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采用我們的激光陶瓷制備技術(shù)，我們成功制備出高質(zhì)量的Ce：YAG陶瓷熒光體，應(yīng)用于白光LED照明領(lǐng)域，已獲得130 lm/W的流明效率，顯色指數(shù)達(dá)85，通過(guò)控制陶瓷熒光體的厚度和Ce離子摻雜濃度，可以方便的解決白光分檔的難題。如圖1、圖2、圖3所示分別為所制備Ce:YAG陶瓷的實(shí)物照片、吸收譜和發(fā)光性能測(cè)試時(shí)的照片。由于陶瓷熒光體的熱導(dǎo)率遠(yuǎn)高于傳統(tǒng)熒光粉與樹脂的固化體，可顯著改善熱管理，這將徹底解決熒光粉因?yàn)闇囟壬仙馃徕缢鶎?dǎo)致的光衰和光色不穩(wěn)等問(wèn)題。該陶瓷熒光體不含任何有機(jī)物，可實(shí)現(xiàn)全無(wú)機(jī)封裝，由于樹脂等有機(jī)物高溫老化所導(dǎo)致的發(fā)光體層發(fā)黑、變色甚至失效等問(wèn)題將不復(fù)存在，這將顯著延長(zhǎng)白光LED的壽命和發(fā)光穩(wěn)定性。通過(guò)采用高效率藍(lán)光芯片，預(yù)計(jì)可進(jìn)一步提高白光LED的流明效率。該技術(shù)路線與目前Philips Lumileds公司在其功率型白光LED方面所采取的技術(shù)方案類似（Lumiramic陶瓷熒光體技術(shù)）。相比而言，我們的陶瓷熒光體的制備技術(shù)具有制備更簡(jiǎn)便、成本更低、使用更靈活等優(yōu)勢(shì)。此外，該陶瓷熒光體也適用于遠(yuǎn)程熒光體的解決方案，與Intematix（英特美）公司現(xiàn)有的遠(yuǎn)程熒光體（樹脂加熒光粉的固化體）相比，我們的陶瓷熒光體方案具有更高的光抽取效率和更均勻的發(fā)光性能，可望用于射燈、室內(nèi)筒燈、舞臺(tái)和廣告牌裝飾燈等對(duì)亮度要求較高的場(chǎng)合。陶瓷熒光體在高端功率型白光LED領(lǐng)域的應(yīng)用才剛剛開始，隨著白光LED照明的不斷普及和應(yīng)用領(lǐng)域?qū)Π坠釲ED功率和效率需求的不斷上升，其重要性已逐漸引起市場(chǎng)關(guān)注，預(yù)計(jì)將來(lái)3-5年，市場(chǎng)規(guī)模將有大幅度增長(zhǎng)。

由于在可靠性、穩(wěn)定性、生產(chǎn)工藝可操作性方面仍存在問(wèn)題，國(guó)內(nèi)主流高 頻靜電除塵電源（基于 LC 或 LLC 諧振技術(shù)的同類高頻靜電除塵電源），雖誕 生十多年且在效率、除塵率方面大幅優(yōu)于傳統(tǒng)的工頻靜電除塵電源，但是在國(guó) 內(nèi)市場(chǎng)仍未獲得大幅推廣應(yīng)用。近幾年因?yàn)榄h(huán)保需求推動(dòng)，高頻靜電除塵電源 的市場(chǎng)推廣有加速趨勢(shì)，但仍未大面積鋪開。該項(xiàng)目為一種大功率直流饋電模 式高頻高壓靜電除塵電源，在可靠性、穩(wěn)定性、生產(chǎn)工藝可控性方面顯著優(yōu)于 目前國(guó)內(nèi)主流產(chǎn)品（國(guó)外產(chǎn)品因缺少數(shù)據(jù)具體情況不太了解），同時(shí)相較于傳 統(tǒng)工頻靜電除塵電源，在效率和除塵率方面獲得大幅提升（可確定有 20-50%提 高幅度）。該產(chǎn)品在中國(guó)北方基本空白，山東省可以確定填補(bǔ)空白。 該項(xiàng)目目前已經(jīng)完成第一款驗(yàn)證樣機(jī)制作和測(cè)試，達(dá)到穩(wěn)定輸出 100- 300mA/72KV 直流高壓，且經(jīng)歷數(shù)百次輸出開路、短路實(shí)驗(yàn)考驗(yàn)。可以說(shuō)該樣 機(jī)已經(jīng)在原理上和測(cè)試中證明了，相較其它高頻除塵電源，該樣機(jī)有更高的可 40 靠性、穩(wěn)定性和生產(chǎn)工藝可操作性。 由于經(jīng)費(fèi)限制，以及合作方生產(chǎn)條件限制，目前該樣機(jī)仍需對(duì)樣機(jī)的散熱 設(shè)計(jì)進(jìn)行優(yōu)化，同時(shí)也因資金限制一直沒有購(gòu)買、安裝直流高壓大功率負(fù)載設(shè) 備，因此大更大功率樣機(jī)仍未制作和測(cè)試。 也由于合作方非專業(yè)油浸式變壓器生產(chǎn)企業(yè)，缺乏專用的油浸式變壓器抽 真空設(shè)備，該樣機(jī)的高壓變壓器內(nèi)部無(wú)法排凈空氣，導(dǎo)致在高壓生成過(guò)程中， 發(fā)生過(guò)幾十次內(nèi)部擊穿，所幸因該樣機(jī)在安全性、穩(wěn)定性和可靠性方面的優(yōu)勢(shì)， 每次都能及時(shí)保護(hù)，避免了事故發(fā)生。要想避免此類問(wèn)題，需購(gòu)買油浸式高壓 變壓器專用生產(chǎn)、測(cè)試設(shè)備。

項(xiàng)目簡(jiǎn)介 液粘調(diào)速離合器與濕式離合器結(jié)構(gòu)類似，但是應(yīng)用場(chǎng)合不同。液粘調(diào)速離合器是一 種基于液體粘性傳動(dòng)原理，利用液體的粘性（或剪切力）傳遞動(dòng)力，通過(guò)改變摩擦副間 油膜厚度調(diào)節(jié)輸出轉(zhuǎn)速和扭矩、并兼有離合功能的節(jié)能調(diào)速裝置，具有啟動(dòng)沖擊小、無(wú) 級(jí)調(diào)速、同步傳動(dòng)和高效節(jié)能等特點(diǎn)；主要應(yīng)用于電力、冶金、化工等中大功率風(fēng)機(jī)、 水泵等的調(diào)速；以及港口、礦山用帶式輸送機(jī)、刮板送機(jī)等中大型設(shè)備的柔性啟動(dòng)；特 別是在中大功率的風(fēng)電系統(tǒng)中具有更加顯著的節(jié)能效果。 液粘調(diào)速離合器由機(jī)械裝置、液壓系統(tǒng)、電控

本實(shí)用新型公開了一種大功率LED模組的散熱裝置，包括有大功率LED、蒸發(fā)器、冷凝器，蒸發(fā)器呈箱式平板狀，蒸發(fā)器的底部壁面直接與大功率LED焊接，蒸發(fā)器上端壁面與至少一根單管冷凝器連接，冷凝器與蒸發(fā)器的箱體呈凸字型連接結(jié)構(gòu)，冷凝器的頂部密封、底部與蒸發(fā)器的內(nèi)部連通；所述蒸發(fā)器的底部?jī)?nèi)壁面上安裝有肋片結(jié)構(gòu)，肋片結(jié)構(gòu)的周圍注有介質(zhì)。本實(shí)用新型具有散熱效率高、均溫性好、可批量生產(chǎn)、節(jié)能效果明顯等優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)也能解決靠單純地使用導(dǎo)熱系數(shù)大的材料導(dǎo)致成本增加的矛盾。

依托國(guó)際合作與交流，已完成此60 kW逆變器開發(fā)及產(chǎn)業(yè)化試制，目前已完成產(chǎn)品開發(fā)，各項(xiàng)性能指標(biāo)優(yōu)異，達(dá)國(guó)際先進(jìn)水平，目前正與江蘇宏微科技有限公司產(chǎn)學(xué)研合作，開展產(chǎn)業(yè)化試制。

大功率高速直流電動(dòng)伺服缸（產(chǎn)品） 成果簡(jiǎn)介：大功率高速直流電動(dòng)伺服缸具有動(dòng)態(tài)響應(yīng)快、位置精度高、功率質(zhì)量比大的優(yōu)點(diǎn)。此系列高速直流電動(dòng)缸，帶寬≥20Hz，輸出精度≤0.1mm，最大輸出力可達(dá)1t。 項(xiàng)目來(lái)源：自行開發(fā) 技術(shù)領(lǐng)域：先進(jìn)制造 應(yīng)用范圍：高速直線驅(qū)動(dòng) 現(xiàn)狀特點(diǎn)：國(guó)內(nèi)領(lǐng)先技術(shù) 技術(shù)創(chuàng)新：在千瓦級(jí)功率下，實(shí)現(xiàn)了20Hz的高動(dòng)態(tài)響應(yīng)速度。 所在階段：樣機(jī)

產(chǎn)品詳細(xì)介紹 電壓：6V-24V 額定電流：10A(持續(xù)工作無(wú)需散熱器) 額定電流：30A(持續(xù)工作需鋁散熱器) 額定電流：60A(持續(xù)工作需鋁風(fēng)扇散熱器) 注：固態(tài)開關(guān)小，安靜，沒有移動(dòng)部件，防止擊穿和溫度過(guò)高而熔融。出口商品，出口品質(zhì)。

大功率射頻LDMOS器件以其線性度好、增益高、輸出功率大、熱穩(wěn)定性好、效率高、寬帶匹配性能好、價(jià)格低廉等方面的優(yōu)勢(shì)已經(jīng)成為基站、廣播電視發(fā)射機(jī)、航空電子、雷達(dá)等領(lǐng)域等應(yīng)用最廣泛的射頻功率器件。 本團(tuán)隊(duì)利用優(yōu)化的法拉第屏蔽罩結(jié)構(gòu)和版圖布局技術(shù)，基于國(guó)內(nèi)8英吋工藝技術(shù)平臺(tái)，研制出大功率L 和S 波段RF LDMOS 器件（圖1），能夠提供完整的RF LDMOS器件的設(shè)計(jì)與研制方案。目前已制作出頻率0.5GHz，輸出功率>500W，功率增益>18dB、漏極效率>50%的單芯片RF LDMOS 器件；頻率1.2GHz，輸出功率>600W，功率增益>20dB、漏極效率>40%的L波段RF LDMOS 器件；頻率3.1GHz，輸出功率>80W，功率增益>10dB、漏極效率>35%的單芯片S波段RF LDMOS 器件（圖2）。 (a) (b) 圖1 RF LDMOS器件：(a)晶圓顯微照片 (b)封裝器件 a b c 圖2 RF LDMOS器件功率測(cè)試曲線：(a)P波段 (b) L波段 (c) S波段

本團(tuán)隊(duì)利用優(yōu)化的法拉第屏蔽罩結(jié)構(gòu)和版圖布局技術(shù)，基于國(guó)內(nèi)8英吋工藝技術(shù)平臺(tái)，研制出大功率L 和S 波段RF LDMOS 器件，能夠提供完整的RF LDMOS器件的設(shè)計(jì)與研制方案。

隨著電子技術(shù)的不斷發(fā)展，電子器件和芯片性能的提高帶來(lái)電路及其芯片的散熱問(wèn)題日益突出。研究表明：電子器件工作溫度在70～80℃水平時(shí)，每增加1℃，其可靠性就降低5%。同時(shí)由于芯片的不斷集成化和微型化，導(dǎo)致散熱量的迅速增加，傳統(tǒng)的冷卻技術(shù)已經(jīng)不能滿足散熱要求。本技術(shù)開發(fā)了一種制冷劑閃蒸噴霧高效冷卻循環(huán)系統(tǒng)，利用閃蒸霧化和相變傳熱技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了低溫高效換熱，傳熱系數(shù)高達(dá)26533W/(m2·K)，表面溫度在低于60攝氏度熱流密度即可超過(guò)100W/cm2（而常規(guī)水冷條件下元器件表面溫度超過(guò)150攝氏度）。