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人類(lèi)文明的高度發(fā)展，既帶來(lái)了生活的便利與舒適，同時(shí)也增添了病菌傳播的機(jī)會(huì)。近年 來(lái)世界上大規(guī)模傳染性疾病的時(shí)有發(fā)生，例如，1996年日本發(fā)生的O-157大腸桿菌感染事件， 2000年日本、韓國(guó)、蒙古等國(guó)家發(fā)生的口蹄疫事件，2003年我國(guó)流行的SARS事件，至今在許 多國(guó)家相繼爆發(fā)的禽流感及致人死亡事件，以及霍亂、肺炎、瘧疾、結(jié)核病和肝炎等，都給世 界帶來(lái)了震驚和恐慌，也給人類(lèi)生命財(cái)產(chǎn)造成了重大的損失，促進(jìn)了人類(lèi)對(duì)健康生存環(huán)境的追 求。自上世紀(jì)80年代以來(lái)，各種各樣的抗微生物材料發(fā)展十分迅速。抗微生物制品在保護(hù)人類(lèi) 健康、減少疾病、改善生活環(huán)境等方面可以起到綠色屏障的作用。據(jù)CBS調(diào)查，52％的美國(guó)民 眾購(gòu)買(mǎi)日用品時(shí)，會(huì)注意產(chǎn)品是否抗菌、防霉、防臭的功能。 然而無(wú)論是以歐美為代表采用有機(jī)抗菌劑，還是以日本為代表采用無(wú)機(jī)銀離子或納米級(jí) 二氧化鈦直接混入樹(shù)脂基體制備聚合物制品的抗微生物技術(shù)都存在不足。理論而言，作為一種 抗微生物材料不僅應(yīng)該同時(shí)對(duì)絕大多數(shù)微生物有效，而且不應(yīng)該是溶出性的，否則所制成的飲 水管道、食品包裝膜、飲水機(jī)等都會(huì)因人體攝入而造成毒害，不耐洗滌、抗微生物效果持久性 差。另一方面，大多數(shù)有機(jī)抗生素的作用機(jī)理在于影響微生物的新陳代謝，進(jìn)而達(dá)到抑制其生 長(zhǎng)繁殖的目的，然而這類(lèi)抗生素的濫用，將導(dǎo)致微生物抗藥性的增加，會(huì)給人類(lèi)健康帶來(lái)更大 的危害。因此新一代基于物理作用而可避免上述抗生素缺點(diǎn)的抗菌劑，如陽(yáng)離子型抗菌劑，通 過(guò)正負(fù)電荷的靜電吸引作用，破壞細(xì)胞膜而殺死微生物，成為抗菌劑的重要發(fā)展方向。 本項(xiàng)目創(chuàng)建了一類(lèi)高效、廣譜、對(duì)人體安全無(wú)毒的抗微生物材料，其特點(diǎn)是將特定的陽(yáng) 離子型功能團(tuán)齊聚物鍵合到應(yīng)用廣泛的大宗樹(shù)脂的分子鏈上，成為非溶出型的分子組裝抗菌材 料，經(jīng)久耐洗、持久高效抗菌、抗病毒，克服了現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，是抗微生物材料方面一個(gè)有 突破意義的發(fā)明。

本發(fā)明公開(kāi)了一種腫瘤靶向多肽光敏劑鍵合物，屬于生物醫(yī)藥領(lǐng)域。所述的腫瘤靶向多肽光敏劑鍵 合物的結(jié)構(gòu)為 A-B-C-D，其中，A 為光動(dòng)力學(xué)治療光敏劑，B 為含正電荷的細(xì)胞穿膜肽片段，C 為基質(zhì) 金屬蛋白酶特異性識(shí)別多肽片段，D 為含負(fù)電荷的多肽片段。本發(fā)明公開(kāi)的多肽光敏劑鍵合物可以顯著 提高光動(dòng)力學(xué)治療光敏劑在生理?xiàng)l件下的穩(wěn)定性，極大的減少光動(dòng)力學(xué)

本發(fā)明公開(kāi)了一種四自由度倒裝鍵合頭，包括一個(gè)基于滾珠花鍵副的兩自由度串聯(lián)機(jī)構(gòu)、一個(gè)兩自由度的并聯(lián)機(jī)構(gòu)和吸嘴。在串聯(lián)機(jī)構(gòu)中，滾珠花鍵軸通過(guò)轉(zhuǎn)動(dòng)副與滑塊相連，驅(qū)動(dòng)滑塊實(shí)現(xiàn)倒裝鍵合頭 Z 方向的移動(dòng)；其套筒通過(guò)另一轉(zhuǎn)動(dòng)副固定在機(jī)架上，驅(qū)動(dòng)與套筒固連的撥叉實(shí)現(xiàn)倒裝鍵合頭 Z 方向的轉(zhuǎn)動(dòng)；并聯(lián)機(jī)構(gòu)由上、下平臺(tái)，以及連接兩者的一條固定支鏈和兩條運(yùn)動(dòng)運(yùn)動(dòng)支鏈組成，驅(qū)動(dòng)兩條運(yùn)動(dòng)支鏈中的移動(dòng)副實(shí)現(xiàn)倒裝鍵合頭 X、Y 方向的微小轉(zhuǎn)動(dòng)；并聯(lián)機(jī)構(gòu)的上平臺(tái)與滾珠花鍵軸固定連接，下平臺(tái)安裝拾取/貼放裸芯的吸嘴。本發(fā)明實(shí)現(xiàn)了倒裝

本發(fā)明屬于晶圓鍵合技術(shù)，為一種短波長(zhǎng)光輔助硅片直接鍵合方法，其步驟包括：①清洗；②氧化性氨溶液活化；③將硅片用短波長(zhǎng)光繼續(xù)輔助活化，活化后取出；短波長(zhǎng)光的波長(zhǎng)范圍為 100～400nm，短波長(zhǎng)光照射光強(qiáng)為 5～30mW/cm²，活化時(shí)間為 0.5～30分鐘；④預(yù)鍵合；⑤退火。經(jīng)過(guò)短波長(zhǎng)光輔助活化處理后的鍵合硅片對(duì)結(jié)合緊密，無(wú)需外壓力作用就能實(shí)現(xiàn)硅硅直接鍵合。本發(fā)明所需設(shè)備簡(jiǎn)單，鍵合速度快，鍵合周期短，鍵合面積大，鍵合溫度低，且在鍵合強(qiáng)度及鍵合可靠性上具有

本發(fā)明屬于芯片貼裝設(shè)備相關(guān)領(lǐng)域，并公開(kāi)了一種面向芯片的 倒裝鍵合貼裝設(shè)備，包括晶元移動(dòng)單元、頂針單元、大轉(zhuǎn)盤(pán)單元、小 轉(zhuǎn)盤(pán)單元、基板進(jìn)給單元)、貼裝運(yùn)動(dòng)單元，以及作為以上各單元安裝 基礎(chǔ)的支架等，其中晶元移動(dòng)單元可對(duì)晶元盤(pán)實(shí)現(xiàn)三自由度運(yùn)動(dòng)并實(shí) 現(xiàn)晶元的供給;大轉(zhuǎn)盤(pán)單元將脫離晶元盤(pán)的芯片精度轉(zhuǎn)移至吸嘴上， 然后由小轉(zhuǎn)盤(pán)單元對(duì)芯片逐一拾取;基板進(jìn)給單元實(shí)現(xiàn)貼裝基板的進(jìn) 給運(yùn)動(dòng)，貼裝運(yùn)動(dòng)單元?jiǎng)t將拾取完芯片的小轉(zhuǎn)盤(pán)運(yùn)動(dòng)至基板貼裝位置， 最終實(shí)現(xiàn)芯片的貼裝。通過(guò)本發(fā)明，各個(gè)模塊單元之間相互聯(lián)系，共 同協(xié)作，顯

成都華芯眾合電子科技有限公司位于成都高新技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)，是專(zhuān)業(yè)從事高等院校教學(xué)、科研及軟件研發(fā)、生產(chǎn)、銷(xiāo)售服務(wù)于一體的高新技術(shù)企業(yè)。產(chǎn)品適用于物理、材料、電子、光電等理工科專(zhuān)業(yè)教學(xué)和相關(guān)科研領(lǐng)域。

青島永合創(chuàng)信電子科技有限公司是國(guó)內(nèi)專(zhuān)業(yè)研發(fā)、生產(chǎn)、銷(xiāo)售實(shí)驗(yàn)室儀器設(shè)備的公司，擁有自主品牌“CREATRUST”的冷凍干燥機(jī)、實(shí)驗(yàn)室器皿清洗機(jī)、不銹鋼凍存架、凍存盒等系列產(chǎn)品。公司總部位于青島市城陽(yáng)區(qū)祥陽(yáng)路106號(hào)青島未來(lái)科技產(chǎn)業(yè)園，公司擁有實(shí)驗(yàn)室儀器領(lǐng)域?qū)I(yè)的研發(fā)、生產(chǎn)、銷(xiāo)售、售后團(tuán)隊(duì)以及完善的生產(chǎn)設(shè)施和質(zhì)量管理體系。

產(chǎn)品詳細(xì)介紹

可以量產(chǎn)/n成果簡(jiǎn)介：隨著汽車(chē)工業(yè)的發(fā)展，各種鍍層鋼板，特別是鍍鋅鋼板在汽車(chē)上應(yīng)用愈來(lái)愈廣泛。由于點(diǎn)焊鍍鋅鋼板時(shí)，低熔點(diǎn)的鋅減小了電極與鋼板之間的接觸電阻，與點(diǎn)焊普通鋼板（非鍍層鋼板）相比，需增大焊接電流或延長(zhǎng)焊接時(shí)間才能保證焊接質(zhì)量，這使得電極頭部要承受更高焊接熱，在焊接熱和力聯(lián)合作用下，易與鋼板表面的低熔點(diǎn)的鋅發(fā)生反應(yīng)，形成低熔點(diǎn)的合金，加快電極失效。若能在電極頭部熔敷一層高熔點(diǎn)、高電導(dǎo)率、高強(qiáng)度且與鋅結(jié)合力低的陶瓷材料，阻礙或減緩在點(diǎn)焊時(shí)電極與鋼板表面的鍍鋅層發(fā)生反應(yīng)，就能極大的提高電極壽命和

本發(fā)明公開(kāi)了一種用于直流濾波電容器的熔絲參數(shù)獲取方法， 包括(1)將金屬化膜試品置于自愈試驗(yàn)平臺(tái)中，通過(guò)設(shè)置試驗(yàn)溫度并施 加壓強(qiáng)來(lái)進(jìn)行自愈試驗(yàn)，獲得金屬化膜試品的自愈電壓和自愈電流； (2)根據(jù)金屬化膜試品的自愈電壓和自愈電流獲得自愈電弧電阻，并根 據(jù)自愈電弧電阻獲得電阻模型，根據(jù)電阻模型獲得自愈電弧電阻參數(shù) 最小值，最大值以及時(shí)間參數(shù)；(3)搭建安全膜仿真模型，設(shè)置安全膜 仿真模型中自愈電弧電阻參數(shù)、自愈成功時(shí)的擊穿電壓、自愈失敗時(shí) 的擊穿電壓，并計(jì)算不同熔絲數(shù)量下自愈成功和自愈失敗時(shí)流過(guò)安全 膜