太阳城集团亚洲娱乐城-澳门太阳城集团娱乐城最新地址_百家乐电影网_全讯网xb112 (中国)·官方网站

集成電路產(chǎn)業(yè)需要大量高端薄膜生長(zhǎng)設(shè)備，上個(gè)世紀(jì)80年代，MBE作為一種尖端技術(shù)，國(guó)外就對(duì)中國(guó)進(jìn)行了技術(shù)封鎖，禁運(yùn)中國(guó)。甚至在今天，MBE仍然屬于美國(guó)對(duì)中國(guó)出口的管制類產(chǎn)品，每一臺(tái)都要經(jīng)過(guò)復(fù)雜的審批過(guò)程。

1．成果介紹有機(jī)無(wú)機(jī)雜化發(fā)光材料是一類重要功能性雜化材料，因無(wú)機(jī)物與有機(jī)物在分子水平或納米尺寸復(fù)合和雜化，使其制得的雜化材料同時(shí)兼具無(wú)機(jī)和有機(jī)組分的優(yōu)良特性、便于分

"專門(mén)針對(duì)實(shí)驗(yàn)室對(duì)小樣品的生長(zhǎng)需求，設(shè)計(jì)小型緊湊的生長(zhǎng)腔室、樣品臺(tái)，同時(shí)降低購(gòu)買價(jià)格與運(yùn)行成本。 ? 緊湊的生長(zhǎng)腔室 （內(nèi)徑 ~ 300 mm）：內(nèi)表面積小，更容易實(shí)現(xiàn)超高真空，整體占地面積不到1㎡。 ? 電子束加熱的小樣品臺(tái)：定向加熱，降低了傳統(tǒng)燈絲熱輻射加熱的耗散，保證了較低的環(huán)境溫度，對(duì)真空有利。同時(shí)加熱速率很快。 ? 30多個(gè)標(biāo)準(zhǔn)法蘭接口：可擴(kuò)展性好。 ? 小樣品托（18 *12 mm）：剛好適合10 mm左右樣品，同時(shí)兼容ARPES，STM等標(biāo)準(zhǔn)樣品托。"

1、制備設(shè)備技術(shù)先進(jìn)： 多弧離子鍍?cè)O(shè)備加裝脈沖磁控后實(shí)現(xiàn)了對(duì)等離子體的約束與控制，從而制 備的涂層物理性能更好，并實(shí)現(xiàn)了 Ti/TiNX/TiC1-xNx/TiC、 Cr/ CrNX/ CrC1-xNx/ CrC 薄膜顏色可調(diào)，實(shí)驗(yàn)證明此工藝制備的涂層表面更加光潔、硬度更大，效 率更高。脈沖電源、磁系統(tǒng)和 PLC 控制系統(tǒng)均為課題組自行開(kāi)發(fā)，具有設(shè)備技 術(shù)創(chuàng)新，此項(xiàng)工作在國(guó)內(nèi)領(lǐng)先。 2. 涂層設(shè)計(jì)理念合理 用脈沖磁控多弧離子鍍制備 Ti/TiNX/TiN、Ti/TiNX/TiC1-xNx/TiC、Cr/Cr NX/ CrC1-xNx/ CrC、Cr/CrN/CrAlSiN 梯度復(fù)合薄膜。本方案通過(guò)優(yōu)化膜系和制備工 藝參數(shù)，可以有效緩解應(yīng)力，提高涂層在基底上的附著力，此項(xiàng)研究具有薄膜 材料設(shè)計(jì)創(chuàng)新，具有國(guó)內(nèi)先進(jìn)水平。由于梯度復(fù)合薄膜制備參數(shù)變化多，工藝 參數(shù)實(shí)現(xiàn)了 PLC 控制，生產(chǎn)效率和重復(fù)性大大提高。 3. 綠色環(huán)保無(wú)污染 由于真空鍍膜工藝無(wú)污染，且制備的薄膜質(zhì)量好，此工藝代替高污染的電 鍍工藝，是綠色環(huán)保產(chǎn)業(yè)，符合國(guó)家提倡主導(dǎo)的產(chǎn)業(yè)發(fā)展方向 4. 制備開(kāi)發(fā) DLC 薄膜 利用線性離子源發(fā)電技術(shù)制備了 DLC（Diamond like carbon）薄膜，此薄 膜制備工藝國(guó)內(nèi)領(lǐng)先，具有沉積溫度低、薄膜質(zhì)量好特點(diǎn)，可用于醫(yī)療器械和 各種機(jī)械配件鍍膜等，其制備方法重復(fù)性好、襯底溫度低等特點(diǎn)。

根據(jù)多層膜光學(xué)干涉的原理，當(dāng)光線照射到薄膜，在進(jìn)入各膜層時(shí)由于各膜層的光 學(xué)性質(zhì)不一樣使得有些光相干相長(zhǎng)，有些光相干相消，隨著觀察者視角的變化薄膜呈現(xiàn) 不同的顏色。早在 1973 年加拿大國(guó)家研究院的 J.A.Dob-railski 等人就預(yù)見(jiàn)了變色薄 膜在防偽領(lǐng)域中的應(yīng)用前景，并于 1987 年首次應(yīng)用于 50 圓的貨幣上。稍后美國(guó)人也研 制出有金色變到綠色的全介質(zhì)變色薄膜。再以后又有人與瑞士 SICPA 公司合作將變色薄 膜作為顏料摻入到油墨中，研制成光變色油墨。現(xiàn)在許多國(guó)家的護(hù)照、簽證和貨幣上都 用上了光變色油墨。 光變色薄膜的光變色功能來(lái)自于多層膜的復(fù)合特性，光變色效果與組成該薄膜的各 膜層的材料性質(zhì)、厚度以及膜層之間的組合有關(guān)。薄膜多采用金屬膜與金屬氧化物介質(zhì) 組合，用物理方法（如熱蒸發(fā)、電子束或離子鍍、磁控濺射等）鍍制薄膜。金屬氧化物 介質(zhì)膜用物理方法鍍制質(zhì)量控制比較困難，效率低，成本也比較高。同濟(jì)大學(xué)課題組用 氣凝膠或有機(jī)材料替代金屬氧化物，材料性能穩(wěn)定，可進(jìn)行大面積快速涂膜，效率大大 提高，成本也很低。

在信息產(chǎn)業(yè)飛速發(fā)展的今天，為了滿足人們對(duì)于手機(jī)、計(jì)算機(jī)、便攜式數(shù)碼設(shè)備等電子產(chǎn)品進(jìn)一步輕便、小巧等的使用需求，必須使其核心的電磁元器件向微型化、薄膜化、集成化等方向發(fā)展。隨著電路中的射頻磁器件的體積不斷縮小，使用頻率不斷提高，傳統(tǒng)的鐵氧體材料由于其飽和磁化強(qiáng)度低，使其在GHz使用頻率下無(wú)法保持高的磁導(dǎo)率，這就迫切需要開(kāi)發(fā)一種能夠應(yīng)用于GHz頻率范圍的高頻軟磁薄膜材料。目前國(guó)內(nèi)外的科研人員采用不同方法研究并制備了多種軟磁薄膜材料，如CoPdAlO（Sharp公司）、CoZrTa（Intel公司）、Co

液態(tài)金屬薄膜熱界面材料是一種具有超高熱導(dǎo)率，能解決極端高熱流密度散熱難題的低熔點(diǎn)合金熱界面材料。 一、項(xiàng)目分類 關(guān)鍵核心技術(shù)突破 二、技術(shù)分析 液態(tài)金屬薄膜熱界面材料是一種具有超高熱導(dǎo)率，能解決極端高熱流密度散熱難題的低熔點(diǎn)合金熱界面材料。基本原理為：填充于發(fā)熱芯片與散熱器之間，起到減小接觸熱阻，強(qiáng)化傳熱，降低高功率芯片溫度的作用。 液態(tài)金屬薄膜熱界面材料實(shí)現(xiàn)途徑包括組分調(diào)配和物化處理兩步驟。通過(guò)組分調(diào)配設(shè)計(jì)具有高熱導(dǎo)率的合金，然后通過(guò)物化處理提升材料的傳熱性能和穩(wěn)定性。 一、主要技術(shù)優(yōu)勢(shì) （1）熱導(dǎo)率是傳統(tǒng)材料的5倍以上； （2）接觸熱阻相對(duì)傳統(tǒng)材料降低50%以上； （3）耐高溫200ºC，傳統(tǒng)有機(jī)材料一般耐溫低于100ºC； （4）壽命相對(duì)傳統(tǒng)有機(jī)熱界面材料提高一倍以上。 二、主要性能指標(biāo) （1）熱導(dǎo)率不低于30W/(m·K)； （2）接觸熱阻不大于0.3cm2·K/W； （3）高溫250ºC老化100小時(shí)，接觸熱阻增加值不大于0.3cm2·K/W。

目前在工業(yè)上廣泛采用的CVD技術(shù)制備硅膜，工藝和設(shè)備復(fù)雜，成本高，且在安全和環(huán)保環(huán)節(jié)上投入巨大。我們?cè)趪?guó)內(nèi)首創(chuàng)出了微晶硅薄膜的PVD法沉積工藝，在溫度低于300度的條件下，在單晶硅片和普通玻璃片上制備出不同結(jié)晶度的微晶硅薄膜和納米結(jié)構(gòu)硅薄膜，可以得到具有高度<111>方向取向生長(zhǎng)的微晶硅薄膜，并實(shí)現(xiàn)了控制工藝的穩(wěn)定性和可重復(fù)性。利用磁控濺射技術(shù)成功實(shí)現(xiàn)微晶硅薄膜的制備是一項(xiàng)重大突破，從根本上克服了現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，具有綠色、高效、簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn)。目前需要合作伙伴，把該實(shí)驗(yàn)室技術(shù)放大到工業(yè)規(guī)模。

有機(jī)電致發(fā)光器件（OLED）具有對(duì)比度高、厚度薄、視角廣、反應(yīng)速度快、使用溫度范圍廣、構(gòu)造簡(jiǎn)單并可用于撓曲性面板等優(yōu)異特性，被認(rèn)為是新一代的 顯示技術(shù)，在智能手機(jī)及各類未來(lái)智能終端領(lǐng)域應(yīng)用潛力巨大。柔性O(shè)LED是實(shí)現(xiàn)曲面顯示，乃至未來(lái)柔性顯示的基礎(chǔ)。由于金屬和玻璃封裝都不適合柔性器件的封裝，薄膜封裝技術(shù)的突破是柔性O(shè)LED產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程推進(jìn)的關(guān)鍵，也是柔性O(shè)LED發(fā)展的主要課題之一。在聚合物基板和OLED上采用多層薄膜包覆密封（也稱之為Barix技術(shù)：基于真空鍍膜工藝制備的有機(jī)-無(wú)機(jī)交替多層膜結(jié)構(gòu)），不僅具有低成本、更輕、更薄的優(yōu)點(diǎn)，而且可以延長(zhǎng)OLED器件的壽命。適用于柔性O(shè)LED封裝技術(shù)的工藝路線如圖1所示。本項(xiàng)目開(kāi)發(fā)的封裝材料適用于此工藝路線中的聚合物多層薄膜封裝。

“一種化學(xué)浴沉積擇優(yōu)取向生長(zhǎng)的納米晶Cu2O薄膜的制備方法”屬于半導(dǎo)體領(lǐng)域。現(xiàn)有方法一般對(duì)設(shè)備要求較高，需要比較復(fù)雜的程序，而最終難以控制成本，這會(huì)嚴(yán)重影響Cu2O薄膜的應(yīng)用范圍。本發(fā)明提供的納米晶Cu2O薄膜的制備方法，其特征在于包括以下步驟：分別按照硫酸銅與檸檬酸三鈉的摩爾濃度比范圍為12∶8～12∶36，硫酸銅與抗壞血酸鈉的摩爾范圍為1∶3～5∶6，將抗壞血酸鈉、檸檬酸三鈉溶液依次加入硫酸銅溶液中，使充分絡(luò)合；調(diào)節(jié)溶液pH值至7.0～10.0；置于50°C～95°C水浴溫度中反應(yīng)1.0h～3.