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主流硅基芯片CMOS（互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體）技術(shù)正面臨短溝道效應(yīng)等物理規(guī)律和制造成本的限制，需要開(kāi)發(fā)基于新材料和新原理的晶體管技術(shù)來(lái)延續(xù)摩爾定律。高遷移率二維半導(dǎo)體因其超薄的平面結(jié)構(gòu)和獨(dú)特的電子學(xué)性質(zhì)，有望成為“后摩爾時(shí)代”高性能電子器件和數(shù)字集成電路的理想溝道材料，進(jìn)一步縮小晶體管的尺寸和提高其性能。為滿足集成電路加工工藝和器件成品率對(duì)溝道材料的苛刻要求，二維半導(dǎo)體單晶薄膜的大面積制備尤為關(guān)鍵與重要。然而，現(xiàn)有二維半導(dǎo)體材料體系（過(guò)渡金屬硫族化合物、黑磷等）薄膜制備仍未滿足現(xiàn)實(shí)要求，因此亟需實(shí)現(xiàn)晶圓級(jí)二維半導(dǎo)體單晶薄膜制備技術(shù)的突破。 該研究瞄準(zhǔn)二維半導(dǎo)體材料的晶圓級(jí)單晶制備，率先實(shí)現(xiàn)了同時(shí)具有高電子遷移率、合適帶隙、環(huán)境穩(wěn)定的二維半導(dǎo)體（硒氧化鉍，Bi2O2Se)單晶晶圓的外延生長(zhǎng)。他們基于自主設(shè)計(jì)搭建的雙溫區(qū)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)，在商用的鈣鈦礦單晶基底【SrTiO3，LaAlO3，或(La, Sr)(Al,Ta)O3】上，利用Bi2O2Se與鈣鈦礦完美的晶格匹配性及較強(qiáng)的界面相互作用，促使Bi2O2Se晶核同一取向外延并融合生成晶圓級(jí)單晶薄膜。Bi2O2Se單晶薄膜在晶圓尺寸上表現(xiàn)出優(yōu)異的材料和電學(xué)均勻性，可被用于批量構(gòu)筑高性能場(chǎng)效應(yīng)晶體管。基于晶圓級(jí)二維Bi2O2Se單晶薄膜的標(biāo)準(zhǔn)頂柵型場(chǎng)效應(yīng)晶體管展現(xiàn)了高的室溫表觀遷移率（>150 cm2/V s）、大的電流開(kāi)關(guān)比（>105）和較高的開(kāi)態(tài)電流（45μA/μm）。相關(guān)成果發(fā)表在Nano Letters (Wafer-Scale Growth of Single-Crystal 2D Semiconductor on Perovskite Oxides for High-Performance Transistors. Nano Lett. 2019, 19, 2148)。

項(xiàng)目為一種超硬的非晶四面體碳（ta-c）薄膜的制備裝置和工藝，該薄膜具有極好的物理化學(xué)特性，在碳基薄膜中，是目前國(guó)際上公認(rèn)的SP3鍵含量最高，超過(guò)85%，特性最接近天然金剛石的薄膜，硬度達(dá)到HV≥85Gpa，可見(jiàn)光和紅外光透明，透光率達(dá)97%，吸收紫外光，達(dá)98%，薄膜均勻性好，薄膜平整度達(dá)0.2nm，摩擦系數(shù)≤0.08，電阻率達(dá)（1012Ω·cm），擊穿電壓3.5×106，（），熱導(dǎo)率18（）,密度3.5（g/cm3），薄膜致密耐腐蝕作用極好。 該項(xiàng)目可用于高精度專有刀具、模具和摩擦滑動(dòng)部件，提高使用壽命，減小摩擦，如手術(shù)和美容刀具、絲錐、PCB鉆、拉絲模、沖壓模具、壓縮機(jī)滑塊，滑動(dòng)環(huán)等；用于視窗、鏡片和傳感器表面，可防止劃傷，增強(qiáng)散熱，利于紅外光傳遞，等；用于激光透鏡，可提高損傷閾值；用于射線輻射測(cè)量傳感器，可抗射線輻射損傷，提高測(cè)量的靈敏度。

本發(fā)明公開(kāi)了一種非晶合金零件的快速成形方法，包括首先對(duì) 電磁成形系統(tǒng)中的電容器充電，然后采用電脈沖放電對(duì)非晶合金進(jìn)行 快速升溫使其溫度升至過(guò)冷液態(tài)溫度，在溫度達(dá)到設(shè)定溫度停止電脈 ·549·沖放電，同時(shí)使所述電磁成形系統(tǒng)的電容器放電，產(chǎn)生電磁力并驅(qū)動(dòng) 過(guò)冷液態(tài)的非晶合金變形至模具中，即可實(shí)現(xiàn)非晶合金零件的快速成 形。本發(fā)明還公開(kāi)了利用上述方法所制備的非晶合金零件。本發(fā)明通 過(guò)對(duì)熱塑性成形過(guò)程中的加熱方式、成形驅(qū)動(dòng)方式

 高性價(jià)比太陽(yáng)光伏電池技術(shù)，及其低成本規(guī)模化開(kāi)發(fā)應(yīng)用，是我國(guó)中長(zhǎng)期科技發(fā)展規(guī)劃中所框定的重點(diǎn)“能源領(lǐng)域”技術(shù)突破方向之一。新一代高性能柔性薄膜太陽(yáng)能電池為豐富光伏器件應(yīng)用和推廣太陽(yáng)能建筑一體化提供關(guān)鍵基礎(chǔ)，而其實(shí)現(xiàn)的核心技術(shù)在于制備高品質(zhì)、穩(wěn)定且低成本的柔性薄膜材料。本項(xiàng)目在可規(guī)模化應(yīng)用的柔性薄膜襯底上實(shí)現(xiàn)低溫晶硅薄膜外延生長(zhǎng)、分離轉(zhuǎn)移、器件優(yōu)化和先進(jìn)納米構(gòu)建框架等一系列核心技術(shù)。同時(shí)，通過(guò)融合和集成先進(jìn)納米構(gòu)建體系和材料性能調(diào)控，探索新一代高性價(jià)比薄膜光伏電池。

本發(fā)明公開(kāi)了一種豌豆淀粉和蠟質(zhì)玉米淀粉納米晶復(fù)合膜的制備方法，包括以下步驟：(1)將含質(zhì)量分?jǐn)?shù)為0.047％的豌豆淀粉，質(zhì)量分?jǐn)?shù)為0.023％的甘油的水溶液，經(jīng)沸水浴攪拌加熱40-50min后冷卻至45-55℃；(2)向步驟(1)所得溶液中加入WMSNC，所述WMSNC的加入量為PS干基含量的1％-9％；(3)將步驟(2)所得溶液磁力混合攪拌25-35min后倒入抽濾瓶中，用真空度為1.0MPa的真空泵脫氣6-15min，得復(fù)合膜液體；(4)取上述復(fù)合膜液體平鋪于平面皿上，置于35-45℃的恒溫干燥箱中干燥即得復(fù)合膜。添加WMSNC后，復(fù)合膜的TS和M增加，而E降低，透水系數(shù)和透水速率顯著降低。純PS膜表面平整、光滑，隨著WMSNC添加量的增加復(fù)合膜表面逐漸粗糙。

成功開(kāi)發(fā)具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的新型淺色導(dǎo)電晶須，用晶須替代納米顆粒作為基體制備導(dǎo)電填料加入纖維基體中，具有比導(dǎo)電超細(xì)顆粒更好的分散性，而且由于晶須是棒狀結(jié)構(gòu)，分散在纖維中可以通過(guò)搭接的方式首尾相接，更利于纖維導(dǎo)電。淺色導(dǎo)電晶須的開(kāi)發(fā)研究對(duì)白色導(dǎo)電纖維的制備提供了理論和實(shí)踐基礎(chǔ)，葛明橋教授團(tuán)隊(duì)開(kāi)發(fā)的白色導(dǎo)電纖維經(jīng)檢測(cè)達(dá)到 109?（熔融紡絲）和 106?（濕法紡絲）達(dá)到導(dǎo)電纖維要求，是國(guó)內(nèi)導(dǎo)電纖維領(lǐng)域的一項(xiàng)重大突破，可提高白色導(dǎo)電纖維自產(chǎn)率，應(yīng)用前景廣闊。 關(guān)鍵技術(shù) （1）將高速攪拌與化學(xué)共沉積法結(jié)合，制備出的淺色導(dǎo)電二氧化鈦納米晶須的電阻率達(dá)到了 103 ?•cm。 （2）將納米晶須添加入紡絲液中，通過(guò)濕法紡絲方法制備出復(fù)合導(dǎo)電纖維，該種纖維的電阻達(dá)到了 106?。 （3）與企業(yè)合作制備導(dǎo)電母粒，進(jìn)而通過(guò)熔融紡絲方法制備出各種復(fù)合結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電纖維，該種纖維的電阻達(dá)到了 109?。 知識(shí)產(chǎn)權(quán)及項(xiàng)目獲獎(jiǎng)情況 發(fā)表學(xué)術(shù)論文 9 篇；申請(qǐng)專利 6 項(xiàng) 項(xiàng)目成熟度 建立了 50L 的納米晶須合成反應(yīng)釜，實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn) 投資期望及應(yīng)用情況 目前已與部分企業(yè)合作，成功制備該導(dǎo)電材料并應(yīng)用于化纖、纖維素等。

產(chǎn)品詳細(xì)介紹1.概述揚(yáng)州晶明測(cè)試技術(shù)有限公司(http://www.yzjmtest.com/comp/2-JM3812ZB.htm)生產(chǎn)的JM3812ZB無(wú)線應(yīng)變是每臺(tái)16個(gè)測(cè)點(diǎn)的無(wú)線應(yīng)變儀。每個(gè)測(cè)點(diǎn)分別自動(dòng)平衡，可用一臺(tái)計(jì)算機(jī)直接觀察最多100臺(tái)儀器的測(cè)試狀態(tài)。所有操作均由計(jì)算機(jī)完成。我們無(wú)線應(yīng)變儀穩(wěn)定性好，抗干擾能力強(qiáng)，廣泛應(yīng)用于橋梁、建筑物、飛機(jī)、船舶、車輛、起重機(jī)械狀態(tài)測(cè)試，本系統(tǒng)采用zigbee通訊協(xié)議，基本低功耗設(shè)計(jì)，內(nèi)置高容量鋰電池，給工程測(cè)試帶來(lái)極大的方便。2.應(yīng)用范圍2.1 根據(jù)測(cè)量方案，完成全橋、半橋、1／4橋（公用補(bǔ)償片）狀態(tài)的靜態(tài)應(yīng)力應(yīng)變的多點(diǎn)巡回檢測(cè).2.2 和各種橋式傳感器配合，實(shí)現(xiàn)壓力、力、荷重、位移等物理量的多點(diǎn)巡回檢測(cè).2.3 與熱電偶配合，通過(guò)熱電偶分度號(hào)的計(jì)算，對(duì)溫度進(jìn)行多點(diǎn)巡回檢測(cè).2.4 對(duì)輸出電壓小于20mV的電壓信號(hào)進(jìn)行巡回檢測(cè)，分辨率可達(dá)1μν.3.特點(diǎn)3.1 采用進(jìn)口高性能機(jī)械繼電器，通過(guò)特殊的電路設(shè)計(jì)，消除了開(kāi)關(guān)切換時(shí)，接觸電勢(shì)的變化對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響。因此所有指標(biāo)均包含了切換開(kāi)關(guān)的影響.3.2 先進(jìn)的隔離技術(shù)和合理的接地，使系統(tǒng)具有極強(qiáng)的抗干擾能力。每個(gè)測(cè)點(diǎn)可任意組橋，具有較強(qiáng)的靈活性，適用于各種工程現(xiàn)場(chǎng)的檢測(cè)。 3.3 數(shù)據(jù)采集箱可通過(guò)USB口和計(jì)算機(jī)通訊，采集箱網(wǎng)絡(luò)化分布式設(shè)計(jì)。4.技術(shù)指標(biāo)4.1 測(cè)量點(diǎn)數(shù):16點(diǎn)/臺(tái)（用戶自選）;4.2采樣頻率：10Hz4.3組網(wǎng)接口：無(wú)線 4.4 適用應(yīng)變片電阻值:50～10000Ω任意設(shè)定;4.5 應(yīng)變片靈敏度系數(shù):1.0～3.0自動(dòng)修正;4.6 供橋電壓:2V(DC);4.7 測(cè)量應(yīng)變范圍:±19999με;4.8 最高分辨率:1με; 4.10 系統(tǒng)精度: ± 0.3％Fs±2με;4.11 溫漂:不大于3με/2h;4.12 平衡范圍:±15000με(無(wú)需電容平衡);4.13 長(zhǎng)導(dǎo)線電阻修正范圍:0.0～100Ω;4.14 電源:220V±10％ 50Hz±2％;4.15 使用環(huán)境:GB6587.1-86-Ⅱ組;5.系統(tǒng)軟件 全漢化的WINDOWS應(yīng)用軟件，方便直觀的應(yīng)變、應(yīng)力、橋式傳感器、拾振器等測(cè)試的參數(shù)設(shè)置功能。自動(dòng)平衡、手動(dòng)采樣、連續(xù)采樣、定時(shí)采樣等方式，自動(dòng)完成測(cè)量結(jié)果的修正，實(shí)時(shí)顯示測(cè)量數(shù)值、應(yīng)力和應(yīng)變花計(jì)算，滿足靜態(tài)樁基抗壓、抗拔、水平靜載荷試驗(yàn)；報(bào)告打印等功能，操作簡(jiǎn)單、方便。數(shù)據(jù)文件可轉(zhuǎn)換為T(mén)ext(.txt)、Excel(.xls)文件格式。開(kāi)放的二次分析數(shù)據(jù)接口。揚(yáng)州晶明科技有限公司揚(yáng)州晶明測(cè)試技術(shù)有限公司地址: 江蘇揚(yáng)州市維揚(yáng)路25號(hào)公司主頁(yè) http://www.yzjmtest.com公司郵箱 sale@yzjmtest.com電話     0514-87850416,87867922,82960507傳真     0514-82960507聯(lián)系人   唐先生手機(jī)     15952768463QQ       1225605447MSN      Dynamictestor@hotmail.com 個(gè)人郵箱 tcb@yzjmtest.com 或 yztcb@sohu.com  

通過(guò)對(duì)燒結(jié)鈷鐵氧體進(jìn)行熱等靜壓燒結(jié)，得到鈷鐵氧體陶瓷材料的樣品內(nèi)部孔隙大大減少，致密度大于 99％；平行方向磁致伸縮系數(shù)絕對(duì)值大于 150ppm；磁致伸縮激勵(lì)場(chǎng)低于 2000Oe。對(duì)鈷鐵氧體磁致伸縮材料進(jìn)行熱等靜壓處理促進(jìn)了其在低場(chǎng)高頻磁致伸縮領(lǐng)域的應(yīng)用。 通過(guò)凝膠注模、磁場(chǎng)取向及常壓燒結(jié)及熱處里工藝，得到的鈷鐵氧體磁致伸縮材料<100>方向取向度大于 40％，致密度大于 99％，垂直取向方向磁致伸縮系數(shù)絕對(duì)值大于 300ppm，對(duì)應(yīng)的激勵(lì)場(chǎng)低于 2000Oe。

人工超材料是指亞波長(zhǎng)尺度單元按一定的宏觀排列方式形成的人工復(fù)合電磁結(jié)構(gòu)。由于其基本單元和排列方式都可任意設(shè)計(jì)，因此能構(gòu)造出傳統(tǒng)材料與傳統(tǒng)技術(shù)不能實(shí)現(xiàn)的超常規(guī)媒質(zhì)參數(shù)，進(jìn)而對(duì)電磁波進(jìn)行高效靈活調(diào)控，實(shí)現(xiàn)一系列自然界不存在的新奇物理特性和應(yīng)用。然而，傳統(tǒng)的電磁超材料和超表面都是基于連續(xù)變化的媒質(zhì)參數(shù)，很難實(shí)時(shí)地操控電磁波。 以程強(qiáng)教授為核心團(tuán)隊(duì)的課題組在國(guó)際上首次提出“數(shù)字編碼與可編程超材料”，提出用二進(jìn)制數(shù)字編碼來(lái)表征超材料的思想，通過(guò)改變數(shù)字編碼單元“0”和“1”的空間排布來(lái)控制電磁波。這一概念的提出不僅簡(jiǎn)化了超材料的設(shè)計(jì)難度和優(yōu)化流程，構(gòu)建了超材料由物理空間通往數(shù)字空間的橋梁，使人們能夠從信息科學(xué)的角度來(lái)理解和探索超材料。更重要地是，超材料的數(shù)字化編碼表征方式非常有利于結(jié)合一些有源器件（例如二極管和MEMS開(kāi)關(guān)等），在現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列（FPGA）等電路系統(tǒng)的控制下實(shí)時(shí)地?cái)?shù)字化調(diào)控電磁波，動(dòng)態(tài)地實(shí)現(xiàn)多種完全不同的功能。 在該工作中，作者利用優(yōu)化算法，設(shè)計(jì)相應(yīng)的時(shí)空三維編碼矩陣，超表面將入射波能量分散到空間任意方向和任意諧波頻譜上，這一特性很好地縮減了雷達(dá)散射截面（RCS），未來(lái)有望應(yīng)用于新型的計(jì)算成像系統(tǒng)。更重要的是，引入時(shí)間維度的編碼之后，可以擴(kuò)展傳統(tǒng)的空間編碼比特?cái)?shù)，降低了實(shí)現(xiàn)高比特可編程超表面的系統(tǒng)復(fù)雜度。例如，一款2比特的可編程超表面，只要設(shè)計(jì)相應(yīng)的時(shí)空編碼矩陣，就可以在中心頻率和諧波頻率實(shí)現(xiàn)等效的360度相位覆蓋，這是傳統(tǒng)可編程超表面無(wú)法實(shí)現(xiàn)的，可用于實(shí)現(xiàn)波束塑形等一系列實(shí)用功能。 本工作得到了國(guó)家科技部重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃“變革性技術(shù)關(guān)鍵科學(xué)問(wèn)題”重點(diǎn)專項(xiàng)“微波毫米波數(shù)字編碼和現(xiàn)場(chǎng)可編程超構(gòu)材料的理論體系與關(guān)鍵技術(shù)”，以及國(guó)家自然科學(xué)基金等項(xiàng)目的資助，相關(guān)實(shí)驗(yàn)測(cè)試工作在東南大學(xué)毫米波國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室完成。