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強雌性，第一雌花著生節位為 2-3 節，早熟性好， 15 節內有雌花 11 個，生長勢強，葉片大而厚，結果率近 100%， 從播種到采收 60 天左右，畝產量超過 7000kg，果實長度23 厘米，果把 4 厘米，果實表面為細刺、密刺，質地脆嫩、香味濃；對白粉病抗性為中抗，對霜霉病和病毒病的抗性為抗。由于雌花多，作為大棚土壤栽培時，養分供應必須充分及時，否則，須適當疏果。

側蔓較少，強雌性， 15 節內雌花數達到 9 個，第一雌花節位 4 節，生長勢強，結果力強，從播種到采收 62 天左右，畝產量超過 7000kg，果實長度偏短， 23 厘米左右，果把長度 4.1 厘米，果實表面為粗刺瘤，皮肉均較厚， 香味濃；對白粉、霜霉和病毒病的抗性均達到抗。由于雌花多，作為大棚土壤栽培時，養分供應必須充分及時，否則，須適當疏果。

產品詳細介紹  本公司作為PHILIPS飛利浦公司和OSRAM歐司朗公司的投影燈泡指定代理商,投影燈泡規格齊全,品質有保證;尤其是DLP大屏幕背投拼接系統中的UHP燈泡和P-VIP燈泡耗材系列,長期備貨,公司為廣大客戶提供上門安裝服務,質保一律按PHILIPS飛利浦公司和OSRAM歐司朗公司原廠質保六個月,在質量和服務上消除客戶的疑慮.歡迎來電咨詢，最新規格列舉如下:PHILIPS飛利浦DLP大屏幕燈泡系列:TOP UHP 100W 1.3;(適用于巴可BARCO光機系統中)TOP UHP 120/100W 1.3(適用于科視CHRTSTIE、巴可BARCO光機、東芝TOSHIBA系統中)TOP UHP 120/100W 1.0；(適用于臺達DELTA、LUMENS、揚明、三花科特光機系統中)TOP UHP 132/120W 1.0方燈；(適用于LUMENS光機系統中)OSRAM歐司朗DLP大屏幕燈泡系列:TOP P-VIP 100-120/1.3 E23h;(適用于臺達DELTA、LUMENS、揚明、三花科特光機系統中)TOP P-VIP 100-120/1.3 P23;(適用于三菱MITSUVISHI、東芝TOSHIBA系統中)    以上原裝燈泡適用于科視CHRTSTIE、巴可BARCO、三菱MITSUVISHI、東芝TOSHIBA、日立TOSHIBA、平達PLANAR、中達電通（臺達）DELTA、威創VTRON、GQY、環宇藍博LANBO、彩訊Triolion、清華紫光Unis、能為NONVIA、三花科特COET、上廣電SVA、展視，浙江大華、長虹、遠大可為、富視、菲麗特、中光學、盛泉、中電視訊、蘭星光、大道、豐信達、巨洋、華特恒信等DLP大屏幕背投顯示拼接系統、DLP拼接墻系統、DLP電視墻系統及DLP背投電視系統中.生產廠家：PHILIPS 產地：比利時額定功率：120-100W 點燈電壓：25KV 燈杯光形：E型（弧行光）電極間距：1。0/1。3 燈杯直徑：95MM 重量：0.43貨運方式:快遞/空運，北京市可送貨上門或自取貨保修服務:六個月質量控制:為了使我們的合作更加順暢愉快,我們已經對所有燈泡進行了嚴格測試,以確保燈泡的工作穩定性。所有燈泡都有進貨證明我公司出售的大屏幕燈泡屬原裝,請勿拿國產代用燈或其他燈泡比較。

一、概述 TDL-5型低速臺式大容量離心機具有運行平穩、噪聲低、造型美觀、配有安全門鎖裝置，自動調節平穩，控制精度高等特點，可廣泛應用于生物科學、農業科學、醫藥學等科研單位。 本儀器可在環境溫度為5℃-40℃，相對濕度不超過80%，周圍無導電塵埃，爆炸性氣體和腐蝕性氣體的條件下安全地使用。 二、技術參數 最高轉速：4000r/min 最大相對離心力 2810g 容 量：100ml×4、50ml×8、15ml×32 定時范圍 0-99min 電源 220V 50Hz 外型尺寸 390×470×365 （L×W×H） 輸入功率 250VA 電機：無刷電機"

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本項目屬于電子信息功能材料技術領域。 特色及先進性：為了實現同一種單晶薄膜即可應用于磁光器件，又可應用于微波器件中，本項目提出了鉍镥鐵石榴石（BiLuIG）薄膜的設計體系，為了使其同時具有良好的磁光和微波特性，本項目很好的根據晶格匹配原則設計了材料配方，并選用無鉛液相外延技術，大大提高了薄膜的性能。本項目提出了在釓鎵石榴石（GGG）襯底上直接外延大口徑磁光BiLuIG單晶體的思路，解決我國無大晶格常數摻雜釓鎵石榴石（SGGG）晶圓片技術、無鉛液相外延大尺寸BiLuIG晶體圓片的不足，突破純GGG基片上外延超厚（1-20μm）磁光晶體這一難點科學問題。研究內容包括：（1）BiLuIG薄膜材料的配方設計研究：基于四能級躍遷模型，并結合離子替代規律和多離子摻雜技術，尋找最佳配方；（2）液相外延單晶薄膜材料的工藝技術研究：包括薄膜均勻性、缺陷控制、無鉛配方、生長速率和薄膜鏡面條件控制等；（3）材料在器件中的驗證研究，設計制備平面波導型磁光開關對材料磁光性能的驗證。 技術指標：（1）建成了我國第一條大尺寸磁光單晶薄膜液相外延的生產線，最大尺寸達到3英寸，單面薄膜厚度達到1μm－20μm。（2）單晶薄膜具體微波和磁光參數：4πMs=1500-1750Gs，△H=0.6-2.0Oe，Θf≥1.6-2.1度/μm＠633nm。（3） 掌握了進行單晶薄膜材料在磁光和微波器件中的設計、制備和測試工作。 促進科技進步作用意義：本項目突破了我國在3英寸石榴石系列單晶體材料以及相關器件研究上的瓶頸技術，獲得了高法拉第效應和低鐵磁共振線寬的大尺寸高質量石榴石單晶薄膜材料。滿足了國內在磁光、微波及毫米波集成器件方面對石榴石系晶體材料的需求，擺脫了完全依賴進口、受制于人的不利局面。該項目研制的材料已提供給中電集團41所、美國Delaware大學、天津大學、中國工程物理研究院、深圳市通能達電子科技有限公司（中電九所下屬）、陜西金山電器有限公司（4390廠）等單位使用，并為中電集團9所、33所等單位提供批量樣品，用于制備磁光和微波器件，受到好評。

本項目提出了在釓鎵石榴石（GGG）襯底上直接外延大口徑磁光BiLuIG單晶體的思路，解決我國無大晶格常數摻雜釓鎵石榴石（SGGG）晶圓片技術、無鉛液相外延大尺寸BiLuIG晶體圓片的不足，突破純GGG基片上外延超厚（1-20μm）磁光晶體這一難點科學問題。

本研究利用氧氣對非骨架摻雜選擇性刻蝕的效應，首次在Cu襯底上實現了石墨烯的完美骨架摻雜生長，氮摻雜后的石墨烯遷移率高達13000 cm2/Vs，比其他工藝制備的摻雜石墨烯要高出數個量級。同時，石墨烯的面電阻也降低到130 oh/sq，摻雜的穩定性顯著提高。