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中國(guó)天眼FAST納赫茲引力波搜尋研究取得重大突破
近日，由中國(guó)科學(xué)院國(guó)家天文臺(tái)等單位科研人員組成的中國(guó)脈沖星測(cè)時(shí)陣列（CPTA）研究團(tuán)隊(duì)利用中國(guó)天眼FAST，探測(cè)到納赫茲引力波存在的關(guān)鍵性證據(jù)，表明我國(guó)納赫茲引力波研究與國(guó)際同步達(dá)到領(lǐng)先水平。
中國(guó)科學(xué)院國(guó)家天文臺(tái)
2023-06-29
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一種電力系統(tǒng)故障錄波回放方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種電力系統(tǒng)故障錄波回放方法，采用雙 Picturebox 交互繪圖，其中畫(huà)布 Picturebox1 用于繪制波形圖， Picturebox2 用于繪制放大矩形框和定位光標(biāo)，并且采用雙緩沖技術(shù)， 在繪制多面板、多通道時(shí)，先將所有面板繪制在緩沖區(qū)里，然后一次 性在 Picturebox 上繪制；顯示全局圖時(shí)，減小采樣率；查看局部時(shí)， 按真實(shí)采樣點(diǎn)數(shù)繪制；波形放大平移后，只繪制用戶(hù)可見(jiàn)時(shí)間區(qū)間內(nèi) 的點(diǎn)。這樣可以避免在繪制放大矩形框或拖動(dòng)光標(biāo)時(shí)不斷重繪波形圖， 提高流暢度。
華中科技大學(xué)
2021-04-14
基于磁致伸縮扭轉(zhuǎn)波檢測(cè)導(dǎo)磁構(gòu)件缺陷的裝置
基于磁致伸縮扭轉(zhuǎn)波檢測(cè)導(dǎo)磁構(gòu)件缺陷的裝置，屬于超聲波無(wú)損檢測(cè)裝置，目的在于克服縱向模式導(dǎo)波衰減較大，存在明顯頻散效應(yīng)的不足，檢測(cè)時(shí)無(wú)須對(duì)構(gòu)件表面進(jìn)行處理。本發(fā)明包括脈沖信號(hào)發(fā)生器、功率放大器、磁致伸縮扭轉(zhuǎn)波傳感器、信號(hào)預(yù)處理器、A/D 轉(zhuǎn)換器以及計(jì)算機(jī)；磁致伸縮扭轉(zhuǎn)波傳感器包括激勵(lì)單元和接收單元。計(jì)算機(jī)控制脈沖信號(hào)的產(chǎn)生，經(jīng)功率放大器放大，通過(guò)激勵(lì)單元在構(gòu)件中產(chǎn)生扭轉(zhuǎn)波，接收單元接收構(gòu)件中傳播的扭轉(zhuǎn)波，經(jīng)信號(hào)預(yù)處理器處理，通過(guò) A/D 轉(zhuǎn)換器轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)，通過(guò)計(jì)算機(jī)處理獲得構(gòu)件的缺陷信息。本發(fā)明可
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種異構(gòu)毫米波蜂窩網(wǎng)絡(luò)的速率估計(jì)方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種異構(gòu)毫米波蜂窩網(wǎng)絡(luò)的速率估計(jì)方法，首先，以典型用戶(hù)終端為中心，在視距鏈路情況和非視距鏈路情況下，對(duì)小型基站與微基站對(duì)應(yīng)的兩層網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行對(duì)應(yīng)比例縮放，使之能夠視為虛擬單層網(wǎng)絡(luò)；然后根據(jù)典型用戶(hù)終端在網(wǎng)絡(luò)中所處的位置，宏基站實(shí)現(xiàn)信號(hào)的調(diào)度，根據(jù)虛擬單層網(wǎng)絡(luò)為用戶(hù)分配最近小型基站或者微基站，再由毫米波通信的小型基站和微基站為用戶(hù)提供具體服務(wù)。在此基礎(chǔ)上，估計(jì)網(wǎng)絡(luò)的平均可達(dá)速率。由于考慮到了環(huán)境因素對(duì)毫米波通信的影響，區(qū)分視距情況與非視距情況，將多層毫米波網(wǎng)絡(luò)歸一化為單層虛擬網(wǎng)絡(luò)，使之在虛擬單層網(wǎng)絡(luò)中距離用戶(hù)最近基站即為用戶(hù)的服務(wù)基站，提高了異構(gòu)毫米波蜂窩網(wǎng)絡(luò)速率估計(jì)的準(zhǔn)確性。
華中科技大學(xué)
2021-04-11
一種用于產(chǎn)生 OAM 波的環(huán)形縫隙天線(xiàn)
本發(fā)明公開(kāi)了一種用于產(chǎn)生 OAM 波的環(huán)形縫隙天線(xiàn)，包括介質(zhì)基板、矩形金屬貼片陣列和環(huán)形縫隙金屬板；環(huán)形縫隙金屬板設(shè)置在介質(zhì)基板的正面，矩形金屬貼片均勻陣列分布在介質(zhì)基板背面與環(huán)形縫隙金屬板的環(huán)形縫隙正對(duì)的位置；矩形金屬貼片的長(zhǎng)度大于環(huán)形縫隙寬度；其優(yōu)選方案還包括饋電電路和金屬反射板；饋電電路包括相移器和功分器，用于將一路輸入信號(hào)分成 N 路幅值相等、相位等差的輸出信號(hào)，經(jīng)由矩形金屬貼片陣列給環(huán)形縫隙天線(xiàn)饋電；金屬反射板位于環(huán)形縫隙天線(xiàn)下方，以增強(qiáng)天線(xiàn)的正向輻射。本發(fā)明提供的這種環(huán)形縫隙天線(xiàn)天線(xiàn)能夠產(chǎn)生特定模式的 OAM 波，為生成 OAM 波提供了一種低成本、微型化的解決方法。
華中科技大學(xué)
2021-04-11
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寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅電力電子器件技術(shù)
寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅(SiC)材料是第三代半導(dǎo)體的典型代表之一，具有寬帶隙、高飽和電子漂移速度、高臨界擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率等突出優(yōu)點(diǎn)，能滿(mǎn)足下一代電力電子裝備對(duì)功率器件更大功率、更小體積和更惡劣條件下工作的要求，正逐步應(yīng)用于混合動(dòng)力車(chē)輛、電動(dòng)汽車(chē)、太陽(yáng)能發(fā)電、列車(chē)牽引設(shè)備、高壓直流輸電設(shè)備以及艦艇、飛機(jī)等軍事設(shè)備的功率電子系統(tǒng)領(lǐng)域。與傳統(tǒng)硅功率器件相比，目前已實(shí)用化的SiC功率模塊可降低功耗50%以上，從而減少甚至取消冷卻系統(tǒng)，大幅度降低系統(tǒng)體積和重量，因此SiC功率器件也被譽(yù)為帶動(dòng)“新能源革命”的“綠色能源”器件。 本團(tuán)隊(duì)在SiC功率器件擊穿機(jī)理、SiC功率器件結(jié)終端技術(shù)、SiC新型器件結(jié)構(gòu)、器件理論研究和器件研制等方面具有豐富經(jīng)驗(yàn)，能夠提供完整的大功率SiC電力電子器件的設(shè)計(jì)與研制方案。目前基于國(guó)內(nèi)工藝平臺(tái)制作出1600V/2A-2500V/1A的SiC DMOS晶體管（圖1，有源區(qū)面積0.9mm2）；4000V/30A的SiC PiN二極管（圖2）；擊穿電壓>5000V的SiC JBS二極管（圖3）。 a b c 圖1 1.6-2.5kV SiC DMOS器件：(a)晶圓照片(b)正向IV測(cè)試曲線(xiàn)(c)反向擊穿電壓測(cè)試曲線(xiàn) a b c 圖2 4kV/30A SiC PiN器件：(a)晶圓照片(b)正向?qū)y(cè)試曲線(xiàn)(c)反向擊穿電壓測(cè)試曲線(xiàn) a b c 圖3 5kV SiC JBS器件：(a)顯微照片(b)正向?qū)y(cè)試曲線(xiàn)(c)反向擊穿電壓測(cè)試曲線(xiàn)
電子科技大學(xué)
2021-04-10
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一種基于全息波導(dǎo)的頭戴式顯示器件
本發(fā)明公開(kāi)了一種基于全息波導(dǎo)的頭戴式顯示器件，該器件包括入耦合光柵（１）、左視場(chǎng)偏折光柵（２）、右視場(chǎng)偏折光柵（３）、出耦合光柵（４）、矩形波導(dǎo)（５）；入耦合光柵（１）、左視場(chǎng)偏折光柵（２）、右視場(chǎng)偏折光柵（３）、出耦合光柵（４）、貼附于矩形波導(dǎo)（５）的上表面或下表面；入耦合光柵（１）、左視場(chǎng)偏折光柵（２）、右視場(chǎng)偏折光柵（３）、出耦合光柵（４）、矩形波導(dǎo)（５）貼于上表面或下表面由出入瞳光線(xiàn)設(shè)計(jì)方向決定。本發(fā)明利用光瞳重塑方式解決了傳統(tǒng)二維擴(kuò)瞳方式產(chǎn)生的大視場(chǎng)角情況下的視場(chǎng)分離。
東南大學(xué)
2021-04-11
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高溫壓電振動(dòng)能量回收器件和高溫驅(qū)動(dòng)器
傳統(tǒng)PZT壓電陶瓷應(yīng)用廣泛，但在居里溫度較低，環(huán)境溫度較高時(shí)，PZT陶瓷樣品極易退極化。隨著壓電材料的應(yīng)用范圍的進(jìn)一步拓展，一些極端條件對(duì)壓電陶瓷的應(yīng)用提出了新的挑戰(zhàn)。北京大學(xué)工學(xué)院實(shí)驗(yàn)室利用高居里點(diǎn)的鈧酸鉍-鈦酸鉛壓電陶瓷制備了基于d31模式和d33模式的應(yīng)用于高溫環(huán)境中的壓電振動(dòng)能量回收器，器件可以穩(wěn)定地工作在150℃以上的高溫環(huán)境中。高溫下由于電疇被活化，器件的壓電系數(shù)和相應(yīng)的輸出功率比室溫時(shí)提高一倍以上。 與壓電能量回收器不同的是，壓電驅(qū)動(dòng)器是一種利用壓電效應(yīng)，將電能轉(zhuǎn)化為機(jī)械能實(shí)現(xiàn)納米級(jí)驅(qū)動(dòng)的器件，壓電驅(qū)動(dòng)器利用壓電材料的準(zhǔn)靜態(tài)逆壓電效應(yīng)實(shí)現(xiàn)10微米至100微米的微小位移；同時(shí)，還可以利用壓電陶瓷的高溫諧振動(dòng)效應(yīng)制備高溫壓電馬達(dá)。
北京大學(xué)
2021-02-01
寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅電力電子器件技術(shù)
本團(tuán)隊(duì)在SiC功率器件擊穿機(jī)理、SiC功率器件結(jié)終端技術(shù)、SiC新型器件結(jié)構(gòu)、器件理論研究和器件研制等方面具有豐富經(jīng)驗(yàn)，能夠提供完整的大功率SiC電力電子器件的設(shè)計(jì)與研制方案。
電子科技大學(xué)
2021-04-10
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磁流體熱磁對(duì)流在電子器件散熱中的應(yīng)用
項(xiàng)目概況 針對(duì)小型化、集成化、高頻率和高運(yùn)算速度的電子器件，應(yīng)用磁流體的熱磁對(duì)流效應(yīng)，把磁流體作為新一代高效傳熱冷卻技術(shù)用于高密度高功率電子器件設(shè)備中。 主要特點(diǎn) 1. 選擇合適的外加磁場(chǎng)和屏蔽技術(shù)。 2．溫度區(qū)內(nèi)磁場(chǎng)梯度條件和粒子濃度的準(zhǔn)確控制 3．磁流體微型熱管散熱過(guò)程的磁場(chǎng)的準(zhǔn)確定位。 技術(shù)指標(biāo) 建立適合電子器件密集環(huán)境下適用磁流體散熱技術(shù)及相應(yīng)的磁場(chǎng)條件和屏蔽技術(shù)，提高了磁流體在磁場(chǎng)、熱場(chǎng)和重力場(chǎng)協(xié)同作用下的流動(dòng)傳熱效果。促進(jìn)節(jié)能環(huán)保技術(shù)的發(fā)展，達(dá)到節(jié)能減排的綠色材料應(yīng)用。市場(chǎng)前景 目前該項(xiàng)目已通過(guò)現(xiàn)場(chǎng)的工業(yè)化證明，散熱效果好，能達(dá)到電子器件冷卻要求，滿(mǎn)足工業(yè)生產(chǎn)的需求，在生產(chǎn)過(guò)程中無(wú)污染，無(wú)三廢排放。該項(xiàng)目可應(yīng)用于高密度、高功率電子器件密集環(huán)境下的散熱設(shè)備中，具有較好的經(jīng)濟(jì)效益和社會(huì)效益。
南京工程學(xué)院
2021-04-11