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利用新型介孔二氧化鈦晶體的釕原子單分散以及電化學高效析氫
一種獨特的仿生礦化刻蝕法，合成釕原子單分散的介孔單晶TiO 2 ，析氫性能極其優異。高分辨透射電子顯微鏡與元素面掃描測試結果表明，單個釕原子的均勻分散在具有介孔結構的TiO 2 晶體中。結合X射線光電子能譜與電子順磁共振測試結果，首次證實，釕表現出異常的+5高價態而非+4價，而晶格中的部分鈦原子接收來自釕的電子形成Ti 3+ 。在0.1 M KOH電解液中，Ru-TiO 2 的起始過電勢僅為82 mV，通過鋁還原調節樣品的電子結構，其析氫性能得到了進一步的加強，起始過電勢降低至45 mV，10 mA/cm 2 的電流密度下過電勢僅為150 mV。通過第一性原理的密度泛函計算證明，Ru 5+ 與Ti 3+ 協同作用降低了氫吸附能，使得其與氫吸附火山頂更為接近，從而獲得優異的電化學析氫性能。
北京大學
2021-04-11
面向大功率開關電源器件的鐵硅粉芯關鍵生產工藝開發
：鐵硅粉芯是一種新型復合軟磁材料，主要用于 替代傳統開了氣隙的硅鋼、鐵氧體及非晶等材料，作為電感器 和電抗器的磁芯，用于對直流疊加要求較高的大功率光伏逆變 器、風電變流器、電動汽車充電機、變頻空調、有源濾波器、 UPS 電源等新能源與節能電力電子系統。 鐵硅粉芯在器件中的作用是實現電磁能量轉換，其與繞制 線圈一起組成的各種磁性器件在電力電子系統中起到功率因數 校正和濾波
合肥工業大學
2021-04-14
一種以 PEO-LDPE 合金為基體的含銅節育材料及其器件
本發明公開了一種以 PEO-LDPE 合金為基體的含銅節育材料即 Cu/PEO-LDPE 復合材料及其器件，包含有 PEO-LDPE 合金基體及分布 其中的含銅金屬粒子，其中含銅金屬粒子的重量百分比含量為 0.5～ 30 ％ ， 在 PEO-LDPE 合 金 基 體 中 ， PEO 的 重 量 百 分 比 含 量 為 Cu/PEO-LDPE 復合材料總重量的 0.5～30％(優選值 5～15％)。相較于 Cu/LDPE 節育材料，
華中科技大學
2021-04-14
一種適用于成卷柔性電子器件的逐片轉移裝置
本發明公開了一種適用于成卷柔性電子器件的逐片轉移裝置， 包括薄膜進給單元、載帶輸送單元、真空輥吸附單元、壓輥轉移單元 和廢料剔除單元，其中薄膜進給單元用于薄膜的進給運動并對薄膜進 行模切，模切后的薄膜經真空輥吸附單元驅動至壓輥轉移單元，模切 后的薄膜在壓輥轉移單元中實現與載帶之間的粘著和固定，廢料剔除 單元則根據工況需要提供多種對廢料的實時檢測和剔除操作。通過本 發明，各個模塊單元之間相互聯系，共同協作，實現對成卷柔性電子 器件逐片的高速檢測轉移過程，同時具備運動穩定性和可靠性好等優 點。
華中科技大學
2021-04-14
一種摻雜硅量子點發光二極管器件及其制備方法
本發明公開了一種摻雜硅量子點發光二極管，包括硅襯底，沉 積銀納米顆粒層，以及在銀納米顆粒結構上沉積多層分布均勻且包含 摻雜硅量子點的 SiNx 薄膜，透明導電薄膜 AZO 層以及 Si3N4 鈍化層。 還公開了該發光二極管的制備方法，利用摻雜硅量子點-SiNx 薄膜的電 致發光特性，構成發光二極管的發光有源層；利用摻雜可以鈍化量子 點，同時摻雜硅量子點與硅襯底形成的 p-n 結增強電子空穴的輻射復 合。此外，利用銀納
華中科技大學
2021-04-14
兩親性Pt(II)配合物氣致發光變色性質及存儲器件
通過click反應設計合成了一類具有兩親性的磺酸根三齒Pt(II)配合物，這類配合物對VOC的刺激響應具有高度的選擇性。在水蒸氣和各種醇蒸氣分子（甲醇、乙醇、丙醇、異丙醇、丁醇等）之間具有迅速的變色和發光響應性行為，并進一步制備成薄膜，利用醇蒸氣實現了快速寫入?擦除功能。在溶液體系中，通過調控溶劑的組成，實現了配合物動態組裝?解組裝?重新組裝的過程。研究組與香港大學任詠華教授合作，進一步制備了存儲器件，閾值電壓為3.4V，開關比可達105，保持時間達104s，具有良好的二進制存儲性能。
中山大學
2021-04-13
安徽大學先進材料原子工程研究中心在結構精確團簇可控制備方面取得新進展
金屬納米團簇是一類尺寸介于金屬配合物和等離子體納米顆粒之間的納米粒子。由于金屬納米團簇具有離散的電子能級和量子尺寸效應，這類納米粒子展現出獨特的物理化學性能，在光學、催化、傳感、生物等領域均展現出良好的應用前景。
安徽大學
2022-06-13
華中師范大學李高翔、黃光明課題組在激光探測原子磁共振研究中取得新進展
近日，物理科學與技術學院李高翔與黃光明教授領導的研究團隊在基于張量極化的周期性驅動激光泵浦—探測銫原子磁共振研究中取得了重要進展。
華中師范大學
2022-10-11
安徽大學先進材料原子工程研究中心在結構精確團簇可控制備方面取得新進展
近日，我校先進材料原子工程研究中心朱滿洲/康熙研究團隊發展了“雙級動力學調控”策略，實現了多種原子級別精確銀納米團簇的高效高產率制備。
安徽大學
2022-06-01
針對下一代功率半導體GaN器件的高頻柵驅動電路設計技術
上限低，可反向導通，dv/dt擾動和di/dt擾動等。該項成果設計出適用于N型常關GaN器件的半橋柵驅動電路，通過分離充放電路徑避免柵驅動電壓振鈴現象的發生和dV/dt現象對柵驅動電路的干擾；同時利用高端柵極鉗位技術，在自舉充電路徑中對BOOT電容進行鉗位，防止對上開關管的損壞。 半橋GaN柵驅動電路主要指標為： ？ 獨立的高側和低側TTL邏輯輸入 ？ 1.2A/5A 峰值上拉和下拉電流 ？ 高端浮動電壓軌到100V ？ 0.6Ω/2.1Ω 下拉和上拉電阻 ？ 快速的延遲時間 (28ns typ) ？ 非常優越的延時匹配（1.5ns typ）
電子科技大學
2021-04-10