|
搜索
搜 索
高等教育領(lǐng)域數(shù)字化綜合服務(wù)平臺
.jpg){kind=logo}
基于白光LED器件的可見光無線通信系統(tǒng)
南京郵電大學(xué)
2021-04-14
大學(xué).jpg){kind=logo}
白光LED用硅酸鹽紅色熒光粉制備技術(shù)
采用高溫固相法制備白光LED用硅酸鹽紅色熒光粉，根據(jù)國內(nèi)外的研究和硅酸鹽材料結(jié)構(gòu)，確定正硅酸和焦硅酸鹽類結(jié)構(gòu)，通過高溫固相法合成，從化學(xué)組成、合成工藝、封裝性能進(jìn)行研究，主要研究內(nèi)容有： （1）硅酸鹽熒光粉的粒度，粒度是影響熒光粉性能的重要參數(shù)，粒度反應(yīng)了熒光粉顆粒的大小分布，粒度特性的重要指標(biāo)用D50（粒徑大于它的顆粒體積占50%）和D90/D10（粒度分布的均勻程度）表征。
南京工業(yè)大學(xué)
2021-01-12
.jpg){kind=logo}
白光LED用含氮硅酸鹽綠色發(fā)光材料及制備方法
本發(fā)明涉及一種白光LED用含氮硅酸鹽綠色發(fā)光材料及制備方法。該發(fā)光材料的化學(xué)組成可表示為：Ca2-xSi(O4-yNy) : xEu2+，0.003≤x≤0.06，0.1≤y≤0.8。其制備過程為：（1）以硝酸鈣（CaN2O6·4H2O）、硝酸銪（EuN3O9·6H2O）正硅酸乙酯（C8H20O4Si）、氮化硅（Si3N4）為原料，采用溶膠凝膠法，獲得前驅(qū)體，（2）將所得前驅(qū)體與氮化硅粉體混合均勻，在非還原性氣氛下于1000~1200℃焙燒2~4小時，獲得Ca2-xSi(O4-yNy) : xEu2+熒光粉。所得發(fā)光材料，發(fā)光性能顯著，在近紫外到紫光波長范圍（300~400nm）有寬帶吸收，發(fā)射出強(qiáng)度高的綠色光（500~504nm）。通過氮化硅與前驅(qū)體的混合焙燒，在不需要任何還原氣氛下，將Eu3+還原為Eu2+，制備方法簡單、安全。
四川大學(xué)
2021-04-11
.jpg){kind=logo}
一種高發(fā)光效率的量子點白光 LED 及其制備方法
本發(fā)明屬于量子點 LED 封裝領(lǐng)域，具體涉及一種高發(fā)光效率的量子點白光 LED，其中，LED 芯片固定設(shè)置在基板表面，量子點硅納米球附著在 LED 芯片表面，熒光粉膠將量子點硅納米球和 LED 芯片完全包裹住，所透光殼體直接安裝在基板上或通過一模塑料固定在基板上方，并將熒光粉膠、LED 芯片和量子點硅納米球密封在內(nèi)，透光殼體內(nèi)的空隙處填充有封裝膠。本發(fā)明還公開了一種高發(fā)光效率的量子點白光 LED 的制備方法。本發(fā)明的量子點 LED 能夠顯著提高白光LED 的發(fā)光效率，在生產(chǎn)中能夠更加便捷地控制量子點與熒光粉各自的發(fā)光光譜，從而得到所需的理想型發(fā)光，且可顯著減少量子點的用量，節(jié)約生產(chǎn)成本。
華中科技大學(xué)
2021-04-13
一種低工作溫度的量子點白光 LED 及其制備方法
本發(fā)明屬于量子點 LED 封裝領(lǐng)域，具體涉及一種低工作溫度的量子點白光 LED，其中，LED 芯片固定設(shè)置在基板表面，量子點硅納米球附著在 LED 芯片表面，透光殼體內(nèi)表面附著有一層熒光粉膠，該透光殼體直接安裝在基板上或通過一模塑料固定在基板上方，并將LED 芯片和量子點硅納米球密封在內(nèi)，透光殼體內(nèi)還填充有封裝膠將量子點硅納米球和熒光粉膠隔離。本發(fā)明還公開了一種低工作溫度的量子點白光 LED 的制備方法。本發(fā)明的量子點 LED 利用封裝膠將熒光粉膠和量子點硅納米球隔離，可降低量子點工作溫度，減少重吸收損失，提高白光 LED 的發(fā)光效率；還能減少量子點的用量，控制量子點與熒光粉各自的發(fā)光光譜，得到所需的理想型發(fā)光。
華中科技大學(xué)
2021-04-13
.jpg){kind=logo}
高性能白光LED用氮化物基熒光粉的燃燒合成制備
本方法采用低成本的氮化燃燒合成工藝制備了可被藍(lán)光或紫外光芯片激發(fā)的高性能Eu 2+ 摻雜AlN基藍(lán)色熒光粉，以及Eu 2+ 摻雜的Sr 2 Si 5 N8和Ca 2 Si 5 N 8 紅色熒光粉。該方法無需高溫長時間加熱，工藝簡單、成本低、效率高、重復(fù)性好、對環(huán)境沒有污染，適于工業(yè)化生產(chǎn)。
西安交通大學(xué)
2021-04-11
.jpg){kind=logo}
由紫光LED芯片激發(fā)高效稀土三基色熒光粉合成暖白光技術(shù)
本項目經(jīng)過14年（2007-2021）的艱苦不斷的探索，終于采用自主研發(fā)的由紫光LED芯片激發(fā)的高效稀土三基色熒光粉合成暖白光，成功解決了長期困擾于半導(dǎo)體照明領(lǐng)域的白光LED富藍(lán)光危害人體健康的全球性難題。
一、項目分類
關(guān)鍵核心技術(shù)突破
二、成果簡介
本項目經(jīng)過14年（2007-2021）的艱苦不斷的探索，終于采用自主研發(fā)的由紫光LED芯片激發(fā)的高效稀土三基色熒光粉合成暖白光，成功解決了長期困擾于半導(dǎo)體照明領(lǐng)域的白光LED富藍(lán)光危害人體健康的全球性難題。新型暖白光LED具有以下特點：
（1）繼承傳統(tǒng)白光LED所有優(yōu)點（如，節(jié)能、便捷、小型固體化、驅(qū)動方便等）；
（2）沒有藍(lán)、紫光泄漏及其危害，對人眼和身體安全；
（3）在材料生長、器件制備、封裝和性能檢測等多方面和傳統(tǒng)的冷白光LED兼容，所以投入經(jīng)費(fèi)低，批量生產(chǎn)后成本還將低于傳統(tǒng)的白光LED；
（4）性能比傳統(tǒng)白光LED優(yōu)越許多：如，顯色指數(shù)Ra＞90，可達(dá)95、98；色溫在2500-5500K可調(diào)適應(yīng)各種人的需求；色坐標(biāo)接近標(biāo)準(zhǔn)白光（0.33,0.33）；燈珠光效，3年內(nèi)從25 lm/W 迅速提高到135 lm/W；
（5）應(yīng)用更廣泛：在半導(dǎo)體照明和顯示、植物栽培、光醫(yī)療、光檢測和光傳感等領(lǐng)域，尤其是可用于在無藍(lán)光危害的手機(jī)、電腦、電視機(jī)等液晶顯示的背光源。
廈門大學(xué)
2022-07-28
.jpg){kind=logo}
利用單一YAG: Ce3+熒光粉和紫外LED芯片匹配獲得白光的制備
最近以來，LED照明以其節(jié)能環(huán)保等優(yōu)點，獲得了大規(guī)模的應(yīng)用。 傳統(tǒng)的黃色熒光粉YAG：Ce3+在藍(lán)光LED芯片激發(fā)下發(fā)出黃色的光，通過藍(lán)光和黃光復(fù)合產(chǎn)生白光，但這種粉體不能應(yīng)用于高能量的紫外LED芯片產(chǎn)生白光，因為YAG：Ce3+的光譜中缺乏藍(lán)光波段。本項目通過特有的表面包覆和處理技術(shù)，使得YAG：Ce3+的外觀和普通YAG：Ce3+沒有區(qū)別，但在紫外光365nm激發(fā)下，不僅呈現(xiàn)出黃光發(fā)射，而且具有藍(lán)光發(fā)射，通過調(diào)控膜層的組成和厚度，匹配與紫外LED芯片時，器件發(fā)射出CIE坐標(biāo)（0.32,0.33）的白光。 利用此方法，可使得YAG:Ce3+粉發(fā)出藍(lán)光和黃光兩種波段，進(jìn)而復(fù)合產(chǎn)生白光，工藝簡單，技術(shù)領(lǐng)先。
電子科技大學(xué)
2021-04-10
一種白光LED用含氮硅酸鹽黃綠色發(fā)光材料及其制備
本發(fā)明涉及一種新型二價銪摻雜的含氮硅酸鹽固溶體基發(fā)光材料及其自還原制備方法。這種發(fā)光材料的化學(xué)組成可表示為：Ca3Si3(O9-xNx):Eu2+。制備方法采用兩步法，（1）溶膠凝膠法制備Ca2SiO4:Eu3+產(chǎn)物。（2）Ca2SiO4:Eu3+和氮化硅混合物在非還原氣氛下焙燒，利用Si3N4的自還原作用獲得最終產(chǎn)物。所用原料是硝酸鈣（CaN2O6·4H2O）、硝酸銪（EuN3O9·6H2O）、正硅酸乙酯（C8H20O4Si）和Si3N4。本發(fā)光材料在近紫外到藍(lán)光有寬帶(300~450nm)吸收，發(fā)射出黃綠色光（534~544nm）。所得產(chǎn)物發(fā)光強(qiáng)度高，性能穩(wěn)定。制備過程僅需在氮?dú)獗Ｗo(hù)氣氛下就能完成，無需還原氣氛和其它還原手段，制備方法簡單，安全。
四川大學(xué)
2021-04-11
利用單一YAG: Ce3+熒光粉和紫外LED芯片匹配獲得白光的制備
成果簡介： 最近以來，LED照明以其節(jié)能環(huán)保等優(yōu)點，獲得了大規(guī)模的應(yīng)用。 傳統(tǒng)的黃色熒光粉YAG：Ce3+在藍(lán)光LED芯片激發(fā)下發(fā)出黃色的光，通過藍(lán)光和黃光復(fù)合產(chǎn)生白光，但這種粉體不能應(yīng)用于高能量的紫外LED芯片產(chǎn)生白光，因為YAG：Ce3+的光譜中缺乏藍(lán)光波段。本項目通過特有的表面包覆和處理技術(shù)，使得YAG：Ce3+的外觀和普通YAG：Ce3+沒有區(qū)別，但在紫外光365nm激發(fā)下，不僅呈現(xiàn)出黃光發(fā)射，而且具有藍(lán)光發(fā)射，通過調(diào)控膜層的組成和厚度，匹配與紫外LED芯片時，器件發(fā)射出CIE坐標(biāo)（0.32,0.33）的白光。 利用此方法，可使得YAG:Ce3+粉發(fā)出藍(lán)光和黃光兩種波段，進(jìn)而復(fù)合產(chǎn)生白光，工藝簡單，技術(shù)領(lǐng)先。
電子科技大學(xué)
2017-10-23