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一種納米壓印制備柔性透明表面增強(qiáng)拉曼散射基底的方法
本發(fā)明專利公開了一種柔性透明表面增強(qiáng)拉曼散射基底的制備 方法。該方法結(jié)合了多孔氧化鋁模板與納米壓印技術(shù)。首先，利用陽 極氧化方法制備了多孔氧化鋁模板；然后，在多孔氧化鋁模板上沉積 貴金屬納米顆粒；最后，利用納米壓印技術(shù)將多孔氧化鋁模板的納米 結(jié)構(gòu)和貴金屬納米顆粒轉(zhuǎn)移到聚合物薄膜上，得到一種柔性透明的表 面增強(qiáng)拉曼散射基底。基底具有優(yōu)異透明性、柔性、均勻性及高靈敏 度，可以應(yīng)用在瓜果蔬菜表面農(nóng)藥殘留的原位探測(cè)、水溶液中
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種適用于 RFID 安全通信的橢圓曲線加密協(xié)處理器
本發(fā)明公開了一種適用于 RFID 安全通信的橢圓曲線加密協(xié)處 理器，所述協(xié)處理器包括寄存器陣列、模算術(shù)邏輯單元和 ECC 協(xié)處理 器指令控制器，所述寄存器陣列用于存儲(chǔ)橢圓曲線加密計(jì)算過程中的 橢圓曲線參數(shù)、私鑰、計(jì)算過程數(shù)據(jù)以及計(jì)算結(jié)果；所述模算術(shù)邏輯 單元包括加法電路、乘法電路、平方電路、控制單元和寄存器 T，用 于完成加法、乘法、平方運(yùn)算；所述 ECC 協(xié)處理器指令控制器用于對(duì) 所述模算數(shù)邏輯單元發(fā)送加法、乘法、
華中科技大學(xué)
2021-04-14
接枝兩性離子提高聚酰亞胺膜抗污染性能的方法及產(chǎn)品
本發(fā)明公開了一種提高聚酰亞胺膜抗污染性能的方法及產(chǎn)品， 屬于聚酰亞胺膜的改性領(lǐng)域。本發(fā)明包括如下步驟：將聚酰亞胺膜浸 漬在二胺溶液中 0.1h～24h，之后取出洗凈；將洗凈的聚酰亞胺膜浸漬 在酸性溶液中 1h～48h，之后取出洗凈。本發(fā)明利用了兩性離子具有 良好的親水性的特點(diǎn)，成功地將兩性離子接枝到聚酰亞胺膜的表面， 賦予聚酰亞胺膜較高的親水性能，明顯提高了膜的親水性，進(jìn)而提高 抗污染性能，并能減少微生物吸附和抑制生
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種基于磁納米粒子交流磁化率的溫度測(cè)量方法
本發(fā)明公開了一種基于磁納米粒子交流磁化率的溫度測(cè)量方法，所述方法包括如下步驟：(1)確定待測(cè)對(duì)象區(qū)域，并利用通電螺線管對(duì)待測(cè)區(qū)域施加交流激勵(lì)磁場；(2)利用探測(cè)線圈采集交流激勵(lì)磁場下待測(cè)區(qū)域的磁感應(yīng)強(qiáng)度 H1；(3)保持交流激勵(lì)磁場不變，將磁納米樣品放置于待測(cè)對(duì)象的待測(cè)區(qū)域內(nèi)，利用探測(cè)線圈采集施加磁納米樣品之后待測(cè)區(qū)域的磁感應(yīng)強(qiáng)度 H2；(4)計(jì)算磁納米粒子的交流磁化率χ的實(shí)部χ’和虛部χ”；其中的 A1，A2，α都
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種基于磁納米粒子一次諧波幅值的成像方法
本發(fā)明公開了一種基于磁納米粒子一次諧波幅值的成像方法。采用交流磁化強(qiáng)度一次諧波幅值實(shí)現(xiàn)磁納米濃度成像，只需在一個(gè)方向施加高頻正弦磁場并在不同方向提供掃描磁場便可實(shí)現(xiàn)一維、二維以及三維空間的掃描；用低頻三角波掃描磁場或低頻正弦波掃描磁場控制空間區(qū)域零磁場點(diǎn)的位置，求解出不同空間位置的磁納米粒子的一次諧波幅值，最終實(shí)現(xiàn)磁納米濃度成像，從而避免了通過改變直流電源的大小來移動(dòng)零磁場點(diǎn)掃描空間，有效提高了磁納米粒子成像的
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種測(cè)量激光光束質(zhì)量的裝置、方法及光路準(zhǔn)直方法
本發(fā)明公開了一種測(cè)量激光光束質(zhì)量的裝置、方法及光路準(zhǔn)直 方法，解決了現(xiàn)有激光光束質(zhì)量測(cè)量系統(tǒng)放置激光器后需要花費(fèi)大量 時(shí)間進(jìn)行手動(dòng)準(zhǔn)直的問題。本發(fā)明包括激光器，第一衰減片，第二衰 減片，全反射棱鏡，反射鏡，圖像采集模塊，光束傳輸距離調(diào)節(jié)模塊， 光束傳輸角度調(diào)節(jié)模塊，數(shù)據(jù)處理模塊。本發(fā)明通過光束傳輸距離調(diào) 節(jié)模塊和數(shù)據(jù)處理模塊測(cè)量出不同光束傳輸距離下的光斑中心位置計(jì) 算出光束偏離角度，從而通過光束傳輸角度調(diào)節(jié)模塊對(duì)激光
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種硅太陽能電池正面銀電極用銀粉的制備方法
本發(fā)明公開了一種硅太陽能電池正面銀電極用銀粉的制備方法， 包括以下步驟：將硝酸銀和檸檬酸溶于去離子水配制得到 A 溶液；將 瓜爾豆膠、抗壞血酸以及硝酸溶于去離子水中配制得到 B 溶液；在攪 拌的情況下，將 A 溶液逐漸滴加到 B 溶液，反應(yīng)一段時(shí)間；靜置，沉 淀得到銀粉。本發(fā)明通過引入瓜爾豆膠為反應(yīng)離子分散劑、檸檬酸為 粒子表面改性劑，在液相化學(xué)還原法下制備得到平均粒徑 D50 為 1.0-3.0μm 的銀粉，并兼顧
華中科技大學(xué)
2021-04-14
基于 SiCx 織構(gòu)的硅量子點(diǎn)浮柵非易失性存儲(chǔ)器及其制備方法
本發(fā)明公開了一種基于 SiCx 織構(gòu)的硅量子點(diǎn)浮柵非易失性半導(dǎo) 體存儲(chǔ)器及其制備方法，包括硅襯底，在硅襯底上摻雜形成的源導(dǎo)電 區(qū)和漏導(dǎo)電區(qū)，以及在源漏之間的載流子溝道上依次生長的隧穿氧化 層、電荷存儲(chǔ)層、控制柵氧化層及金屬柵層；所述電荷存儲(chǔ)層包括 SiCx 織構(gòu)和橫縱向均勻分布于 SiCx 織構(gòu)中的硅量子點(diǎn)。本發(fā)明有效利用硅 量子點(diǎn)-SiCx 織構(gòu)間的隧穿勢(shì)壘，構(gòu)成了控制柵氧化層-SiCx 織構(gòu)-Si 量子點(diǎn)-SiC
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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一種用于高電壓（5V）鋰離子電池的電解液
鋰離子動(dòng)力電池在實(shí)際工作中需要很高的能量和功率密度，所以需要有些正極材料在高電壓(4V以上)還能進(jìn)行鋰離子的嵌入/脫出反應(yīng)，而在這樣高的電壓下，現(xiàn)有的有機(jī)電解液體系不能滿足要求。另外，鋰離子動(dòng)力電池的電解液還需要能滿足大電流充放電和高溫工作的要求。目前的電解液體系是把LiPF6為電解質(zhì)鹽溶解于以環(huán)狀碳酸酯[如碳酸乙烯酯(EC)或碳酸丙烯酯(PC)]和直鏈碳酸酯[如碳酸二甲酯(DMC)或碳酸二乙酯(DEC)]混合溶劑中，不能滿足鋰離子動(dòng)力電池的上述要求。我們近年來在對(duì)正極材料進(jìn)行表面改性的基礎(chǔ)上，進(jìn)
南開大學(xué)
2021-04-14
一種用于同步 OCDMA 系統(tǒng)的變重二次同余碼獲取方法
本發(fā)明公開了一種用于同步 OCDMA 系統(tǒng)的變重二次同余碼獲 取方法，包括：構(gòu)建原始二次同余碼碼集；對(duì)原始二次同余碼碼集中 的任意一個(gè)區(qū)內(nèi)的 p 個(gè)碼字序列進(jìn)行時(shí)移變換獲得移位序列碼集；對(duì) 移位序列碼集中的子序列進(jìn)行子序列問插獲得問插序列碼集；將原始 二次同余碼碼集的碼字子序列與問插序列碼集的子序列進(jìn)行交換處理 后獲得交換序列碼集；對(duì)交換序列碼集中的碼字序列進(jìn)行轉(zhuǎn)置處理獲 得變重二次同余碼碼集。對(duì) p 個(gè)組(G0，G
華中科技大學(xué)
2021-04-14