碳納米管的結構控制制備方法
                                        
                                            由于高溫下催化劑的聚集和失活,無法獲得高密度碳管水平陣列,就提出了“特洛伊”催化劑的概念,解決了催化劑聚集的難題,實現了密度高達	130	根	/	微米(局部大于	170	)碳管水平陣列的生長(	Nat. Commun.	, 2015, 6, 6099	)。為了進一步實現碳納米管的結構控制,他們發展了雙金屬催化劑(	J. Am. Chem. Soc.	,	 2015, 137, 1012	)、半導體氧化物催化劑(	Nano Lett.	,	 2015, 15, 403	)和碳化物催化劑(	J. Am. Chem. Soc.	,	 2015, 137, 8904	),實現了不同結構碳納米管的控制生長。通過對生長的過程的調控,實現了密度大于	100	根	/	微米半導體含量大于	90%	的碳管陣列的生長(	J. Am. Chem. Soc.	,	 2016, 138, 6727	)和小管徑陣列單壁碳納米管的生長(	J. Am. Chem. Soc.	,	 2016, 138, 12723	)。
                                        
                                        
                                            北京大學
                                            2021-04-11