舒適，易于集成，其產(chǎn)業(yè)化已經(jīng)在逐步推行。

1.本外觀設(shè)計產(chǎn)品的名稱：LED 芯片高速自動分選機(jī)。2.本外觀設(shè)計產(chǎn)品的用途：用于對 LED 芯片執(zhí)行自動分選的裝置。3.本外觀設(shè)計的設(shè)計要點(diǎn)：分選機(jī)的整體形狀和圖案，及其操控鍵的形狀和分布。4.最能表明設(shè)計要點(diǎn)的圖片或者照片：立體圖。5.該裝置的頂面和底面未涉及產(chǎn)品設(shè)計要點(diǎn)且不常見，故省略俯視圖和仰視圖。

自主設(shè)計開發(fā)出符合ISO18000-6B、ISO18000-6C標(biāo)準(zhǔn)的四款超高頻RFID標(biāo)簽芯片，通過了賽寶實(shí)驗(yàn)室（工信部五所）的測試認(rèn)證，超高頻RFID標(biāo)簽芯片測試性能達(dá)到Impinj等國際主流公司同期同類產(chǎn)品技術(shù)指標(biāo)。在此基礎(chǔ)上，自主設(shè)計開發(fā)出具有溫度感知功能的超高頻RFID標(biāo)簽芯片、具有開關(guān)狀態(tài)數(shù)監(jiān)測的超高頻RFID標(biāo)簽芯片、具有多傳感器接口的超高頻物聯(lián)網(wǎng)標(biāo)簽芯片等樣品。

超高速模數(shù)轉(zhuǎn)換器是數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的核心,廣泛應(yīng)用于寬帶通信、數(shù)據(jù)捕獲系統(tǒng)、軟件無線電、射頻消費(fèi)類電子等領(lǐng)域,是國外長期禁運(yùn)的核心電子元器件。