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與其它頁巖氣開發(fā)的壓裂技術(shù)相比，本技術(shù)方案主要具備以下技術(shù)優(yōu)勢(shì)及創(chuàng)新性:(1) CO2 干法壓裂技術(shù)開發(fā)陸相頁巖氣實(shí)現(xiàn)了低水耗。據(jù)美國國家環(huán)境保護(hù)局(EPA)統(tǒng)計(jì)，2010 年單口頁巖氣井平均用水量在 0.76×104~2.39×104t(取 決于井深、水平段長度、壓裂規(guī)模)，采用 CO2 干法壓裂技術(shù)開發(fā)國內(nèi)陸相頁巖 氣可有效減少對(duì)于水的用量，不浪費(fèi)水資源，不污染地下水。(2) CO2 干法壓裂技術(shù)開發(fā)陸相頁巖氣對(duì)儲(chǔ)層傷害小。陸相頁巖氣儲(chǔ)層粘土 礦物含量高，水敏性較強(qiáng)，滑溜水壓裂液對(duì)儲(chǔ)層滲透率傷害嚴(yán)重，CO2 具有良好 的儲(chǔ)層保護(hù)性能，無殘?jiān)?，?duì)裂縫壁面和導(dǎo)流床無固相傷害，無水相，消除了水 鎖及水敏傷害。(3) CO2 干法壓裂技術(shù)開發(fā)陸相頁巖氣實(shí)現(xiàn)了快返排，國內(nèi)陸相頁巖氣儲(chǔ)層 壓力一般較低，壓后返排困難，返排時(shí)間長，大量壓裂液滯留于井下，CO2 干法 壓裂技術(shù)壓后 CO2 迅速氣化，快速排出，返排時(shí)間短，返排效率高。(4) 采用 CO2 干法壓裂技術(shù)開發(fā)陸相頁巖氣藏具有提高頁巖氣采收率和減 排的雙重意義。頁巖氣藏中吸附氣含量范圍較寬，CO2 進(jìn)入頁巖儲(chǔ)層中時(shí)，可有 效置換 CH4 分子，極大的提高頁巖氣藏的采收率;同時(shí)，CO2 可在頁巖儲(chǔ)層中永 久性封存，對(duì)于減少溫室氣體排放有著積極的意義。(5) 適用于陸相頁巖氣儲(chǔ)層的 CO2 干法壓裂液配方的篩選及優(yōu)化。采用溶解 性及增粘實(shí)驗(yàn)篩選 CO2 增粘劑，并對(duì)不同工況下的改良的 CO2 干法壓裂液的流變 摩阻、濾失特性進(jìn)行研究，結(jié)合儲(chǔ)層特征優(yōu)化干法壓裂液配方，最終形成適用于 國內(nèi)典型陸相頁巖氣儲(chǔ)層的 CO2 干法壓裂液配方。(6) 陸相頁巖氣 CO2 干法壓裂工藝設(shè)計(jì)。在不加砂、加砂兩種狀況下，針對(duì) 國內(nèi)典型陸相頁巖氣儲(chǔ)層，分析施工過程中裂縫延伸及支撐機(jī)理，對(duì) CO2 壓裂工 藝的管柱選擇、施工排量、砂比等壓裂施工參數(shù)進(jìn)行優(yōu)化，最終形成適用于國內(nèi) 典型陸相頁巖氣藏的干法壓裂技術(shù)工藝。(4)合作條件(1) 有獨(dú)立承擔(dān)民事責(zé)任能力的企業(yè)法人，具有良好的信譽(yù)基礎(chǔ)和積極向上 的事業(yè)激情。(2) 有相應(yīng)的投資能力，并且具備一定的市場(chǎng)開拓能力。(3) 有一定的啟動(dòng)資金和市場(chǎng)經(jīng)驗(yàn)，具備較強(qiáng)的品牌經(jīng)營意識(shí)。

本實(shí)用新型提供了一種密閉標(biāo)記室內(nèi)置可控CO2發(fā)生裝置，該裝置包括酸液儲(chǔ)罐、堿液儲(chǔ)罐和反應(yīng)皿，所述反應(yīng)皿的側(cè)壁固定連接安裝耳，所述安裝耳上插接有緊固螺栓，所述安裝耳通過緊固螺栓緊固安裝在標(biāo)記室的內(nèi)腔頂部，所述反應(yīng)皿的外壁靠近其開口處開設(shè)有多個(gè)氣孔，所述酸液儲(chǔ)罐、堿液儲(chǔ)罐的底部均固定連接有支架，所述支架遠(yuǎn)離酸液儲(chǔ)罐、堿液儲(chǔ)罐的一端于標(biāo)記室固定連接，所述酸液儲(chǔ)罐、堿液儲(chǔ)罐的底部分別插接有酸液管和堿液管，

一種磁力攪拌的 CO2 激光-TIG 電弧復(fù)合焊接方法。本發(fā)明公開 了一種通過縱向磁場(chǎng)實(shí)現(xiàn)熔池磁力攪拌的方法，在 CO2 激光-TIG 電弧 復(fù)合焊接基礎(chǔ)之上增加縱向磁場(chǎng)實(shí)現(xiàn)焊接組織晶粒細(xì)化及能量耦合效 率提高的功能，其通過合理的功率、焦距、離焦量、氦保護(hù)氣體流量 等 CO2 激光工藝參數(shù)，鎢極直徑 D、弧長、焊接電流、氣體流量等 TIG 電弧工藝參數(shù)，以及磁感應(yīng)強(qiáng)度、頻率等縱向磁場(chǎng)工藝參數(shù)的設(shè)置， 提高了激光-電弧復(fù)合焊接的能量耦合效率及焊縫成形質(zhì)量。 

揭示了轉(zhuǎn)錄因子Sox2同時(shí)結(jié)合DNA和RNA并協(xié)同調(diào)控體細(xì)胞重編程的新機(jī)制，著重強(qiáng)調(diào)了在體細(xì)胞重編程過程中Sox2與RNA的直接相互作用的功能。?通過PAR-CLIP和RNA SELEX確認(rèn)了Sox2與RNA直接相互作用，進(jìn)一步的測(cè)序分析發(fā)現(xiàn)Sox2偏好性結(jié)合一個(gè)CCCY核心基序和一個(gè)CGCG的二級(jí)基序。隨后，研究人員利用EMSA和RNA免疫沉淀（RNA-immunoprecipitation assay）等手段確定了Sox2的RNA結(jié)合結(jié)構(gòu)域（RBM），該結(jié)構(gòu)域具有優(yōu)先結(jié)合富含GC的RNA序列的特征。另外，通過RNA fishing實(shí)驗(yàn)和競(jìng)爭(zhēng)性結(jié)合實(shí)驗(yàn)等的進(jìn)一步分析，發(fā)現(xiàn)在DNA和RNA共同存在的情況下，Sox2使用其HMG結(jié)構(gòu)域結(jié)合同源DNA序列，并同時(shí)利用RBM結(jié)構(gòu)域在體外介導(dǎo)三元RNA/Sox2/DNA復(fù)合物的形成。除此之外，通過比較Oct4、Klf4、c-Myc (OKM)“雞尾酒”以及不同Sox2突變體誘導(dǎo)下iPSC生成的效率發(fā)現(xiàn)，刪除Sox2 的RBM結(jié)構(gòu)域會(huì)影響iPSC的生成，并且顯著地改變了體細(xì)胞重編程過程中的選擇性剪接事件。       該研究加深了人們對(duì)Sox2蛋白調(diào)控多能性重編程機(jī)制的理解，進(jìn)一步闡明了DRBPs對(duì)RNA代謝的調(diào)控機(jī)制。

本實(shí)用新型公開了一種基于切換式填充床反應(yīng)器的CO2循環(huán)脫除裝置，包括至少兩個(gè)填充床反應(yīng)器,各個(gè)填充床反應(yīng)器下部的進(jìn)口端分別與煙氣進(jìn)氣管路、燃料氣進(jìn)氣管路、氧氣進(jìn)氣管路相連接，各個(gè)填充床反應(yīng)器上部的出口端分別與脫除CO2后煙氣排氣管路、CO2富集煙氣排氣管路相連接，所述煙氣進(jìn)氣管路、燃料氣進(jìn)氣管路、氧氣進(jìn)氣管路、脫除CO2后煙氣排氣管路、CO2富集煙氣排氣管路與填充床反應(yīng)器的進(jìn)口端、出口端之間分別設(shè)有啟閉控制閥門。本實(shí)用新型通過采用固定填充床作為反應(yīng)裝置，規(guī)避流化床反應(yīng)器存在的系統(tǒng)復(fù)雜、物料分離輸運(yùn)操

本發(fā)明公開一種ZIF-8-SiO2雜化固定相的制備方法，首先以核殼結(jié)構(gòu)的SiO2顆粒作為基體，在其表面修飾羧基，然后再通過控制反應(yīng)條件，將ZIF-8材料修飾到SiO2顆粒殼層孔道內(nèi)部，所得ZIF-8-SiO2顆?？椎廊詾樵蠸iO2核殼顆粒的孔道結(jié)構(gòu)，且ZIF-8修飾層的生長速度和厚度可控，所制得ZIF-8-SiO2雜化顆粒的孔徑在10nm以上，完全符合色譜分離所需色譜固定相顆粒孔徑在10nm以上的要求，色譜分離柱效結(jié)果理想。

本發(fā)明屬于納米薄膜材料制備技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種Fe2O3納米薄膜卷曲管的制備方法，利用電子束沉積鍍膜技術(shù)和納米膜卷曲技術(shù)，先制備單質(zhì)Fe的納米膜卷曲管結(jié)構(gòu)，然后在空氣氣氛下退火得到Fe2O3納米膜卷曲管；其制備工藝簡(jiǎn)單，操作方便，原理科學(xué)，無污染，環(huán)境友好，能夠有效控制卷曲管的管壁厚度，制備的納米膜卷曲管長度能達(dá)到幾百微米。本發(fā)明在新能源、氣敏、催化、等領(lǐng)域具有重要用途。

小試階段/nβ-Sialon材料常用的工業(yè)合成方法是以高純的Si3N4、Al2O3、AlN和SiO2位原料通過高溫固相法合成，但由于該方法中原料價(jià)格昂貴導(dǎo)致過高的生產(chǎn)成本，進(jìn)而限制β-Sialon材料的廣泛使用。目前合成β-Sialon材料的溫度較高和產(chǎn)品中雜質(zhì)較多。本專利旨在克服以上技術(shù)缺陷，目的是提供一種合成溫度低、工藝簡(jiǎn)單和產(chǎn)品純度高的β-Sialon/Al2O3復(fù)合粉體的制備方法。本專利技術(shù)采用工業(yè)上易得的氧化鋁粉、硅粉和鋁粉為原料，通過一定的混合處理后，在1100-1300℃溫度下即可得到