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提升結晶小分子半導體在n型有機薄膜晶體管柔性方面的研究
該研究提出了聚合物粘合劑的新型策略，通過合成一個柔性的共軛n型聚合物，使其能夠作為一種粘合劑粘合小分半導體的晶界，提升其機械性能，實現了柔性有機晶體管器件。這種聚合物能有效地抑制小分子和聚合物之間的相分離，進一步實現了晶粒間的粘合作用。
南方科技大學
2021-04-14
實驗室溫度計 硅二極管溫度傳感器 DT640
DT640系列硅二極管溫度傳感器選用了專門適用于低溫溫度測量的硅二極管。相比普通硅二極管，具有重復性好、離散性小、精度更高溫度范圍更寬、低溫下電壓相對高而易于測量等特點。所有此款溫度計都較好地遵循一個電壓-溫度（V-T）曲線，因而具有更好的可互換性。很多應用中都不需要單獨的標定。
DT640-BC型裸片溫度計，相比市場上的其它溫度計，具有尺寸更小、熱容更小、響應時間更短的特點。在尺寸、熱容以及響應時間有特殊要求的應用中具有獨特的優勢。
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特點：
※ 激勵電流小，因而具有很小的自熱效應；
※ 符合標準曲線，具有良好的互換性；
※ 多種封裝，不易損壞、耐溫度沖擊、易于安裝；
※ 在寬溫度范圍1.4K-500K內，可提供較好的測量精度；
※ 遵循DT-640標準溫度響應曲線；
※ 多種可選封裝方式。
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參數：
※ 溫度范圍：3K~500K；
※ 標準曲線：DT640
※ 推薦激勵電流：10µA±0.1%；
※ 可重復性：10mK@4.2K，16mK@77K，75mK@273K。
※ 反向電壓高達：75V；
※ 損壞前電流高達：長時間200mA 或瞬間1A；
※ 推薦激勵下的功率耗散：20µW@4.2K; 10µW@77K; 6µW@300K；
※ BC封裝響應時間：10ms@4.2K, 100ms@77K, 200ms@305K；
※ 輻射影響：只推薦在低輻射場合下使用；
※ 磁場影響：不推薦在磁場環境下使用。
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北京錦正茂科技有限公司
2022-06-27
有關冷凍電鏡解析的人源蛋白酶體26S全酶高分辨三維動態結構的研究
蛋白酶體是細胞中用來調控特定蛋白質的濃度和清除錯誤折疊蛋白質的主要機制的核心組成部分，是細胞中最普遍的不可或缺的大型全酶超分子復合機器之一，也是迄今為止發現的最大的蛋白降解機器。人源蛋白酶體全酶包含至少64個亞基，由蓋子 (Lid)和基座(Base)亞復合體組成的調控顆粒RP(Regulatory Particle)所激活。2016年，該課題組與其合作者在《美國科學院院刊》報道了人源蛋白酶體的基態近原子分辨的冷凍電鏡結構，以及三個亞納米分辨的RP-CP亞復合體亞穩或過渡態的共存結構，并首次發現其中一個亞穩態構象的CP的底物轉運通道處于開放狀態（見PNAS 2016, 113: 12991-12996）。這一發現被德國馬普所Baumeister課題組及其合作者在2017年的一篇《美國科學院院刊》論文中通過酵母蛋白酶體全酶的冷凍電鏡亞納米精度分析進一步證實、引用和比較（見PNAS 2017, 114, 1305-1310）。然而，在這些工作中，CP開放態的全酶結構離近原子分辨還有較大距離，未能充分揭示人源蛋白酶體全酶的激活后的運動行為。毛有東、歐陽頎課題組及其合作者在前期工作的基礎上，利用他們自主開發的基于統計流行算法的高性能計算軟件ROME（見PLoS ONE 2017, 12:e0182130）與優化的冷凍電鏡處理方法，對ATP-γS結合狀態下的人源蛋白酶體的全酶冷凍電鏡單顆粒數據展開了深入分析，得到了6個共存的動態結構，其中包括3.6埃分辨率的基態結構，3.5埃的開放態CP結構，和三個CP開放態對應的亞穩簡并態全酶4.2埃，4.3埃和4.9埃的結構。另外兩個中間態結構分辨率為7.0埃和5.8埃。三個CP開放態對應的全酶結構的主要差別在于位于RP的AAA-ATPase激酶馬達模塊，伴隨其不同的構象變化，至少有四個ATP-γS分子穩定結合在不同的AAA-ATPase亞基上，為其在不同核酸結合狀態下形成的非穩定動態構象提供了重要證據。該研究首次觀察到位于AAA-ATPase激酶馬達模塊中心的底物轉運通道呈現從螺旋到鞍形不同的拓撲結構變化，為進一步分析底物和蛋白酶體全酶的相互作用奠定了重要基礎。人源蛋白酶體全酶AAA-ATPase馬達模塊中心的底物轉運通道發生大幅度的拓撲變構
北京大學
2021-04-11
喜迎二十大 | 管培俊：高質量的高等教育是億萬人民的期待
我們熱切地期望二十大之后，我國高等教育的發展實現新的歷史性跨越。
人民政協報
2022-10-12
可實現純紫外發光的ＺｎＯ基異質結發光二極管的制備方法
本發明公開了一種可實現純紫外發光的ＺｎＯ基異質結發光二極管的制備方法，包括如下步驟：在藍寶石襯底上生長ｎ?ＺｎＯ納米線；采用磁控濺射法在ｐ?ＧａＮ上濺射一層ＡｌＮ薄膜；采用濺射法或者電子束蒸鍍分別在ｎ?ＺｎＯ和ｐ型ＧａＮ一端制備具有歐姆接觸的金屬電極；將ＡｌＮ薄膜／ｐ?ＧａＮ緊扣在ｎ?ＺｎＯ納米棒陣列上面形成異質結，構成完整的器件。本發明在藍寶石上直接生長ＺｎＯ納米棒陣列，提高ＺｎＯ結晶度，提高電學性能，有效消除晶體質量差的問題；引入ＡｌＮ隔離層，有效較少了結區的剩余電子，增加ＺｎＯ區載流子復合效率，實現純ＺｎＯ紫外發光；ｎ?ＺｎＯ納米棒陣列／ＡｌＮ／ｐ?ＧａＮ異質結發光二極管，發光位置在３８５ｎｍ左右，半峰寬為１４．５ｎｍ。
東南大學
2021-04-11
一種石墨烯-碳納米管復合全碳超輕彈性氣凝膠及其制備方法
本發明公開了一種石墨烯-碳納米管復合全碳超輕彈性氣凝膠及其制備方法。它包括以下步驟：（1）將1重量份的氧化石墨烯分散于10~4000重量份的水中形成氧化石墨烯分散液；（2）將1重量份碳納米管分散于5~4000重量份的氧化石墨烯分散液中，得到氧化石墨烯-碳納米管分散液；（3）將氧化石墨烯-碳納米管分散液進行冷凍干燥或超臨界干燥，得到氧化石墨烯-碳納米管復合氣凝膠；（4）將氧化石墨烯-碳納米管復合氣凝膠采用化學還原法還原或高溫熱還原法還原，得到石墨烯-碳納米管復合全碳超輕彈性氣凝膠。本發明的工藝簡單，過程綠色環保，所得到的全碳超輕氣凝膠具有低密度、高導電率、高比表面積、彈性溫度范圍廣等優點。
浙江大學
2021-04-11
一種閾值電壓可調的薄膜晶體管作為非易失性存儲器的用途
本發明公開了一種閾值電壓可調的薄膜晶體管作為非易失性存儲器的用途，薄膜晶體管的頂柵、阻擋層、存儲層、隧穿層及溝道層構成了頂柵型存儲器；薄膜晶體管的溝道層、底柵氧化層及底柵構成了底柵型TFT。通過對頂柵型存儲器進行操作實現非易失性存儲器的“編程/擦除”操作，通過對底柵型TFT進行操作實現非易失性存儲器的“讀”操作。“編程/擦除(Program/Erase,P/E)”和“讀”操作的分離，提升了存儲器的存儲窗口、可靠性以及工作速度等的性能。
東南大學
2021-04-11
一種去除甲醛用天然沸石負載CuO納米管復合材料的制備方法
本發明屬于材料制備領域，具體為一種去除甲醛用天然沸石負載CuO納米管復合材料的制備方法。首先，用鹽酸對天然沸石進行處理，并水浴加熱，攪拌、過濾、洗滌、干燥，熱處理后制備出性能穩定的天然沸石，然后，結合浸漬工藝將天然沸石浸漬在氯化銅溶液中，以四甲基乙二胺為絡合劑，CTAB為軟模板，葡萄糖為還原劑，采用水熱法制備天然沸石負載Cu納米線，最后，采用熱處理法制備天然沸石負載CuO納米管復合光催化材料。該工藝過程簡單，成本低，便于實現，制備的天然沸石負載CuO納米管復合材料比表面積大，易于回收，吸附降解性能好。
天津城建大學
2021-04-11
一種具有共振隧穿結構電子阻擋層的發光二極管
本發明公開了一種具有共振隧穿結構電子阻擋層的發光二極管，包括：由下而上依次設置的襯底、ｎ型氮化物層、多量子阱層、電子阻擋層、ｐ型氮化物層、ｐ型氮化物歐姆接觸層，所述ｎ型氮化物層上設置的ｎ型電極和所述ｐ型氮化物層上設置的ｐ型電極；其中電子阻擋層由由下而上依次設置的ｐ型摻雜氮化物勢壘層，非摻雜氮化物勢阱層、利用共振隧穿效應增大空穴透過率的非摻雜勢壘層聯合
東南大學
2021-04-14
一種具有雙摻雜多量子阱結構的紫外發光二極管
本發明公開了一種具有雙摻雜多量子阱結構的紫外發光二極管，包括：由下至上依次設置的襯底，AlN中間層、非摻雜AlGaN緩沖層、n型AlGaN層、雙摻雜的AlxGa1?xN/AlyGa1?yN多量子阱有源區、AlzGa1?zN電子阻擋層，其中z>y>x，p型AlGaN層和透明導電層，在n型AlGaN層和透明導電層上分別設置的n型歐姆電極和p型
東南大學
2021-04-14