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本發明公開了一種納米孔電學傳感器。它包括基板、第一絕緣層、對稱性電極、電接觸層、第二絕緣層、納米孔；在基板上依次設有第一絕緣層、對稱性電極，在第一絕緣層上和對稱性電極邊緣上設有電接觸層，在對稱性電極上設有第二絕緣層，在基板、第一絕緣層、對稱性電極和第二絕緣層的中心設有納米孔。本發明的納米電極的厚度可以控制在0.35～0.7nm之間，達到檢測單鏈DNA中的單個堿基的電學特征的分辨率要求，從而適于便宜，快速電子基因測序。本發明的納米孔電學傳感器解決了將納米電極集成于納米孔的技術難點，其制備納米電極的方法簡單。

?  成果簡介：該自動分組測量機是為發動機生產線開發的缸孔測量分組專用設備，也可用于其它大批量生產零件的內孔自動測量分組。該測量機由機械主機和測控系統組成，工件由生產線傳輸滾道進入本機預定位置后，測量機的控制系統自動將工件運送至測量位置，測量并分組后，自動送至標記位置，自動或手動涂漆（或打印）標記。測量系統采用電子式測微傳感器，具有極高的分辨力和重復精度。該測量機的主要技術指標：測頭分辨力：0.1微米；測量重復精度：0.8微米；其中工件運送行程、測頭運動行程及速度由交流伺服電機或

該自動分組測量機是為發動機生產線開發的缸孔測量分組專用設備，也可用于其它大批量生產零件的內孔自動測量分組。 該測量機由機械主機和測控系統組成，工件由生產線傳輸滾道進入本機預定位置后，測量機的控制系統自動將工件運送至測量位置，測量并分組后，自動送至標記位置，自動或手動涂漆（或打印）標記。測量系統采用電子式測微傳感器，具有極高的分辨力和重復精度。 該測量機的主要技術指標:測頭分辨力:0.1微米 測量重復精度:0.8微米 其中工件運送行程、測頭運動行程及速度由交流伺服電機或步進電機控制，可根據測量工藝要求編程。

成果簡介：在機械加工總工作量中，約三分之一為孔加工，而深孔加工過程由于排屑困難、切削溫度高、軸線定向性差是孔加工工藝中的難點。生產實際中深孔加工的效率往往很低，加工精度也難以保證。本項目主要解決在中、大批量生產條件下，深孔加工刀具的設計與制造問題以及相應的切削技術。采用先進的刀具材料、合理的切削幾何結構、有效的排屑及冷卻潤滑方式，可大大提高孔加工刀具的耐用度和加工精度，生產效率增長一倍以上。替代國外同類刀具，刀具壽命提高兩倍以上，刀具轉速可達3000rpm以上。各種發動機中的各種材料的氣門導管孔、

本發明公開了一種納米孔電學傳感器。它包括基板、第一絕緣層、納米功能層、電接觸層、第二絕緣層、納米孔；在基板上依次設有第一絕緣層、納米功能層，在第一絕緣層上和納米功能層邊緣上設有電接觸層，在納米功能層上設有第二絕緣層，在基板、第一絕緣層、納米功能層和第二絕緣層的中心設有納米孔。本發明的納米功能層的厚度可以控制在0.3～0.7nm之間，達到檢測單鏈DNA中的單個堿基的電學特征的分辨率要求，從而適于便宜、快速基因電子測序。本發明的納米孔電學傳感器解決了將納米功能層集成于納米孔的技術難點，其制備納米功能層的方法簡單；解決了DNA堿基穿越納米孔時由于堿基可能存在的不同取向而導致對堿基與納米功能層的相互作用的影響。

本實用新型公開了一種硅晶圓微盲孔金屬填充裝置，包括孔板和真空回流裝置；所述孔板置于硅晶圓的表面的孔板，孔板上加工有多個用于填充金屬小球的小孔，小孔與硅晶圓的微盲孔位置一一對應；所述真空回流裝置用于在真空環境下熔化金屬小球。本實用新型通過孔板小孔大小和厚度，金屬小球的大小來控制每個小孔內外金屬體積和位置，并通過抽真空來避免盲孔填充金屬時由于孔內氣室和金屬表面張力的作用而導致空洞缺陷。

本項目開發了一種具有規整垂直孔道多孔膜的制備方法，主要是以嵌段共聚物為原料，利用溶劑蒸汽退火形成垂直的微相結構，再選擇性溶脹將分散相轉化為孔道。溶劑蒸汽退火是將聚合物膜暴露于溶劑蒸汽中，溶劑分子進入膜內部，促進分子鏈運動，形成規整排列的分相，具有室溫下可操作、簡單方便的特點。選擇性溶脹致孔是一種物理方法，該過程不存在化學反應，無質量損失，可以根據溶脹條件有效調控孔徑。孔徑可在10-50nm范圍內連續調節，膜厚可在20nm-50微米之間調節。

產品詳細介紹  由于qPCR是實時定量檢測致病病原體基因核酸，因此它比化學發光、實時分辨、蛋白芯片等免疫學方法更具獨到優勢。   基因擴增儀實時熒光定量pcr儀|熒光定量pcr儀價格|abi熒光定量pcr儀|熒光定量pcr|熒光定量pcr原理|實時熒光定量pcr|熒光定量pcr技術|熒光定量pcr結果分析|實時熒光定量pcr技術|熒光定量pcr步驟|基因擴增儀-實時熒光定量pcr儀價格原理科研型TC988C（48孔） 產品編號：TC988C   產品規格：48孔X0.2 產品簡介：由于qPCR是實時定量檢測致病病原體基因核酸，因此它比化學發光、實時分辨、蛋白芯片等免疫學方法更具獨到優勢。 產品詳情：僅供科研使用 國際領先水平的TC988型實時熒光定量PCR儀適用于臨床及科研以聚合酶鏈式反應為特征的、以實時熒光定量檢測分析DNA/RNA為目的的病原體檢測及基因分析。 動物疾病檢測：禽流感、新城疫、口蹄疫、豬瘟、沙門菌、大腸埃希菌、胸膜肺炎放線桿菌、寄生蟲病等、炭疽芽孢桿菌。 食品安全：食源微生物、食品過敏源、轉基因、乳品企業阪崎腸桿菌等檢測。 科學研究：醫學、農牧、生物相關分子生物學定量研究。 應用行業：大學及研究所 技術原理： 標記有熒光素的Taqman探針與模板DNA混合后，完成高溫變性，低溫復性，適溫延伸的熱循環，并遵守聚合酶鏈反應規律，與模板DNA互補配對的Taqman探針被切斷，熒光素游離于反應體系中，在特定光激發下發出熒光，隨著循環次數的增加，被擴增的目的基因片段呈指數規律增長，通過實時檢測與之對應的隨擴增而變化熒光信號強度，求得CT值，同時利用數個已知模板濃度的標準品作對照，即可得出待測標本目的基因的拷貝數。 技術參數： 標本載體 0.2ml薄壁PCR離心管 標本數量 標本數量48個，包括4個標準品 試    劑 SYBR Green I，FAM，Tex Red，FITC等熒光染料，開放式PCR試劑 反應體系 10-100μL 建議質控 四個陽性標準品、陰性對照   指標 熒光激發波長 470nm 熒光發射波長 530nm，640nm，710nm 570nm，605nm 熒光檢測方式 光開關陣列組合光電倍增管PMT方式? 控溫范圍 4.0℃-99.0℃? 熱蓋溫度 100℃～120℃? 升/降溫速度 ≥4.0℃/S（Max）? 溫度均勻性 ≤±0.3℃? 溫度精確度 ≤±0.3℃? 溫度顯示精度 0.1℃? 檢測范圍 101～1010DNA/RNA copy/ml CT值重復性誤差 CV≤2.1％?重要 核酸精度相關系數 R≥0.997?重要   軟件 溫階 1～9 循環 1～99 保溫時間 1～9999秒     +.3.0.0.0..366999文件 1～9個連接 升級方式 遠程硬件內控軟件升級   系統接口 RS-232C串行接口，雙向數據 主機操作系統 Windows2000/XP 產品外形尺寸 50cm× 40cm × 35cm 產品重量 25kg 使用環境 溫度5～40℃，相對濕度≤80％ 使用電源 AC220 × （1±10%）V,50 × （1±2%）HZ 功耗 1100VA   多規格 提供96孔，多通道/多色、36孔等不同規格產品 產品特點： 專利技術應用實現快速高效均衡擴增檢測由光開關陣列、自聚焦透鏡和尾纖準直器及變增益微光O/E裝置組成的MEMS有機整體，在以16位單片機為核心的電控裝置管理下，能在毫秒級時間內完成多個標本快速均衡掃描檢測，避免了機械掃描方式或CCD掃描方式引起的時間滯后或漸暈誤差。實現標準樣本的PCR熱循環擴增及高通量實時熒光激發和定量檢測。  1.走在PCR技術的前列 在PCR儀研發和市場化領域中歷史悠久； 將標準化的PCR檢測技術成功廣泛用于臨床；  2.快速實時PCR技術實現了DNA/mRNA檢測的快速性 實時檢測啟用熒光探針標記特定核酸的93 方法使準確性更高； 簡化了傳統PCR方法； 使用最少的樣本量，在一小時左右出結果； 3.簡便閉管分析使您完成加樣后就無須再接觸樣本 減少樣本消耗殆盡風險； 縮短了出報告時間； 簡化了試驗步驟； 4.提高了用戶高級應用的靈活性 提供了用戶自定義PCR操作平臺； 建立您的用戶自定義應用； 分析用戶自定義試驗； 相關鏈接：http://www.tocan.cn/index.php?do=product&CategoryID=1004   詳情請鏈接網址：www.tocan.cn聯系電話：021-51863860、18917331948   聯系QQ：278622785                          傳　　真：021-55236681 公司地址：上海市翔殷路165號A區319室 郵編：200433

本發明涉及氧還原催化劑的制備方法，旨在提供一種含硫、氮和過渡金屬元素大孔碳氧化原催化劑的制備方法。該方法是：將硫脲溶液加入葡萄糖溶液，于水浴中滴加鹽酸，反應得到葡萄糖硫脲預聚體溶液；將含過渡金屬鹽和納米CaCO3粉末的懸濁液加入其中，加熱反應后噴霧干燥，得到催化劑前驅體；然后升溫進行深度聚合、碳化；冷卻球磨，再使用鹽酸去除模板，漂洗后干燥，得到產品。本發明將過渡金屬元素在多孔材料形成前加入，能夠形成更多的催化中心，是催化中心的分布更加均勻。得到的催化劑比表面積大，導電性好，具有極高的催化活性，特別適用于大電流工作狀況。合成的非貴金屬催化劑可用于多種燃料電池，也可作為空氣電池的陰極催化劑，成本低廉。

本發明公開了一種基于深孔填充的三維半導體存儲器件及其制 備方法。該制備方法適用于制備三維半導體存儲器的 U 型溝道：采用 雙離子束沉積技術，一束離子轟擊靶材，使材料原子發生溢出，原子 沿軌跡沉積到深孔中，一束離子轟擊深孔表面，使沉積的材料無法覆 蓋深孔頂部，從而確保三維半導體存儲器件 U 型溝道的完整形成。U 型溝道的半導體存儲器件的電極從器件上方引出，減小了電極的接觸 面積，同時U型半導體存儲器件的NAND串可以包