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固支梁Ｔ型結(jié)間接加熱式微波信號(hào)檢測(cè)器
本發(fā)明的固支梁Ｔ型結(jié)間接加熱式微波信號(hào)檢測(cè)器由六端口固支梁耦合器，通道選擇開(kāi)關(guān)，微波頻率檢測(cè)器，微波相位檢測(cè)器級(jí)聯(lián)構(gòu)成；六端口固支梁耦合器由共面波導(dǎo)，介質(zhì)層，空氣層和固支梁構(gòu)成；六端口固支梁耦合器的第一端口到第三端口、第四端口以及第一端口到第五端口、第六端口的功率耦合度相同，待測(cè)信號(hào)經(jīng)第一端口輸入，由第二端口輸出到第一間接加熱式微波功率傳感器，由第四端口和第六端口輸出到微波相位檢測(cè)器；由第三端口和第五端口輸出到通道選擇開(kāi)關(guān)；通道選擇開(kāi)關(guān)的第七端口和第八端口分別接間接加熱式微波功率傳感器，通道選擇開(kāi)關(guān)
東南大學(xué)
2021-04-14
固支梁Ｔ型結(jié)間接加熱式微波信號(hào)檢測(cè)儀器
本發(fā)明的固支梁Ｔ型結(jié)間接加熱式微波信號(hào)檢測(cè)儀器由傳感器、模數(shù)轉(zhuǎn)換、ＭＣＳ５１單片機(jī)和液晶顯示四大模塊組成，傳感器由六端口固支梁耦合器，通道選擇開(kāi)關(guān)，微波頻率檢測(cè)器，微波相位檢測(cè)器級(jí)聯(lián)構(gòu)成；六端口固支梁耦合器的第一端口到第三端口、第四端口以及第一端口到第五端口、第六端口的功率耦合度相同，待測(cè)信號(hào)經(jīng)第一端口輸入，由第二端口輸出到第一間接加熱式微波功率傳感器，由第四端口和第六端口輸出到微波相位檢測(cè)器；由第三端口和第五端口輸出到通道選擇開(kāi)關(guān)；通道選擇開(kāi)關(guān)的第七端口和第八端口分別接間接加熱式微波功率傳感器，通
東南大學(xué)
2021-04-14
固支梁間接加熱在線式未知頻率微波相位檢測(cè)器
本發(fā)明的固支梁間接加熱在線式未知頻率微波相位檢測(cè)器由六端口固支梁耦合器，通道選擇開(kāi)關(guān)，微波頻率檢測(cè)器，微波相位檢測(cè)器級(jí)聯(lián)構(gòu)成；六端口固支梁耦合器由共面波導(dǎo)，介質(zhì)層，空氣層和固支梁構(gòu)成；共面波導(dǎo)在ＳｉＯ２層上，固支梁的下方為介質(zhì)層，兩個(gè)固支梁之間的共面波導(dǎo)長(zhǎng)度為λ／４；第一端口到第三端口、第四端口及到第五端口、第六端口的功率耦合度相同，待測(cè)信號(hào)經(jīng)第一端口輸入，由第二端口輸出到下級(jí)處理電路，由第四端口和第六輸出到微波相位檢測(cè)器，由第三端口和第五端口輸出到通道選擇開(kāi)關(guān)；通道選擇開(kāi)關(guān)的第七端口和第八接間接加
東南大學(xué)
2021-04-14
固支梁直接加熱在線式已知頻率微波相位檢測(cè)器
本發(fā)明的固支梁直接加熱在線式已知頻率微波相位檢測(cè)器由六端口固支梁耦合器，微波相位檢測(cè)器，直接加熱式微波功率傳感器；六端口固支梁耦合器由共面波導(dǎo)，介質(zhì)層，空氣層和固支梁構(gòu)成；共面波導(dǎo)制作在ＳｉＯ２層上，固支梁的下方沉積介質(zhì)層，并與空氣層，固支梁共同構(gòu)成耦合電容結(jié)構(gòu)，兩個(gè)固支梁之間的共面波導(dǎo)長(zhǎng)度為λ／４；六端口固支梁耦合器的第一端口到第三端口、第四端口以及第一端口到第五端口、第六端口的功率耦合度相同，待測(cè)信號(hào)經(jīng)六端口固支梁耦合器的第一端口輸入，由第三端口和第五端口輸出到直接加熱式微波功率傳感器，由第四端
東南大學(xué)
2021-04-14
固支梁Ｔ型結(jié)直接加熱式微波信號(hào)檢測(cè)器
本發(fā)明的固支梁Ｔ型結(jié)直接加熱式微波信號(hào)檢測(cè)器由六端口固支梁耦合器，通道選擇開(kāi)關(guān)，微波頻率檢測(cè)器，微波相位檢測(cè)器，直接加熱式微波功率傳感器級(jí)聯(lián)構(gòu)成；兩個(gè)固支梁之間的共面波導(dǎo)長(zhǎng)度為λ／４；六端口固支梁耦合器的第一端口到第三端口、第四端口以及第一端口到第五端口、第六端口的功率耦合度分別相同，待測(cè)信號(hào)經(jīng)第一端口輸入，并由第二端口輸出直接加熱式微波功率傳感器，由第四端口和第六端口輸出微波相位檢測(cè)器，由第三端口和第五端口輸出通道選擇開(kāi)關(guān)；通道選擇開(kāi)關(guān)的第七端口和第八端口接直接加熱式微波功率傳感器，通道選擇開(kāi)關(guān)的
東南大學(xué)
2021-04-14
固支梁間接加熱在線式已知頻率微波相位檢測(cè)器
本發(fā)明的固支梁間接加熱在線式已知頻率微波相位檢測(cè)器由六端口固支梁耦合器、微波相位檢測(cè)器和間接加熱式微波功率傳感器級(jí)聯(lián)構(gòu)成；六端口固支梁耦合器由共面波導(dǎo)，介質(zhì)層，空氣層和固支梁構(gòu)成；共面波導(dǎo)制作在ＳｉＯ２層上，固支梁的下方沉積介質(zhì)層，并與空氣層共同構(gòu)成耦合電容結(jié)構(gòu)，兩個(gè)固支梁之間的共面波導(dǎo)長(zhǎng)度為λ／４；六端口固支梁耦合器的第一端口到第三端口、第四端口及第一端口到第五端口、第六端口的功率耦合度分別相同，待測(cè)信號(hào)經(jīng)六端口固支梁耦合器的第一端口輸入，由第三端口和第五端口輸出到間接加熱式微波功率傳感器，由第四
東南大學(xué)
2021-04-14
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一種流化床內(nèi)氣固反應(yīng)實(shí)時(shí)工況測(cè)量系統(tǒng)
本發(fā)明公開(kāi)了一種流化床內(nèi)氣固反應(yīng)實(shí)時(shí)工況測(cè)量系統(tǒng)，包括：氣路單元、流化床反應(yīng)器單元、爐溫控制單元和實(shí)時(shí)工況測(cè)量單元；該氣路單元包括氣源、流量計(jì)、空氣預(yù)熱器；該流化床反應(yīng)器單元包括流化床和布風(fēng)板；空氣預(yù)熱器通過(guò)氣路與流化床底端相連，流量計(jì)與氣源和空氣預(yù)熱器相連；布風(fēng)板置于流化床底端，反應(yīng)氣由布風(fēng)板進(jìn)入氣固反應(yīng)區(qū)；該爐溫控制單元包括溫度顯示控制裝置、爐溫加熱棒；溫度顯示控制裝置利用電子控制裝置調(diào)整爐溫加熱棒的電流，從而達(dá)到控制高溫爐本體爐膛溫度的目的；該實(shí)時(shí)工況測(cè)量單元用于獲得所述氣固反應(yīng)的實(shí)時(shí)工況數(shù)據(jù)，與計(jì)算機(jī)相連進(jìn)一步可以得到固定樣品顆粒實(shí)時(shí)反應(yīng)速率以及反應(yīng)動(dòng)力學(xué)參數(shù)。
華中科技大學(xué)
2021-04-13
固支梁Ｔ型結(jié)直接加熱式微波信號(hào)檢測(cè)儀器
本發(fā)明的固支梁Ｔ型結(jié)直接加熱式微波信號(hào)檢測(cè)儀器由傳感器、模數(shù)轉(zhuǎn)換、ＭＣＳ５１單片機(jī)和液晶顯示四大模塊組成，傳感器由六端口固支梁耦合器，通道選擇開(kāi)關(guān)，微波頻率檢測(cè)器，微波相位檢測(cè)器，直接加熱式微波功率傳感器級(jí)聯(lián)構(gòu)成；六端口固支梁耦合器的第一端口到第三端口、第四端口以及第一端口到第五端口、第六端口的功率耦合度相同，信號(hào)經(jīng)第一端口輸入，并由第二端口輸出直接加熱式微波功率傳感器，由第四端口和第六端口輸出微波相位檢測(cè)器，由第三端口和第五端口輸出通道選擇開(kāi)關(guān)；通道選擇開(kāi)關(guān)的第七端口和第八端口接直接加熱式微波功率
東南大學(xué)
2021-04-14
固支梁直接加熱在線式未知頻率微波相位檢測(cè)器
本發(fā)明的固支梁直接加熱在線式未知頻率微波相位檢測(cè)器由六端口固支梁耦合器，通道選擇開(kāi)關(guān)，微波頻率檢測(cè)器，微波相位檢測(cè)器，直接加熱式微波功率傳感器級(jí)聯(lián)構(gòu)成；六端口固支梁耦合器由共面波導(dǎo)，介質(zhì)層，空氣層和固支梁構(gòu)成；六端口固支梁耦合器的第一端口到第三端口、第四端口以及第一端口到第五端口、第六端口的功率耦合度分別相同，待測(cè)信號(hào)經(jīng)第一端口輸入，并由第二端口輸出到下級(jí)處理電路，由第四端口和第六端口輸出到微波相位檢測(cè)器，由第三端口和第五端口輸出到通道選擇開(kāi)關(guān)；通道選擇開(kāi)關(guān)的第七端口和第八端口接直接加熱式微波功率傳
東南大學(xué)
2021-04-14
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一種單相α-Si3N4超細(xì)粉體及其制備方法
小試階段/n本發(fā)明解決單相α-Si3N4超細(xì)粉體制備技術(shù)存在的問(wèn)題，如原料價(jià)格高、工藝過(guò)程復(fù)雜、不易控制、能耗高和工業(yè)化程度低，所制備的產(chǎn)品純度低、粉體顆粒粒徑分布不均勻和Alpha相含量低。本發(fā)明具有反應(yīng)溫度低、成本低、合成工藝簡(jiǎn)單、過(guò)程易于控制、產(chǎn)率高和產(chǎn)業(yè)化前景大的特點(diǎn)；所制備的單相α-Si3N4超細(xì)粉體粒度為100~500nm，無(wú)雜相、活性高、顆粒團(tuán)聚小和粒度分布均勻。本發(fā)明處于待轉(zhuǎn)化階段，應(yīng)用范圍廣闊，市場(chǎng)前景可觀，預(yù)期經(jīng)濟(jì)效益優(yōu)異。
武漢科技大學(xué)
2021-01-12