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本成果包含如下內(nèi)容：高轉(zhuǎn)換效率的小面積碲化鎘太陽(yáng)電池制造技術(shù)，面積為1200mm×600mm 的碲化鎘太陽(yáng)電池組件規(guī)模化生產(chǎn)技術(shù)，年產(chǎn)30-50MW碲化鎘太陽(yáng)電池生產(chǎn)線及關(guān)鍵設(shè)備的設(shè)計(jì)。 主要技術(shù)指標(biāo)： 組件效率超過(guò)12%。 應(yīng)用范圍： 用于太陽(yáng)能直接發(fā)電，建立大規(guī)模光伏電站或小型戶用光伏發(fā)電系統(tǒng)。國(guó)家扶持光伏發(fā)電系統(tǒng)的建設(shè)，每年新建在10GW以上。由于是薄膜太陽(yáng)電池，出口不會(huì)受到限制。 項(xiàng)目目前已進(jìn)入產(chǎn)業(yè)化階段，成果權(quán)屬為我校獨(dú)自擁有。

一種柔性碲化鎘薄膜太陽(yáng)電池結(jié)構(gòu)，本項(xiàng)發(fā)明所屬領(lǐng)域?yàn)樾滦?能源。為了降低碲化鎘太陽(yáng)電池的成本，擴(kuò)大電池的應(yīng)用范圍，柔性 碲化鎘太陽(yáng)電池將是未來(lái)發(fā)展方向之一。柔性碲化鎘電池面臨的難題 之一是如何解決金屬背電極與碲化鎘薄膜歐姆接觸，即尋找一種材 料，加入到金屬電極與碲化鎘薄膜之間，有利于p載流子傳輸。本發(fā) 明是采用石墨烯作為碲化鎘層與金屬電極層的過(guò)渡層，充分利用石墨 烯載流子傳輸速度高、力學(xué)性能好的特點(diǎn)。將結(jié)晶石墨進(jìn)行化學(xué)清洗， 用帶膠的聚酰亞胺薄膜剝離石墨，使得一層石墨烯粘附于聚酰亞氨表 面。在此基礎(chǔ)上再濺射沉積碲化鎘，惰性氣體保護(hù)下CdCl2退火，濺 射沉積硫化鎘和ITO薄膜。制作出的柔性碲化鎘薄膜電池具有重量 輕、成本低的優(yōu)點(diǎn)。

北京大學(xué)物理學(xué)院寬禁帶半導(dǎo)體研究中心沈波和楊學(xué)林課題組與俞大鵬、劉開輝課題組合作，成功實(shí)現(xiàn)了Si(100)襯底上單晶GaN薄膜的外延生長(zhǎng)，相關(guān)工作于2019年7月23日在Advanced Functional Materials上在線刊登 [doi.org/10.1002/adfm.201905056]。 GaN基寬禁帶半導(dǎo)體具有帶隙大、擊穿電場(chǎng)高、飽和電子漂移速度大等優(yōu)異，能夠滿足現(xiàn)代電子技術(shù)對(duì)高溫、高頻、高功率等性能的要求，對(duì)國(guó)家的高技術(shù)發(fā)展和國(guó)防建設(shè)具有重要意義。由于缺乏天然的GaN單晶襯底，GaN基半導(dǎo)體材料和器件主要在異質(zhì)襯底上外延生長(zhǎng)。因具有大尺寸、低成本及易于集成等優(yōu)點(diǎn)，Si襯底上外延GaN成為近年來(lái)學(xué)術(shù)界和產(chǎn)業(yè)界高度關(guān)注的熱點(diǎn)領(lǐng)域。 目前用于GaN外延生長(zhǎng)的Si襯底主要是Si(111)襯底，其表面原子結(jié)構(gòu)為三重排列，可為六方結(jié)構(gòu)的GaN外延提供六重對(duì)稱表面。然而，Si(100)襯底是Si集成電路技術(shù)的主流襯底，獲得Si(100)襯底上GaN外延薄膜對(duì)于實(shí)現(xiàn)GaN器件和Si器件的集成至關(guān)重要。但Si(100)表面原子為四重對(duì)稱，外延生長(zhǎng)時(shí)無(wú)法有效匹配；同時(shí)Si(100)表面存在二聚重構(gòu)體，導(dǎo)致GaN面內(nèi)同時(shí)存在兩種不同取向的晶疇。迄今國(guó)際上還未能實(shí)現(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)Si(100)襯底上單晶GaN薄膜的外延生長(zhǎng)。圖 Si(100)襯底上單晶GaN薄膜的外延生長(zhǎng) 沈波和楊學(xué)林課題組創(chuàng)造性地使用單晶石墨烯作為緩沖層，在Si(100)襯底上實(shí)現(xiàn)了單晶GaN薄膜的外延生長(zhǎng)，并系統(tǒng)研究了石墨烯上GaN外延的成核機(jī)理和外延機(jī)制。該突破不僅為GaN器件與Si器件的集成奠定了科學(xué)基礎(chǔ)，而且對(duì)當(dāng)前國(guó)際上關(guān)注的非晶襯底上氮化物半導(dǎo)體外延生長(zhǎng)和GaN基柔性器件研制具有重要的指導(dǎo)價(jià)值。

本發(fā)明公開了一種用于柔性薄膜卷繞工藝的雙驅(qū)動(dòng)精密脹軸， 包括支撐模塊、傳動(dòng)模塊、切換模塊、動(dòng)力模塊和脹軸模塊，其中傳 動(dòng)模塊能夠在僅使用單個(gè)驅(qū)動(dòng)電機(jī)的情況下，將動(dòng)力模塊的動(dòng)力傳遞 到脹軸模塊，并通過(guò)切換模塊使得同一個(gè)動(dòng)力模塊可以分別向脹軸的 兩種運(yùn)動(dòng)提供動(dòng)力；脹軸模塊包括轉(zhuǎn)動(dòng)軸、外軸、芯軸、滑塊端蓋和 膨脹塊等，其中轉(zhuǎn)動(dòng)軸和外軸彼此固定聯(lián)接，芯軸安裝在兩者的內(nèi)部， 并且膨脹塊可以在外軸上的通槽中徑向升降，從而對(duì)料卷執(zhí)行張緊操 作。通過(guò)本發(fā)明，能夠僅采用機(jī)械構(gòu)造即可實(shí)現(xiàn)料卷的張緊功能，同 時(shí)具備張力均

納米粒子由于具有非常小的顆粒尺寸和大的比表面積，通常顯示出許多不同于常規(guī)塊體材料的電、磁、光和化學(xué)特性，在現(xiàn)代工業(yè)、國(guó)防和高技術(shù)發(fā)展中充當(dāng)著重要的角色。隨著科學(xué)技術(shù)的迅速發(fā)展，對(duì)材料性能的要求也越來(lái)越高，因此尋找一種可替代液相法的真空氣相法來(lái)獲得表面清潔納米粒子的制備技術(shù)是開發(fā)具有優(yōu)異性能新型納米結(jié)構(gòu)材料的迫切要求。特別是納米粒子組裝復(fù)合薄膜材料由于具有傳統(tǒng)復(fù)合材料和現(xiàn)代納米材料兩者的優(yōu)越性，成為一個(gè)重要的前沿研究熱點(diǎn)，它有望將“傳統(tǒng)功能材料”通過(guò)“納米復(fù)合化”達(dá)到進(jìn)一步提高和拓展材料性能的目的。

本實(shí)用新型提供了一種基于氯化綱水溶性薄膜的OLED器件，由下至上依次 包括透明陽(yáng)極IT。基底、氯化摑水溶性薄膜、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸 層、電子注入層和陰極,所述的氯化綱水溶性薄膜的制備方法包括以下步驟：步 驟一、將粉末狀的氯化錮溶解于去離子水中得到混合溶液；步驟二、將上述混合 溶液旋涂在ITO基底表面上，退火得到氯化綱水溶性薄膜。該結(jié)構(gòu)優(yōu)點(diǎn)在于:不 僅制備方法簡(jiǎn)單,成本彳氐廉,環(huán)境友好,而且能夠有效的提高陽(yáng)極界面載流子的 注入效率，提高OLED器件的光電性能。本實(shí)用新型屬于有機(jī)電致發(fā)光器件領(lǐng) 域，特別涉及一種基于氯化綱水溶性薄膜的OLED器件。

本項(xiàng)目屬敏感電子學(xué)與傳感器研究領(lǐng)域。主要圍繞電子聚合物納米氣敏薄膜調(diào)控與氣體傳感器敏感動(dòng)力學(xué)開展了系統(tǒng)研究，在電子聚合物分子結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與合成、敏感聚合物有序薄膜聚集方法及性能調(diào)控機(jī)制、氣體傳感器敏感機(jī)理等方面取得了一系列創(chuàng)新性成果，為氣敏材料的設(shè)計(jì)與調(diào)控以及傳感器性能的改善提供了科學(xué)依據(jù)，開拓了電子聚合物薄膜氣體傳感器新領(lǐng)域。發(fā)表SCI論文87篇，SCI他引839次，其中在國(guó)際化學(xué)傳感器權(quán)威期刊《Sensors and Actuators B》上發(fā)表論文16篇，受到了國(guó)內(nèi)外同行的高度評(píng)價(jià)和認(rèn)可。本項(xiàng)目

本發(fā)明公開了一種自支撐 PEDOT-PSS 薄膜，包括質(zhì)量比為 3:7～ 15:2 的 PEDOT 以及 PSS，所述 PEDOT-PSS 薄膜的厚度為 1μm～50 μm，方塊電阻為 0.10Ω/sq～120Ω/sq，電導(dǎo)率為 210S/cm～1827S/cm。 本發(fā)明還公開了該 PEDOT-PSS 薄膜的制備方法以及在光電子器件的 電極中的應(yīng)用。本發(fā)明制備所得的 PEDOT-PSS 薄膜具有良好的自支撐 性能以及導(dǎo)電性能，在光

BiFeO3薄膜反鐵磁序的研究是理解磁電耦合效應(yīng)和實(shí)現(xiàn)電場(chǎng)控制磁性的前提，然而觀測(cè)反鐵磁結(jié)構(gòu)實(shí)驗(yàn)手段有限，薄膜中多個(gè)鐵彈疇的存在進(jìn)一步使其分析更為困難。因此，BiFeO3薄膜反鐵磁結(jié)構(gòu)及其應(yīng)變調(diào)控的物理機(jī)制一直還存在爭(zhēng)議。 研究發(fā)現(xiàn)應(yīng)變可大幅度調(diào)控反鐵磁磁矩朝向，且在大的拉應(yīng)變作用下反鐵磁磁矩朝向與鐵電極化的垂直關(guān)系被打破，結(jié)合第一性原理揭示應(yīng)變對(duì)反鐵磁序的調(diào)控是由Dzyaloshinskii-Moriya（DM）相互作用和單離子各向異性間相互競(jìng)爭(zhēng)導(dǎo)致；該工作打破了之前一般認(rèn)為的Bi

本項(xiàng)目將巨霍爾效應(yīng)這一納米體系的新效應(yīng)應(yīng)用于器件領(lǐng)域，以納米鐵磁金屬顆粒薄膜替代現(xiàn)有霍爾器件的摻雜半導(dǎo)體活性層材料，是一個(gè)全新的技術(shù)，取得了多項(xiàng)具有原始創(chuàng)新性的技術(shù)成果，進(jìn)一步推進(jìn)了納米材料在新材料技術(shù)、電子信息技術(shù)等領(lǐng)域的應(yīng)用。相關(guān)成果已獲國(guó)家發(fā)明專利授權(quán)九項(xiàng)。 納米鐵磁金屬顆粒薄膜霍爾器件具有的工作溫度寬、溫度穩(wěn)定性能優(yōu)異、抗核輻射等優(yōu)點(diǎn)，在微弱磁場(chǎng)探測(cè)、航天器的精確定位、導(dǎo)航以及軍事裝備等方面都具有十分重要的用途，市場(chǎng)前景廣闊。