太阳城集团亚洲娱乐城-澳门太阳城集团娱乐城最新地址_百家乐电影网_全讯网xb112 (中国)·官方网站

通過(guò)簡(jiǎn)單封裝和熱退火，制備出穩(wěn)定富含氫的IGZO 晶體管，其晶體管電學(xué)性能、穩(wěn)定性都獲得大大提高。制備方法較簡(jiǎn)單且重復(fù)性高，即用氮化硅薄膜封裝，再通過(guò)熱擴(kuò)散將氮化硅內(nèi)氫元素?cái)U(kuò)散至InGaZnO薄膜內(nèi)。摻氫后的晶體管，其開(kāi)態(tài)電流和開(kāi)關(guān)比都獲得了數(shù)量級(jí)的提升（約40倍），而且閾值電壓沒(méi)有太大變化。而對(duì)應(yīng)提取出的場(chǎng)效應(yīng)遷移率則出現(xiàn)異常，大于300 cm2/(V·s)，遠(yuǎn)高于未經(jīng)處理的對(duì)照樣品。然后結(jié)合二次離子質(zhì)譜儀（SIMS）和X射線光電子能譜分析（XPS）表征，發(fā)現(xiàn)薄膜內(nèi)不但氫濃度提升了約一個(gè)數(shù)量級(jí)，而且氧空位缺陷態(tài)也大大減少了，而自由電子濃度則相應(yīng)顯著增加。?研究還指出，該工作模式在長(zhǎng)溝道晶體管中效果尤為顯著，而在短溝道器件中則受到明顯局限。該工作揭示了氫在氧化物半導(dǎo)體中的穩(wěn)定存在方式和對(duì)導(dǎo)電性能的關(guān)鍵作用，為提升長(zhǎng)溝道晶體管的電流驅(qū)動(dòng)能力提供了一種新的器件工作模式，并對(duì)高遷移率薄膜晶體管的驗(yàn)證和分析提供了普適性的理論依據(jù)和實(shí)驗(yàn)方法。

已有樣品/n“新型高密度存儲(chǔ)材料與器件”面向大數(shù)據(jù)時(shí)代對(duì)海量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和處理的需求，研究相變、阻變、鐵電等新型存儲(chǔ)材料和器件的設(shè)計(jì)與制備關(guān)鍵技術(shù)，發(fā)展用于高密度存儲(chǔ)陣列的選通器件及三維集成技術(shù)，研制兼具信息存儲(chǔ)、邏輯、運(yùn)算、編解碼等多功能的新型原型器件以及柔性阻變存儲(chǔ)器原型器件，將為我國(guó)發(fā)展具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的新型高性能存儲(chǔ)材料與器件奠定技術(shù)基礎(chǔ)。

項(xiàng)目研制出倍頻程和1.5倍頻程寬帶低二次諧波連續(xù)波行波管，二次諧波由-3 dBc降低到-7dBc，是目前國(guó)內(nèi)外此類(lèi)行波管綜合技術(shù)水平最高的指標(biāo)。并且研制出了國(guó)際上第一只高效率W波段脊加載曲折波導(dǎo)行波管及第一只V波段曲折波導(dǎo)寬帶行波管。該項(xiàng)目獲得四川省科技發(fā)明一等獎(jiǎng)。

紅外光電探測(cè)器在國(guó)防軍事方面有重要的應(yīng)用前景，比如紅外制導(dǎo)、紅外追蹤、夜視儀等等。目前國(guó)外使用的主流紅外光電探測(cè)器是基于碲鎘汞的制冷型探測(cè)器和氧化釩/非晶硅的非制冷型探測(cè)器。對(duì)于碲鎘汞探測(cè)器來(lái)說(shuō)，一方面在高質(zhì)量的材料生長(zhǎng)上存在很大的挑戰(zhàn)；另一方面它需要輔助制冷裝置來(lái)提供 77 K 的低溫環(huán)境，極大地限制了其便攜性和廣泛使用性。而基于氧化釩/非晶硅的非制冷型探測(cè)器由于其熱輻射引發(fā)電阻變化的機(jī)制極大地限制了探測(cè)率（小于 10

1. 痛點(diǎn)問(wèn)題 功率半導(dǎo)體是支撐能源領(lǐng)域發(fā)展的核心部件。為實(shí)現(xiàn)3060雙碳目標(biāo)，我國(guó)正在超常規(guī)推動(dòng)新能源發(fā)電、大容量輸配電和電氣化交通等領(lǐng)域，對(duì)電壓等級(jí)4.5kV以上的功率器件需求急速增長(zhǎng)。提高器件電壓和容量可以減少器件串并聯(lián)數(shù)量、縮減裝備體積和成本，是解決城市用地緊張、降低海上風(fēng)電平臺(tái)建設(shè)成本的關(guān)鍵。然而，受工作機(jī)理和制備工藝限制，IGBT器件最大功率等級(jí)為4.5kV/3kA和6.5kV/0.75kA，已接近瓶頸，無(wú)法滿足能源發(fā)展需求。因此，亟需更高電壓、更大容量、更高可靠性和更低制造成本的功率半導(dǎo)體器件解決方案。 2020年，中國(guó)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模達(dá)2000億元，但90%以上依賴進(jìn)口，尤其是4.5kV以上器件，近乎全部進(jìn)口。亟需尋求自主可控的功率半導(dǎo)體器件國(guó)產(chǎn)替代方案。 2. 解決方案 本技術(shù)面向新能源發(fā)電和輸配電領(lǐng)域大容量、高可靠的需求，提出了自主化IGCT器件（集成門(mén)極換流晶閘管）的設(shè)計(jì)、制備和驅(qū)動(dòng)控制方案，可以提高阻斷電壓和關(guān)斷電流能力、降低器件運(yùn)行損耗，且可以結(jié)合應(yīng)用工況開(kāi)展定制優(yōu)化，如改善器件防爆特性、解決高壓裝置中的驅(qū)動(dòng)供電問(wèn)題等，從而實(shí)現(xiàn)大容量、高可靠、低成本、高效率的能量管理和功率變換。 目前團(tuán)隊(duì)已研制出4.5kV/5kA和6.5kV/4kA的IGCT器件，功率等級(jí)全面覆蓋IGBT，且具有向更大容量發(fā)展的潛力。與IGBT、MOSFET等晶體管器件相比，本技術(shù)提出的IGCT具有通態(tài)損耗低、耐受電壓高、可靠性高、抗干擾能力強(qiáng)等突出優(yōu)勢(shì)，符合能源發(fā)展趨勢(shì)，且制造工藝沿用基本沿用傳統(tǒng)的晶閘管路線，制造成本低，國(guó)內(nèi)工藝基礎(chǔ)好。

提出了層數(shù)調(diào)制、柵極電壓調(diào)制和自組裝單分子層調(diào)制等物理、化學(xué)改性策略，顯著調(diào)控了MoS2載流子濃度和功函數(shù)，為開(kāi)發(fā)低接觸電阻的高性能納電子器件提供了手段，研究成果發(fā)表于ACS Nano、APL等知名期刊，應(yīng)邀為Adv. Mater.撰寫(xiě)綜述一篇。

本發(fā)明公開(kāi)了一種 MEMS 器件的封裝方法，包括 S1 在框架基 板與封蓋的內(nèi)表面上對(duì)稱附著圖形化的過(guò)渡金屬化層和釬料層；S2 在 框架基板的釬料層上附著圖形化的自蔓延多層膜；S3 將芯片鍵合固定 在框架基板上并實(shí)現(xiàn)信號(hào)互連；S4 將固定有芯片的框架基板與封蓋進(jìn) 行除氣除濕處理后對(duì)準(zhǔn)堆疊形成封裝結(jié)構(gòu)；S5 對(duì)封裝結(jié)構(gòu)施加壓力、 預(yù)熱后引燃自蔓延多層膜，自蔓延多層膜燃燒并熔化釬料層實(shí)現(xiàn)冶金 互連。本發(fā)明將封蓋直接與框架

中階梯光柵的刻劃： ICP光譜儀的分光核心部件主要是中階梯光柵，中階梯光柵的二維分光系統(tǒng)，具備更高的分辨能力，使光譜儀具有分析精準(zhǔn)、多元素同時(shí)檢測(cè)以及檢測(cè)速度快等優(yōu)點(diǎn)。 √ 分辨力高 √ 制作難度大

中紅外光譜技術(shù)被廣泛應(yīng)用于醫(yī)療診斷、軍事偵察、工業(yè)控制、環(huán)境監(jiān)測(cè)等領(lǐng)域。其中，中紅外光源是實(shí)現(xiàn)中紅外技術(shù)的核心部件之一。作為二維層狀材料家族的新興成員，黑磷（BP）已因其獨(dú)特的性能而得到廣泛研究。

本轉(zhuǎn)向架有利于車(chē)輛通過(guò)小半徑曲線，同時(shí)提高車(chē)輛直線運(yùn)行穩(wěn)定性能；這種軸箱 副構(gòu)架交叉桿直線電機(jī)轉(zhuǎn)向架，主要應(yīng)用于直線電機(jī)車(chē)輛，并適用于其他采用類(lèi)似軸箱 副構(gòu)架及其具有導(dǎo)向機(jī)理的轉(zhuǎn)向架及車(chē)輛，它能夠保證直線電機(jī)車(chē)輛有足夠的直線運(yùn)行 穩(wěn)定性，同時(shí)又能保證輪緣不接觸鋼軌，使車(chē)輛安全地通過(guò)小半徑曲線。提供一種既能 提供較高的抗菱剛度又能提供一定導(dǎo)向作用的軸箱副構(gòu)架交叉桿直線電機(jī)轉(zhuǎn)向架。本發(fā) 明提出的軸箱副構(gòu)架交叉直線電機(jī)轉(zhuǎn)向架。圖 1 為該轉(zhuǎn)向架三維視圖, 圖 2 軸箱副構(gòu)架 交叉桿直線電機(jī)轉(zhuǎn)向架主視圖，圖 3 軸箱副構(gòu)架交叉桿直線電機(jī)轉(zhuǎn)向架俯視圖，圖 4 軸 箱副構(gòu)架交叉桿直線電機(jī)轉(zhuǎn)向架側(cè)視圖。 其結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)：采用內(nèi)側(cè)懸掛，一個(gè)轉(zhuǎn)向架有四個(gè)曲臂，曲臂兩兩焊接形成副構(gòu)架臂， 然后把副構(gòu)架臂安裝在同一輪對(duì)的兩個(gè)軸箱上，通過(guò)兩桿把一個(gè)轉(zhuǎn)向架的兩個(gè)副構(gòu)架臂 連接起來(lái)（附圖 1（2）），副構(gòu)架臂用一彈性懸掛掛在構(gòu)架上，線性電機(jī)一端以一個(gè)輪 對(duì)的兩個(gè)軸箱體為支點(diǎn)、另一端以另一車(chē)軸為支點(diǎn)實(shí)現(xiàn)軸間彈性懸掛，線性電機(jī)與感應(yīng) 軌間隙可根據(jù)實(shí)際情況予以確定；轉(zhuǎn)向架副構(gòu)架靠近車(chē)體中心一側(cè)。軸箱與構(gòu)架之間用 橡膠彈簧連接，根據(jù)設(shè)計(jì)要求提供較小的橫向、縱向及垂向剛度，為了保證在車(chē)輛運(yùn)行 中線性電機(jī)與感應(yīng)軌之間的間隙不致變化過(guò)大，垂向剛度相對(duì)較大；構(gòu)架與搖枕之間采 用心盤(pán)及彈性旁承共同承載方式，搖枕與車(chē)體之間的在橫向與垂向通過(guò)空氣彈簧實(shí)現(xiàn)， 縱向通過(guò)牽引拉桿實(shí)現(xiàn)；對(duì)于制動(dòng)，采用磁軌制動(dòng)加軸盤(pán)制動(dòng)方式。 技術(shù)指標(biāo)：在最小通過(guò)曲線半徑 R50m，直線運(yùn)行最大速度小于 120km/h 時(shí)，滿足相關(guān)標(biāo) 準(zhǔn)的安全性能指標(biāo)，平穩(wěn)性指標(biāo)為優(yōu)。