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本發明公開了一種聲壓測量傳感器及多縱模光纖激光器聲壓測 量系統。聲壓測量傳感器包括金屬圓桶、薄膜和光纖；金屬圓桶的側 壁中部有開孔，內壁設有吸音棉；薄膜位于金屬圓桶的上端開口處， 形成密封結構；光纖兩端固定，呈緊繃狀態，中部粘貼在薄膜的表面。 多縱模光纖激光器聲壓測量系統包括 980nm 泵浦光源、多縱模激光諧 振腔、光纖隔離器、光電轉換模塊和頻譜分析儀；多縱模激光諧振腔 包括聲壓測量傳感器、波分復用器、摻鉺光纖、可

本發明涉及一種表征太赫茲量子級聯激光器多模效應的電路建模仿真方法，首先建立表征 THzQCL 有源層內部載流子輸運特性的多模速率方程組；接著建立表征ThzQCL內部多模態效應的物理方程模型； 然后通過變量代換和化簡得到相應的等效電路模型；建立表征 THzQCL 輸入端電氣特性的等效電路模型； 建立表征 THzQCL 輸出端光功率特性的等效電路模型；最后建立電路宏模型，包括一個電氣端口和一個 光功率輸出端口，基于電路宏模型進行光電性能仿真和輸出光譜性能測試。本發明可測試溫度對 THzQCL 各種光電性能的影響；可支持實現對 THzQCL 光電性能和輸出多模效應的模擬和仿真。 

產品詳細介紹砌墻磚試模  砌墻磚一次成型試模  砌墻磚二次成型試模使用說明書 一、    本模具是依據GB/T 2542-2012≤砌墻磚試驗方法≥和GB/T 25044-2012≤{a}3135{/a}抗壓強度試樣制備設備通用要求≥來制作的，分一次成型模具和二次成型模具兩種。 二、    試模： 2 ．1一次成型試模組裝后型腔尺寸為：長120mm±15mm(可調節)；寬120mm；高120mm。 2 ．2二次成型試模組裝后型腔尺寸為：長240mm±15mm(可調節)；寬120mm±10mm(可調節)；高65mm。 三、使用 3 ．1一次成型試模組裝后，用潤滑油進行抹刷，然后把磚試樣放入試模中，在中間和兩邊插入插板以確定厚度，前后方向用膠皮密封，初步擰緊螺絲固定試樣，取出插板，最終擰緊螺絲。把固定好樣品的試模放到振動臺上加入專用凈漿制樣。 3 ．2二次成型試模組裝后，用潤滑油進行抹刷，放入專用凈漿材料，然后把磚試樣放入試模中的頂絲上，頂絲保證凈漿厚度不超過3mm，用螺絲把試樣固定，放到振動臺上進行振動，待凈漿材料硬化后拆模重新對另一面進行加工。 四、保養 試模使用結束后，把試模表面用鏟刀清理干凈，然后用潤滑油進行涂涮，以方便下次使用。  ==================================================================================================================================================砌墻磚試模- 供應詳情GB/T 2542-2012 砌墻磚試驗方法 1  砌塊范圍    本標準規定了砌墻磚尺寸、外觀質量、抗折強度、抗壓強度、凍融、體積密度、石灰爆裂、泛霜、吸水率和飽和系數、孔洞及其結構、干燥收縮、碳化、放射性、傳熱系數等的試驗方法。    本標準適用于燒結磚和非燒結磚。燒結磚包括燒結普通磚、燒結多孔磚以及燒結空-U磚和空心砌塊(以下簡稱空心磚)；非燒結磚包括蒸壓灰砂磚、粉煤灰磚、爐渣磚和碳化磚等。2砌塊機規范性引用文件    下列文件中的條款通過本標準的引用而成為本標準的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后所有的修改單(不包括勘誤的內容)或修訂版均不適用于本標準，然而，鼓勵根據本標準達成協議的各方研究是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本適用于本標準。

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1. 高壓IGBT器件封裝絕緣測試系統 針對高壓IGBT器件內部承受的正極性重復方波電壓以及高溫工況，研制了針對高壓IGBT器件、芯片及封裝絕緣材料絕緣特性的測試系統（如圖1所示），可實現電壓波形參數、溫度和氣壓的靈活調控，用于研究電壓類型（交、直流、重復方波電壓）、波形參數、氣體種類、氣體壓力等因素對絕緣特性，具備放電脈沖電流測量、局部放電測量、放電光信號測量、漏電流測量及紫外光子測量等功能（如圖2所示），平臺相關參數：頻率：DC~20kHz，電壓：0~20kV，上升沿/下降沿：150ns可調，占空比：1%~99%，溫度：25℃~150℃，氣壓：真空~3個大氣壓。  2.壓接型IGBT器件并聯均流實驗系統 針對高壓大功率壓接型IGBT器件內部的芯片間電流均衡問題，研制了針對壓接型IGBT器件的多芯片并聯均流實驗系統（如圖3所示），平臺具有靈活調節IGBT芯片布局，柵極布線，溫度和壓力分布的能力，可開展芯片參數、寄生參數以及壓力和溫度等多物理量對壓接型IGBT器件在開通/關斷過程芯片-封裝支路瞬態電流分布影響規律的研究，以及瞬態電流不均衡調控方法的研究；平臺相關參數：電壓：0~6.5kV，電流：0~3kA，溫度：25℃~150℃，壓力：0~50kN。   圖3 壓接型IGBT多芯片并聯均流實驗 3.高壓大功率IGBT器件可靠性實驗系統 隨著高壓大功率 IGBT 器件容量的進一步提升，對其可靠性考核裝備在測量精度、測試效率等方面提出了挑戰。針對柔性直流輸電用高壓大功率 IGBT 器件的測試需求，自主研制了 90 kW /3 000 A 功率循環測試裝備和100V/200°C高溫柵偏測試裝備（如圖4所示）。功率循環測試裝備可針對柔性直流輸電中壓接型和焊接式兩種不同封裝形式的IGBT開展功率循環測試，最多可實現12個IGBT器件的同時測試。電流等級、波形參數、壓力均獨立可調，功率循環周期為秒級，極限測試能力可達 300 ms，最高壓力達220 kN，虛擬結溫測量精度達±1°C，導通壓降測量精度達±2mV。高溫柵偏測試裝備可實現漏電流和閾值電壓的實時在線監測，最多可實現32個IGBT器件的同時測試。 4. 壓接器件內部并聯多芯片電流及結溫測量方法及實現 高壓大功率壓接型IGBT器件內部芯片瞬態電流及結溫測量是器件多物理量均衡調控及狀態監測的基本手段，針對器件內部密閉封裝以及密集分布鄰近支路引起的干擾問題，提出了PCB羅氏線圈互電感的等效計算方法，實現了任意形狀PCB羅氏線圈繞線結構設計，設計了針對器件電流測量的方形PCB羅氏線圈（如圖5所示），實現臨近芯片電流造成的測量誤差小于1%；針對器件內部多芯片并聯芯片結溫測量，提出了壓接型IGBT器件結溫分布測量的時序溫敏電參數法，通過各芯片柵極的時序單獨控制（如圖6所示），在各周期分別進行單顆IGBT芯片結溫的測量，進而等效獲得一個周期內各IGBT芯片的結溫分布。在此基礎上，完成了集成于高壓大功率器件內部的多芯片并聯電流測試PCB羅氏線圈以及時序溫敏電參數測量驅動板的設計（如圖7所示）。 5. 自主研制高壓大功率電力電子器件 面向電力系統用高壓大功率電力電子器件自主研制的需求，開展了芯片建模與篩選、芯片并聯電流均衡調控、封裝絕緣特性及電場建模以及器件多物理場調控等方面工作，相關成果支撐了國家電網公司全球能源互聯網研究院有限公司3.3kV/1500A、3.3kV/3000A以及4.5kV/3000A硅基IGBT器件的自主研制，并通過柔直換流閥用器件的應用驗證實驗，同時也支撐了世界首個18kV 壓接型SiC IGBT器件的自主研制。

本發明提供了一種基于粒子群多物理場協同優化的高效感應電機輕量化方法,包括:根據高效感應電機的主要尺寸、額定數據等參數,給出高效感應電機的電磁設計總體目標；對電機定轉子拓撲結構進行選擇,確定電機的可行性方案集；選定高效感應電機電磁設計初步方案；采用智能算法對高效感應電機進行成本優化,得到高效感應電機的成本最優；采用磁路法及電磁場有限元并行方式對高效感應電機的工作特性和主要運行數據進行計算；采用有限元法對高效感應電機的溫度場進行校核；對優化后電機的重量與電磁設計初步方案中計算出的重量相比較進行計算。本發明實現了高效感應電機輕量化的目標,并采用多物理場對優化后的結果進行校核,保證計算結果的準確性。