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本發(fā)明公開(kāi)了一種基于微流控芯片粒子捕獲式單粒子散射測(cè)量 方法，包括微流控芯片的設(shè)計(jì)制作、測(cè)量環(huán)境配置、對(duì)準(zhǔn)、單粒子的 捕獲和單粒子環(huán)境的構(gòu)建以及單粒子大角度的散射分布的測(cè)定等相關(guān) 方法。與現(xiàn)有技術(shù)相比，由于結(jié)合了微流控芯片粒子捕獲技術(shù)，克服 了單粒子的大角度散射、大動(dòng)態(tài)范圍內(nèi)的光散射特性測(cè)量方法的不足， 實(shí)現(xiàn)了單粒子大角度散射分布的測(cè)量

1. 痛點(diǎn)問(wèn)題 化學(xué)工業(yè)是我國(guó)國(guó)民經(jīng)濟(jì)的支柱產(chǎn)業(yè)，集中于生產(chǎn)基礎(chǔ)和大宗化工原料，而面向高端制造業(yè)和戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)品，其比重不足10%?；ぎa(chǎn)業(yè)正受到國(guó)外技術(shù)壁壘和國(guó)內(nèi)消費(fèi)結(jié)構(gòu)升級(jí)及生態(tài)環(huán)境保護(hù)要求提高的多重壓力，需要加快轉(zhuǎn)型升級(jí)，邁向高端化和綠色化。 針對(duì)傳統(tǒng)醫(yī)藥中間體、精細(xì)化工生產(chǎn)設(shè)備技術(shù)革新的研究方向，微反應(yīng)器和微流控技術(shù)的研究和應(yīng)用成為國(guó)內(nèi)外研究機(jī)構(gòu)的研究熱點(diǎn)。微反應(yīng)器和微流控技術(shù)自上世紀(jì)九十年代提出，就受到學(xué)術(shù)界和產(chǎn)業(yè)界的廣泛關(guān)注。微反應(yīng)連續(xù)化生產(chǎn)技術(shù)是一項(xiàng)在新世紀(jì)中具有革命性的技術(shù)，是生物、化學(xué)、化工等交叉前沿的方向；2009年，25家國(guó)際著名跨國(guó)公司和研究機(jī)構(gòu)將微化工技術(shù)列入化工產(chǎn)業(yè)發(fā)展新方向，聯(lián)合啟動(dòng)了構(gòu)建所謂靈活、快速、未來(lái)化工廠的“F3計(jì)劃”。醫(yī)藥中間體、精細(xì)化工產(chǎn)品由于產(chǎn)量小，目前普遍采用傳統(tǒng)的反應(yīng)釜等設(shè)備，單批次生產(chǎn)，存在原料利用率低、污染排放量大,生產(chǎn)過(guò)程安全性較差，難以適應(yīng)可持續(xù)發(fā)展的需要。解決醫(yī)藥中間體、精細(xì)化工生產(chǎn)的環(huán)保、安全、效率等問(wèn)題，是目前廣大中小型生產(chǎn)企業(yè)實(shí)現(xiàn)跨越式發(fā)展的關(guān)鍵。 2. 解決方案 微反應(yīng)器/微流控技術(shù)：以微結(jié)構(gòu)元件為核心，在微米或亞毫米受限空間內(nèi)進(jìn)行的流動(dòng)、傳遞和反應(yīng)過(guò)程，它通過(guò)減小體系的分散尺度強(qiáng)化混合、分散與傳遞，提高過(guò)程可控性和效率，以“數(shù)量放大”為基本準(zhǔn)則，將實(shí)驗(yàn)室成果可靠地運(yùn)用于工業(yè)過(guò)程，實(shí)現(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn)。 目前，微反應(yīng)器/微流控技術(shù)已經(jīng)從研究階段向工業(yè)化生產(chǎn)階段發(fā)展，相關(guān)技術(shù)及產(chǎn)品的應(yīng)用正處于快速增長(zhǎng)的階段，在生物醫(yī)藥、化妝品、環(huán)保等領(lǐng)域，都有著廣泛的應(yīng)用需求。采用微反應(yīng)器成套技術(shù)，在實(shí)現(xiàn)化學(xué)品生產(chǎn)的連續(xù)化同時(shí)，具有低能耗，高效率，低排放，高安全性等一系列優(yōu)勢(shì)。 1) 本項(xiàng)成果基于微化工技術(shù)，結(jié)合先進(jìn)的生產(chǎn)裝備自動(dòng)化技術(shù)，提供面向生物醫(yī)藥制造領(lǐng)域的綠色高效的微流控技術(shù)生產(chǎn)方案。 2) 同時(shí)，結(jié)合先進(jìn)智能制造技術(shù)，可以構(gòu)建全自動(dòng)的集成化工藝平臺(tái)，實(shí)現(xiàn)智能化、綠色化的生產(chǎn)工藝及裝備的整體應(yīng)用。

該項(xiàng)目是在國(guó)家自然科學(xué)基金委的大力支持下，由西安交通大學(xué)吳裕遠(yuǎn)教授主持的課題組經(jīng)過(guò)15年的艱苦努力，突破傳統(tǒng)機(jī)理，銳意科技創(chuàng)新，所取得的最新成果，榮獲2001年國(guó)家技術(shù)發(fā)明獎(jiǎng)二等獎(jiǎng)。該項(xiàng)目是西安交通大學(xué)，擁有完全的自主知識(shí)產(chǎn)權(quán),非常適宜在制氧、石油、化工、乙烯等換熱器領(lǐng)域推廣應(yīng)用。 

本發(fā)明公開(kāi)了一種基于眾核和 GPU 的網(wǎng)絡(luò)視頻流不良內(nèi)容檢測(cè)方法，包括：在眾核計(jì)算平臺(tái)下獲取網(wǎng)絡(luò)數(shù)據(jù)包，對(duì)網(wǎng)絡(luò)數(shù)據(jù)包進(jìn)行分類(lèi)，以提取網(wǎng)絡(luò)數(shù)據(jù)包中的視頻數(shù)據(jù)包，對(duì)視頻數(shù)據(jù)包進(jìn)行重組，按照網(wǎng)絡(luò)視頻流編碼的語(yǔ)法對(duì)重組后的視頻數(shù)據(jù)包進(jìn)行解碼，以生成圖像序列，GPU 采用基于紋理檢測(cè)和膚色點(diǎn)檢測(cè)相結(jié)合的方法對(duì)圖像序列進(jìn)行預(yù)處理，以確定疑似不良圖像，GPU 采用 SVM 對(duì)疑似不良圖像進(jìn)行精確處理，以確定不良圖像。本發(fā)明只需獲取網(wǎng)絡(luò)數(shù)據(jù)包，即可識(shí)別出視頻流，直接對(duì)視頻流進(jìn)行解碼后，采用圖像匹配檢測(cè)技術(shù)即可識(shí)別該視頻流是否含有不良信息。

主要作了以下幾方面探索： 在低維納米結(jié)構(gòu)的合成、納米光電器件制造與性能分析方面有良好的研究基礎(chǔ)。在納米光電器件方面，長(zhǎng)期從事納米光電器件的研究與開(kāi)發(fā)，已經(jīng)成功地合成了一系列納米結(jié)構(gòu)以及它們異質(zhì)和復(fù)合納米結(jié)構(gòu)，如TiO2、ZnO、ZnS、ZnS/ZnO 等，并在此基礎(chǔ)上制造了基于單個(gè)納米結(jié)構(gòu)的光電器件，測(cè)試了其性能。其中發(fā)表在國(guó)際頂尖一區(qū)期刊《Advanced Materials》上的論文被美國(guó)加州大學(xué)、中科院重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、澳大利亞昆士蘭大學(xué)等相關(guān)課題組報(bào)道，被《Nature Communications》、 《Advanced Materials》、《Advanced Function Materials》、《Scientific Reports》等國(guó)際著名刊物引用達(dá) 123 次；發(fā)表在國(guó)際頂尖一區(qū)期刊《Advanced FunctionMaterials》上的論文被北京大學(xué)、清華大學(xué)、香港理工大學(xué)、臺(tái)灣國(guó)立大學(xué)、新加坡南洋理工大學(xué)、日本東北大學(xué)、美國(guó)華盛頓大學(xué)等國(guó)際名校相關(guān)課題組報(bào)道，被《Advanced Materials》、《Advanced FunctionMaterials》、《Scientific Reports》、《Energy & Environmental Science》等國(guó)際著名刊物引用達(dá) 62 次。 在YBa2Cu3O7-δ/ La1-xCaxMnO3氧化物超導(dǎo)與鐵磁雙層結(jié)構(gòu)中，觀察到磁相關(guān)的近鄰和耦合效應(yīng)。證明了超導(dǎo)層中的邁斯納電流與磁層耦合提供的磁場(chǎng)之間存在的相互作用，并明確了來(lái)自于超導(dǎo)層的空穴電荷傳輸?shù)椒磋F磁層內(nèi)，使得在靠近超導(dǎo)層的反鐵磁薄層內(nèi)電荷的重新分布，進(jìn)而發(fā)生了鐵磁性轉(zhuǎn)變的物理機(jī)制。在錳氧化物和銅氧化物組成的鐵磁/超導(dǎo)/鐵磁/反鐵磁異質(zhì)結(jié)中觀察到大的負(fù)磁阻峰，這是在接近超導(dǎo)轉(zhuǎn)變溫度附近的混合態(tài)所具有的獨(dú)特現(xiàn)象，是自旋相關(guān)的界面散射的實(shí)驗(yàn)證據(jù)；另外，我們還發(fā)現(xiàn)該類(lèi)氧化物鐵磁/超導(dǎo)異質(zhì)結(jié)中系統(tǒng)發(fā)現(xiàn)磁阻峰即隨溫度變化，其磁阻峰發(fā)生正、負(fù)性逆轉(zhuǎn)的奇特效應(yīng)，這是YBa2Cu3O7-δ正磁阻和La0.7Sr0.3MnO3負(fù)磁阻相互競(jìng)爭(zhēng)的結(jié)果。其次，利用飛秒激光泵浦探測(cè)技術(shù)對(duì)YBCO/LCMO 異質(zhì)結(jié)進(jìn)行了泵浦探測(cè)，觀測(cè)了低溫下鐵磁序和超導(dǎo)序的競(jìng)爭(zhēng)情況，為進(jìn)一步研究 YBCO/LCMO 的近鄰效應(yīng)打下了基礎(chǔ)。 在 具 有 不 同YSZ(yttria-stabilized zirconia) 摻 雜 量 的YBCO/YSZ 準(zhǔn)多層膜中觀察到 YSZ 摻雜薄膜發(fā)生了化學(xué)反應(yīng)，導(dǎo)致了具有納米數(shù)量級(jí)鈣鈦礦異質(zhì)相BaZrO3粒子的形成。BaZrO3粒子的形成促使了晶格的不匹配以致沉積中形成了c-軸關(guān)聯(lián)的缺陷。角度相關(guān)的J c (H,T)在 H//c區(qū)域附近出現(xiàn)的二次峰揭示了c-軸關(guān)聯(lián)缺陷的存在?；诟飨虍愋源磐ㄡ斣碚摚覀兎蛛x了各向同性釘扎和各向異性釘扎對(duì)臨界電流密度的貢獻(xiàn)。分析表明所研究的準(zhǔn)多層膜中產(chǎn)生了各向異性的缺陷，由此形成強(qiáng)釘扎中心，使得準(zhǔn)多層膜在高場(chǎng)下仍具有較高的臨界電流密度。 應(yīng)用唯象含時(shí)Ginzburg-Landau 理論并使用有限元方法研究了二維、三維介觀超導(dǎo)體的渦旋態(tài)性質(zhì)。對(duì)于具有不同形狀和不同方向外場(chǎng)作用下的介觀超導(dǎo)體中觀察到了渦旋管交叉纏繞現(xiàn)象。其次，通過(guò)對(duì)電流驅(qū)使下的含弱連接的介觀超導(dǎo)帶的分析，觀察到了介觀超導(dǎo)帶磁化強(qiáng)度隨時(shí)間的周期性變化。另外,在我們所研究的小超導(dǎo)環(huán)中出現(xiàn)了穩(wěn)定多渦旋態(tài)。隨著內(nèi)半徑的增長(zhǎng),我們發(fā)現(xiàn)了穩(wěn)定基態(tài)的(l:L)和(2:L)多渦旋態(tài)現(xiàn)象。 該項(xiàng)目已獲上海市自然基金項(xiàng)目立項(xiàng)支持。

本發(fā)明公開(kāi)了一種面向卷到卷電噴打印過(guò)程的多物理量協(xié)同控 制方法，包括：（a）輸入有關(guān)基板、噴嘴和噴印微環(huán)境的一系列工藝 參數(shù)參考值；（b）分別對(duì)噴嘴的位置狀態(tài)、射流狀態(tài)、液滴在基板上 的沉積狀態(tài)、基板的張力狀態(tài)和位置狀態(tài)分別執(zhí)行實(shí)時(shí)檢測(cè)；（c）采 用噴印微環(huán)境-電壓混合控制方式對(duì)噴嘴電壓和噴印微環(huán)境溫濕度共 同執(zhí)行調(diào)節(jié)；（d）采用張力-位置混合控制方式對(duì)基板的張力及位置、 噴嘴位置共同執(zhí)行調(diào)節(jié)；（e）在噴印完成之前持續(xù)對(duì)上述參數(shù)閉環(huán)控 制，直至完成整個(gè)電噴打印過(guò)程。通過(guò)本發(fā)明，可顯著提高電噴印質(zhì)量，同時(shí)具備適應(yīng)各類(lèi)復(fù)雜工況、不易被干擾、高效率和高可靠性等 特點(diǎn)，因而尤其適用于卷到卷電噴打印產(chǎn)品的制備過(guò)程。 

一種背靠背結(jié)構(gòu)電壓型變流裝置的雙脈沖寬度調(diào)制控制器,其特點(diǎn)是:它包括由兩套結(jié)構(gòu)相同的數(shù)字信號(hào)處理器電路,現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列電路,同步單元電路,模數(shù)A/D轉(zhuǎn)換調(diào)理電路,過(guò)壓,過(guò)流調(diào)理電路,串口通信電路,故障,狀態(tài)指示電路和控制電源電路組成.數(shù)字信號(hào)處理器電路的數(shù)字信號(hào)處理器DSP用來(lái)模數(shù)轉(zhuǎn)換,上層控制算法,底層控制中脈沖寬度調(diào)制脈沖生成及串口通信控制;數(shù)字信號(hào)處理器電路與現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列電路兩個(gè)輸入輸出I/O口相連接,用來(lái)數(shù)字信號(hào)處理器電路和現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列電路之間工作狀態(tài)通信;具有通用性強(qiáng),硬件電路無(wú)需更改的前提下,只須通過(guò)編程即可適應(yīng)于不同的應(yīng)用場(chǎng)合;具有控制精度高,電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,集成度高等優(yōu)點(diǎn).

本發(fā)明提供一種經(jīng) GPU 加速的浸沒(méi)邊界-格子玻爾茲曼流固耦合模擬方法，步驟如下：在專(zhuān)業(yè)前處 理軟件中建立待測(cè)結(jié)構(gòu)體及其內(nèi)部流體的浸沒(méi)邊界體型，并劃分邊界網(wǎng)格以供程序讀取；程序讀取邊界 體型數(shù)據(jù)，設(shè)置所需測(cè)量點(diǎn)的邊界條件和程序模型參數(shù)；根據(jù)邊界當(dāng)前時(shí)刻構(gòu)型和參考構(gòu)型利用有限元 法計(jì)算邊界施加在流體上的作用力；將邊界的作用力經(jīng)由狄拉克函數(shù)擴(kuò)散至周邊流體；利用格子玻爾茲 曼方法求解攜帶外力項(xiàng)的納維-斯托克斯方程；同樣經(jīng)由狄拉克函數(shù)將流體速度插值到邊界上得到邊界 的移動(dòng)速度，進(jìn)而更新邊界位置；重復(fù)步驟 3-6，直至達(dá)到計(jì)算終點(diǎn)。本發(fā)明能夠處理任意形狀的結(jié)構(gòu) 體，計(jì)算過(guò)程中不需要重構(gòu)底層流體網(wǎng)格，計(jì)算效率高。