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光纖激光器具有轉(zhuǎn)換效率高、光束質(zhì)量好、維護周期長、運行費用低等優(yōu)點，是激光加工裝備的光源最佳選擇，具有十分廣闊的市場應用前景，被譽為“光制造時代的核心”。由于技術(shù)門檻等原因，目前國內(nèi)市場光纖激光器產(chǎn)品普遍集中在低功率光纖激光器，而從利潤和銷售額來看，光纖激光器最大的市場在千瓦級以上的應用，因此高功率光纖激光器產(chǎn)品極具市場空間和投資價值。 經(jīng)過近兩年的持續(xù)攻關(guān)，學校已掌握一系列研制高功率光纖激光器的關(guān)鍵技術(shù)，并自主研制成功連續(xù)光纖激光器，與國內(nèi)同類產(chǎn)品相比，核心技術(shù)指標、性能參數(shù)均處于

本發(fā)明屬于無損檢測技術(shù)領(lǐng)域，為一種寬頻大功率電磁激勵裝置，包括猝發(fā)脈沖發(fā)生電路、模擬開關(guān)、變壓器和至少二個功率放大單元，各功率放大單元均包括依次的聯(lián)接的信號放大電路、加法電路、電流緩沖器、場效應管電壓跟隨電路和效應管電流放大電路，各加法電路均連接有電位器；猝發(fā)脈沖發(fā)生電路與模擬開關(guān)的輸入端相連，模擬開關(guān)的使能端與過功率檢測電路的輸出端相連，模擬開關(guān)的各輸出端分別與信號放大電路相連；效應管電流放大電路與變壓器的輸入端相連，過功率檢測電路的輸入端與變壓器的一個輸出端相連，變壓器的另一個輸出端用于驅(qū)動負載

成果簡介對于大電流注入下的高功率 LED 而言， 光衰是 LED 普遍存在的問題。 主要原因有載流子在多量子阱（MQW） 上的溢出（overflow）； LED 芯片的晶體內(nèi)部的缺陷導致的非輻射復合； 在大注入條件下， 載流子分布的不均勻； 以及 LED 結(jié)構(gòu)設(shè)計合理性等原因； 這些因素在 LED 材料生長過程中（采用 MOCVD 技術(shù)） 就已經(jīng)決定。 而大功率 LED 在實際應用過程中另外一個瓶頸就是芯片的熱輸運處理問題。 在大注入條件下， 過高的 pn 結(jié)結(jié)溫， 導致

本發(fā)明公開了一種低射頻功率檢測電路，該檢測電路將射頻輸 入信號連接至匹配負載，然后經(jīng)過基于檢波二極管的峰值檢測電路處 理，峰值檢測電路的輸出連接至峰值補償電路，使得補償之后的直流 電平與射頻信號峰值基本一致。補償電路的輸出連接至乘法器的兩個 輸入端，乘法器的輸出經(jīng)濾波、放大、零位補償之后，在檢測電路輸 出端得到一個與待測信號功率成正比的直流信號。該發(fā)明的特點是： 各功能電路相對獨立，調(diào)試方便；補償電路可精細調(diào)節(jié)，在一定頻率 和功率范圍內(nèi)測量準確度較高；通過設(shè)定電路參數(shù)，響應速度靈活可 調(diào)；能滿足高達

該成果應用于多功能高速列車運行模擬試驗臺模型車驅(qū)動系統(tǒng)（旨在研究列車在雨雪、地震、氣壓增減等復雜環(huán)境下高速會車時的性能），采用了多相直線無刷直流電機驅(qū)動技術(shù)，即模型車電磁彈射技術(shù)，通過該技術(shù)，動子推動220kg模型車在50米范圍內(nèi)可達到112m/s（403km/h）,并在9米內(nèi)動子制動停車，電機功率達到28.6MW。整個電磁彈射系統(tǒng)包括東西兩線，每條線在線路上均包括牽引段、制動段，在設(shè)備上包括脈沖發(fā)電機飛輪儲能系統(tǒng)、多相直線無刷直流電機定子、動子以及安裝定子和模型車運動軌道的支撐架，另外還包括動子回收、動子保持機構(gòu)等，運行過程通過過程監(jiān)控系統(tǒng)、視頻監(jiān)控系統(tǒng)進行實時監(jiān)控記錄。

太赫茲（THz）科學技術(shù)既是重大的基礎(chǔ)科學問題，也是國家的重大需求。然而，作為一段全新的的電磁波譜，實現(xiàn)THz波傳輸與控制的相關(guān)器件極為匱乏，大大限制了THz科學技術(shù)的發(fā)展及應用。本項目提出了THz波物質(zhì)探測、低損傳輸、高速控制的新理論和新技術(shù)，研制出多種實用化THz功能器件。本項目的主要成果包括：(1) 提出了THz波吸收的理論模型，研制出吸收率達到85%以上的窄帶、多帶和寬帶太赫茲吸收材料，解決了傳統(tǒng)電磁波吸收材料無法有效工作于THz頻段的技術(shù)難題；(2)提出“人工電磁結(jié)構(gòu)”與“電子功能材料”相結(jié)合構(gòu)建可調(diào)諧太赫茲功能器件的思想，研制出開關(guān)速率達到0.1ms的太赫茲開關(guān)、調(diào)制速率達到10Mbps的太赫茲波調(diào)制器，帶內(nèi)透射達到80%的太赫茲帶通濾波器，以及高效太赫茲功率衰減器；（3）基于高阻Si的深能級摻雜技術(shù)和石墨烯二維晶體材料，研制出寬帶太赫茲波空間調(diào)制器，開關(guān)速率達到5MHz，空間調(diào)制面積達到3英寸，為提高太赫茲成像速率和分辨率奠定了基礎(chǔ)；(4)提出極化約束實現(xiàn)太赫茲波導低損耗傳輸?shù)男赂拍睢；凇熬酆衔锟招静▽А迸c“周期性金屬光柵結(jié)構(gòu)”的集成，研制出一種雙面光柵聚合物空芯波導實現(xiàn)了單模的傳輸,大幅度降低太赫茲傳輸損耗到0.68dB/m，達到了實用化的要求。 這一研究成果既加深了對THz波譜特性和基本物理現(xiàn)象的理解，也解決了THz傳輸、控制、波譜識別和應用成像的多個關(guān)鍵科學問題。本項目成果的實施，可望實現(xiàn)載波300GHz以上高速無線通信，為太赫茲波無線通信、雷達探測、醫(yī)療診斷以及以及波譜成像等應用系統(tǒng)提供了重要的技術(shù)支撐。在Appl. Phys. Lett., Sci. Rep., Opt. Lett., Optics Express, J. Opt. Soc. Am.等國際主流期刊上發(fā)表SCI 論文66 篇。申請國家發(fā)明專利22 項，已授權(quán)專利7 項，獲得教育部自然科學一等獎1項。跟國內(nèi)外綜合比較，本項目的研究成果總體上處于國際先進水平，對推動太赫茲科學快速進入實際應用領(lǐng)域具有重要的科學意義。

本項目提出了THz波物質(zhì)探測、低損傳輸、高速控制的新理論和新技術(shù)，研制出多種實用化THz功能器件。

隨著集成電路工藝的進步，MOS管的特征尺寸越來越小，電路的工作電壓也不斷下降，柵氧化層的厚度也越來越薄，在這種趨勢下，將可控硅ESD防護器件的觸發(fā)電壓降低到可觀的電壓值內(nèi)，使用高性能的ESD防護器件來泄放靜電電荷以保護柵極氧化層顯得十分重要。本發(fā)明涉及可用于65nm半導體工藝的靜電保護（ESD）器件，特別涉及低電壓觸發(fā)的SCR器件。    本發(fā)明提供一種采用新型技術(shù)減小器件的ESD觸發(fā)電壓的PMOS嵌入的低壓觸發(fā)用于ESD保護的SCR器件。本發(fā)明采用PMOS進行觸發(fā)NMOS導通，NMOS的導通電流觸發(fā)SCR晶閘管，從而減小SCR器件的ESD觸發(fā)電壓。ESD脈沖信號施加在Anode和Cathode之間，PMOS首先被觸發(fā)導通，PMOS開通之后，觸發(fā)NMOS導通，NMOS導通后，其導通電流觸發(fā)晶閘管SCR導通。晶閘管電流（SCR current）導通大部分ESD 電流，從而實驗了ESD保護。