|
搜索
搜 索
高等教育領域數字化綜合服務平臺
一種雙發射Ｍｎ摻雜ＣｓＰｂ（Ｃｌ／Ｂｒ）３鈣鈦礦納米晶及其制備方法
本發明公開了一種油溶性Ｍｎ摻雜ＣｓＰｂ（Ｃｌ／Ｂｒ）３雙發射納米晶及其制備方法，其具體制備步驟包括：（１）微乳法合成全無機ＣｓＰｂＢｒ３鈣鈦礦納米晶前驅體；（２）鹵素離子交換輔助的Ｍｎ?ｔｏ?Ｐｂ的離子交換。該制備方法是在室溫下進行，過程簡單、容易操作、原料供給方便、原料價格低廉，在一般的化學實驗室均能完成，易于推廣；所制備的Ｍｎ摻雜ＣｓＰｂ（Ｃｌ／Ｂｒ）３納米晶，具有來自鈣鈦礦本征發射和Ｍｎ離子發射兩個發射峰；該制備方法獲得的Ｍｎ摻雜ＣｓＰｂ（Ｃｌ／Ｂｒ）３雙發射納米晶不僅具有高的５６％熒光量子產
東南大學
2021-04-14
碳納米管和氧化鋁晶須原位復合增強樹脂材料及其制備方法
小試階段/n樹脂基復合材料是以有機高分子材料為基體、高性能連續纖維為增強材料通過復合工藝制備而成的具有明顯優于原組分性能的一類新型材料。但樹脂具有脆性，其復合材料一般要引入具有一維特征的增強相，如纖維、晶須和納米管等。這種增強相有兩種引入方式：一種是外加引入，另外一種是原位生成。往樹脂基體中單獨添加碳晶須、碳納米管或氧化鋁晶須等一維增強相時，材料的性能在一定程度上有提高，但增強相在樹脂解題中的分散問題沒有解決；在樹脂基體中原位生成碳納米管等一維增強相時，有助于常溫性能的改善，但是僅有碳納米管的存在，
武漢科技大學
2021-01-12
一種形貌控制合成鏈珠狀一維碳化硅納米晶須的方法
本發明涉及一種形貌控制合成鏈珠狀一維碳化硅納米晶須的方法，所采取的技術方案 是：將清洗干燥后的木粉或竹粉 100～200g，于真空爐中在 500～700℃下碳化 1～2h 得到生 物質炭粉；將生物質炭粉和 SiO2 凝膠按 C/Si 摩爾比為 1∶1.5～3.0 機械混合均勻，得到預 混料；在純氮氣保護下將所述預混料升溫到 1450-1600℃，保溫 1～4h。保溫時間結束后， 以 5～20℃/min 的降溫速率降溫到 800℃，然后關掉加熱電源，自然冷卻。本發明合成的一 維碳化硅納米晶須為鏈珠狀，晶須長徑比大；合成工藝簡單，成本低，生產設備簡單。
安徽理工大學
2021-04-13
利用鉸鏈式六面頂壓機制備高性能聚晶金剛石的方法
本發明公開了利用鉸鏈式六面頂壓機制備高性能聚晶金剛石的方法，其特點是該方法采用金剛石或含部分金剛石的碳粉體為原料，不添加任何金屬或陶瓷粘結劑，經凈化除雜，粉體表面在真空度4x10-3～4x10-5Pa，溫度800～1500℃，凈化處理0.5h～5h。表面凈化的金剛石粉體預壓成型，放置于鉸鏈式六面頂壓機上，于溫度1400-2500℃，壓力為8～20GPa, 燒結1～30min，制得高性能聚晶金剛石塊體材料。
四川大學
2017-12-28
基于半導體異質結概念，提出利用晶相共生現象可控合成異質結 光催化材料
基于半導體異質結概念，首次通過工藝簡單，成本低廉熔融鹽法合成一系列 鉭酸鈣基半導體異質結復合材料，發現了兩元及多元半導體復合物組分及其含量 可通過改變前驅物比例簡單調控，證明該異質結復合物晶相，組分變化與光催化 制氫性能有著密切關系，闡明不同鉭酸鈣晶相界面異質結形成促進光生電荷有效分離機制，極大地提高光催化制氫性能。
上海理工大學
2021-01-12
硫酸鈦液快速成核制晶種用于生產金紅石鈦白新工藝
對四種典型的晶種成核過程進行探索實驗，重點研究了其水解成核機理，探索酸度值等成核環境對晶種特性的影響機制
四川大學
2021-04-13
一種形貌控制合成鏈珠狀一維碳化硅納米晶須的方法
本發明涉及一種形貌控制合成鏈珠狀一維碳化硅納米晶須的方法，所采取的技術方案是：將清洗干燥后的木粉或竹粉 100～200g，于真空爐中在 500～700℃下碳化 1～2h 得到生物質炭粉；將生物質炭粉和 SiO2 凝膠按 C/Si 摩爾比為 1∶1.5～3.0 機械混合均勻，得到預混料；在純氮氣保護下將所述預混料升溫到 1450-1600℃，保溫 1～4h。保溫時間結束后，以 5～20℃/min 的降溫速率降溫到 800℃，然后關掉加熱電源，自然冷卻。本發明合成的一維碳化硅納米晶須為鏈珠狀，晶須長徑比大；合成工藝簡單，成本低，生產設備簡單。
安徽理工大學
2021-04-13
基于硅基懸臂梁Ｔ型結直接加熱式毫米波信號檢測儀器
本發明的基于硅基懸臂梁耦合Ｔ型結直接加熱式毫米波信號檢測儀器是由傳感器、模數轉換和液晶顯示三大模塊組成，傳感器模塊是由懸臂梁耦合結構、Ｔ型結直接加熱式微波功率傳感器和開關構成，襯底材料為高阻Ｓｉ，功率通過輸入端口對應的ＣＰＷ信號線終端的直接加熱式微波功率傳感器進行檢測；頻率檢測通過利用直接加熱式微波功率傳感器測量兩路在中心頻率處相位差為９０度的耦合信號的合成功率實現；相位檢測通過將兩路在中心頻率處相位差為９０度的耦合信號，分別同兩路等分后的參考信號合成，同樣利用直接加熱式微波功率傳感器檢測合成功率，
東南大學
2021-04-14
硅基未知頻率縫隙耦合式Ｔ型結直接式毫米波相位檢測器
本發明的硅基未知頻率縫隙耦合式Ｔ型結直接式毫米波相位檢測器是由共面波導傳輸線、縫隙耦合結構、移相器、單刀雙擲開關、Ｔ型結功分器、Ｔ型結功合器以及直接式熱電式功率傳感器所構成，整個結構基于高阻Ｓｉ襯底制作，一共有四個縫隙耦合結構，上方的兩個縫隙耦合結構實現信號的頻率測量，下方的兩個縫隙耦合結構實現信號的相位測量，在前后縫隙之間有一個移相器；Ｔ型結功分器和Ｔ型結功合器是由共面波導傳輸線、扇形缺陷結構和空氣橋組成；直接式熱電式功率傳感器由共面波導傳輸線、兩個熱電偶和隔直電容所構成，熱電偶是由金屬臂和半導體
東南大學
2021-04-14
硅基懸臂梁耦合Ｔ型結間接加熱式毫米波信號檢測儀器
本發明的硅基懸臂梁耦合Ｔ型結間接加熱式毫米波信號檢測儀器是由傳感器、模數轉換和液晶顯示三大模塊組成，傳感器模塊是由懸臂梁耦合結構、Ｔ型結間接加熱式微波功率傳感器和開關構成，襯底材料為高阻Ｓｉ，功率通過輸入端口對應的ＣＰＷ信號線終端的間接加熱式微波功率傳感器進行檢測；頻率檢測通過利用間接加熱式微波功率傳感器測量兩路在中心頻率處相位差為９０度的耦合信號的合成功率實現；相位檢測通過將兩路在中心頻率處相位差為９０度的耦合信號，分別同兩路等分后的參考信號合成，同樣利用間接加熱式微波功率傳感器檢測合成功率，從而
東南大學
2021-04-14