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本發明公開了一種鈣鈦礦太陽能電池與超級電容器集成件及制 備方法，其包括超級電容器和兩塊鈣鈦礦太陽能電池組，超級電容器 包括表面印刷有碳電極的導電基底，導電基底夾在兩塊太陽能電池組 中間，并由固態電解質層隔離;鈣鈦礦太陽能電池組包括多個串聯的太陽能電池單元，太陽能電池單元包括導電基底、光陽極、鈣鈦礦層 和碳電極，其中，位于左端的太陽能電池單元的碳電極既作為鈣鈦礦 太陽能電池組的正極，又作為超級電容器的正極，位于右端的太陽能 電池單元的導電基底與超級電容器的導電基底相連，使光照產生的電 子傳輸于超級電容

本發明涉及壓力傳感器技術領域，特指一種寬量程高精度集成雙膜電容式壓力傳感器及制作方法，包括玻璃襯底，玻璃襯底上設有淺槽一與淺槽二，淺槽一與淺槽二通過細槽連通，淺槽二中心位置設有淺槽通孔，淺槽通孔從淺槽二底面延至玻璃襯底底面，淺槽一上設有可測量低壓差的電容Ｃ１，淺槽二上設有可測量高壓差的電容Ｃ２，可測量低壓差的電容Ｃ１包括底電極板與薄壓力敏感膜，可測量高壓差的電容Ｃ２包括厚壓力敏感膜與頂電極板，淺槽通孔通過細槽與可測量低壓差的電容Ｃ１對應設置，淺槽通孔通過淺槽二與可測量高壓差的電容Ｃ２對應設置。本發明通過可測量低壓差的電容Ｃ１與可測量高壓差的電容Ｃ２分別實現了壓力在低壓段與高壓段的高精度測量。

本發明公開了一種基于開槽結構的四分之一?；刹▽V波器，包括四分之一?；刹▽Щ⌒吻唬姆种荒；刹▽Щ⌒吻煌ㄟ^基片集成波導圓形腔沿任意兩條相互垂直的磁壁分割得到，四分之一?；刹▽Щ⌒吻话ń橘|基片，介質基片的上表面設有上金屬層，介質基片的下表面設有下金屬層，介質基片中沿四分之一?；刹▽Щ⌒吻坏闹芟蚓鶆蚍植加胸灤┥辖饘賹雍拖陆饘賹拥慕饘偻住１景l明相對于傳統的基片集成波導圓形腔有效實現了小型化。并且，相對于傳統的多層結構，本發明結構簡單，加工方便。此外，相對于傳統的微帶結構，本發明的濾波器品質因數高，損耗小。

集成電路是微電子技術的核心，與國防和國民經濟現代化, 乃至人們的文化生活都息息相關。集成電路由芯片和框架經封裝而成, 其中框架既是骨架又是半導體芯片與外界的聯接電路, 是芯片的散熱通道, 又是連結電路板的橋梁, 因此框架在集成電路器件和各組裝程序中占有極其重要的地位，目前，由于集成電路向高密度, 高集成化方向發展, 芯片的散熱問題已成為突出矛盾。集成電路大規模和超大規模的迅速推進，對集成電路框架及材料提出了高、精、尖、短、小、輕、薄的要求，過去廣泛使用的鐵鎳42合金已不能滿足要求。而銅合金框架材料, 利用銅合金優良的傳熱性能, 加入少量強化元素, 通過固溶強化和彌散強化提高其強度, 同時僅稍微損失導熱性能。目前，銅合金框架已成為主體，形成了中強中導、高強中導、高強高導合金系列。以前，由于在合金的熔煉工藝、軋制和熱處理工藝以及板型控制等關鍵技術與國外先進水平有較大差距，我國所使用的大規模集成電路引線框架材料長期以來都是依靠進口。目前，本課題組通過一系列研究，開發了具有自主知識產權的Cu-Ni-Si系合金，并實現了Cu-Fe-P 系合金銅帶和異型帶的國產化大規模生產。 一、Cu-Ni-Si系銅合金主要性能指標 1.抗拉強度σb：650～750MPa； 2.延伸率>8%； 3.導電率：45～60%IACS。 二、Cu-Fe-P系銅合金主要性能指標 1.抗拉強度σb：450～600MPa； 2.延伸率>7%； 3.導電率：60～80%IACS。

本課題組研究方向為智能交通與車輛主動安全，項目涉及交通信息與安全、行車主動服務、智能網聯汽車等領域。相關研究成果可以給予相關部門、 企業提供理論基礎和技術支持。研發的車牌識別系統，可以實現停車場出入口收費管理、盜搶車輛管理、高速公路超速自動化管理等功能；基于身份信息的無證駕駛輔助識別方法與系統， 實現司機與車輛信息的匹配，解決無證者的違法駕駛問題，同時預防車輛被盜；基于激光的車頭與障礙物間距離檢測裝置及方法，魯棒性優良， 避免了傳統檢測方式的盲區監測問題，減少駕駛員信息處理量， 有助于

天津大學“英才計劃”特聘研究員吉科猛團隊聯合湖南大學譚勇文教授團隊利用鈷磷合金研發出僅用一步即可制成電池電極的電化學腐蝕制備技術。

成果簡介： 針對紅茶揮發性芳香組分復雜、分子量大、濃度低、易揮發等共性特征，制備高性能的無機-有機雜化混合基質滲透汽化膜，明確膜性能參數與過程應用性能之間的構效關系，發展面向應用的膜性能調控方法；結合過程參數優化，改善速溶紅茶揮發性芳香物的分離因子和通量，并最終形成速溶紅茶揮發性芳香物的滲透汽化膜回收技術體系，為速溶茶產品的香氣修復，提高產品風味品質奠定重

集成電路是微電子技術的核心，與國防和國民經濟現代化，乃至人們的文化生活都息息相關。集成電路由芯片和框架經封裝而成，其中框架既是骨架又是半導體芯片與外界的聯接電路，是芯片的散熱通道，又是連結電路板的橋梁，因此框架在集成電路器件和各組裝程序中占有極其重要的地位，目前，由于集成電路向高密度，高集成化方向發展，芯片的散熱問題已成為突出矛盾。集成電路大規模和超大規模的迅速推進，對集成電路框架及材料提出了高、精、尖、短、小、輕、薄的要求，過去廣泛使用的鐵鎳42合金已不能滿足要求。而銅合金框架材料，利用銅合金優良的傳熱性能，加入少量強化元素，通過固溶強化和彌散強化提高其強度，同時僅稍微損失導熱性能。目前，銅合金框架已成為主體，形成了中強中導、高強中導、高強高導合金系列。以前，由于在合金的熔煉工藝、軋制和熱處理工藝以及板型控制等關鍵技術與國外先進水平有較大差距，我國所使用的大規模集成電路引線框架材料長期以來都是依靠進口。目前，本課題組通過一系列研究，開發了具有自主知識產權的Cu-Ni-Si系合金，并實現了Cu-Fe-P 系合金銅帶和異型帶的國產化大規模生產。

膜技術特別是超濾膜技術廣泛應用到海水和水體凈化、化工分離、醫藥和食 品等領域。但是，目前的膜材料耐污染能力和選擇性均有限，且成本高，限制了 膜技術的廣泛應用。該技術通過酸化 ZrxSi1-x O2 /Al2O3 功能材料的制備、在多孔支 撐體表面組裝成自組裝膜和集成設備后具有親水、耐污染、選擇性吸附和凈化的 性能，可廣泛用于海水淡化預處理、含油海水和污水的凈化等，并已進行了 200 升/小時自組裝膜集成設備現場運行，完全可以產業化。 該技術通過酸化 ZrxSi1-x O2 /Al2O3 功能材料的制備、在多孔支撐體表面組裝成自組 裝膜和集成設備，該自組裝膜集成設備對海水和含油海水凈化后可以分別達到碎 屑巖油藏注水 A3 級標準(SY/T 5329-94)和天津市污水綜合排放 1 級標準 (DB12/356—2008)，以及海水淡化反滲透膜的進水(濁度≤0.3NTU, SDI≤4)和向環境 排放及回用的要求(固體懸浮物≤3mg/L，油含量≤8mg/L，COD≤50mg/L)，在 0.1Mpa 壓力下的通量大于 500L/m2h，凈化 1 噸海水的成本約 0.2-0.3 元人民幣，成本低， 可進行重復利用，可代替目前使用的聚合物超濾膜裝置（1.7－2 元，材料無法回 收利用，通量低）。 成果水平：國內領先，2 項發明專利 市場分析及前景：該技術研制的自組裝膜和集成設備已經進行了 200 升/小時自 組裝膜集成設備的現場運行，完全可以進行產業化。年產 100 噸酸化 ZrxSi1-x O2 /Al2O3功能材料需要投資 500 萬元人民幣（包括固定資產和流動資金），可制造處 理 200 萬噸水的自組裝膜集成設備，需要員工 10-15 人，年利潤大約在 1000 萬 人民幣。1 噸酸化 ZrxSi1-x O2 /Al2O3功能材料組成自組裝膜后可處理含油海水 2 萬噸，核 處理 1 噸含油海水需 0.2-0.3 元人民幣。 主要技術指標：該自組裝膜集成設備對海水和含油海水凈化后可以分別達到碎屑 巖油藏注水 A3 級標準(SY/T 5329-94)和天津市污水綜合排放 1 級標準 150天津大學科技成果選編 (DB12/356—2008)。 合作方式：融資 1000 萬