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高等教育領(lǐng)域數(shù)字化綜合服務(wù)平臺
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懸空氮化物薄膜LED
南京郵電大學(xué)
2021-04-14
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一種薄膜型LED器件及其制造方法
本發(fā)明公開一種薄膜型LED器件及其制造方法，本發(fā)明器件包括：薄片型線路基板，免金線倒裝結(jié)構(gòu)LED芯 片以及一層透光保護(hù)膜。本器件LED芯片為倒裝結(jié)構(gòu)，芯片電極通過共晶焊接方式固定于薄片型基板，實(shí)現(xiàn)免金線鍵合的電氣互聯(lián)，一層透光保護(hù)膜覆蓋于芯片和 基板表面。本發(fā)明公開的LED器件電極位于器件底部，易于實(shí)現(xiàn)表面貼裝技術(shù)。本發(fā)明公開器件厚度在0.25-0.6mm之間，具有厚度薄，體積小，發(fā)光角 度大，光效高，可靠性高，制造工藝簡單，生產(chǎn)效率高，成本低等諸多優(yōu)點(diǎn)，適合大功率及普通功率LED封裝，可廣泛應(yīng)用于照明、顯示等領(lǐng)域。截至目前，已累計(jì)創(chuàng)造產(chǎn)值超過33.66億元，新增利潤2.60億元。2017年，以本專利技術(shù)為核心的科技成果“半導(dǎo)體發(fā)光器件跨尺度光功能結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與制造關(guān)鍵技術(shù)”獲得廣東省人民政府頒發(fā)的廣東省科技進(jìn)步一等獎，并且本專利獲得中國專利優(yōu)秀獎。
華南理工大學(xué)
2021-04-10
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多元氧化物納米薄膜及薄膜晶體管
北京工業(yè)大學(xué)
2021-04-14
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銻化銦（InSb）薄膜型霍爾元件
項(xiàng)目簡介： 銻化銦薄膜型霍爾元件主要用于直流無刷電機(jī)，大量應(yīng)用于電腦 的電源風(fēng)扇，CPU 風(fēng)扇，打印機(jī)，電動自行車等所用的微型直流無刷 馬達(dá)。具有靈敏度高，使用壽命長，可靠性高，體積小，重量輕，功 耗小，頻率高，耐震動，耐灰塵、油污、水汽和鹽霧等各種污染或腐 蝕的優(yōu)點(diǎn)。 項(xiàng)目特色： 制備溫度低，能源消耗低，環(huán)境污染極小，易于大規(guī)模生產(chǎn)，制 造成本低，投資小的優(yōu)點(diǎn)。
南開大學(xué)
2021-04-11
銻化銦（InSb）薄膜型霍爾元件
項(xiàng)目成果/簡介:銻化銦薄膜型霍爾元件主要用于直流無刷電機(jī)，大量應(yīng)用于電腦的電源風(fēng)扇，CPU 風(fēng)扇，打印機(jī)，電動自行車等所用的微型直流無刷馬達(dá)。具有靈敏度高，使用壽命長，可靠性高，體積小，重量輕，功耗小，頻率高，耐震動，耐灰塵、油污、水汽和鹽霧等各種污染或腐蝕的優(yōu)點(diǎn)。應(yīng)用范圍:目前只有日本旭化成和韓國三星可以生產(chǎn)薄膜型銻化銦霍爾元件芯片，國內(nèi)無芯片生產(chǎn)技術(shù)。國內(nèi)市場約 50 億人民幣，具有市場廣，競爭少的優(yōu)點(diǎn)。 南開大學(xué)開發(fā)的芯片制造技術(shù)，原材料成本便宜 30%左右，具有很強(qiáng)的市場競爭力和投資價(jià)值。效益分析:制備溫度低，能源消耗低，環(huán)境污染極小，易于大規(guī)模生產(chǎn)，制造成本低，投資小的優(yōu)點(diǎn)。
南開大學(xué)
2021-04-11
銻化銦（InSb）薄膜型霍爾元件
銻化銦薄膜型霍爾元件主要用于直流無刷電機(jī)，大量應(yīng)用于電腦的電源風(fēng)扇，CPU 風(fēng)扇，打印機(jī)，電動自行車等所用的微型直流無刷馬達(dá)。具有靈敏度高，使用壽命長，可靠性高，體積小，重量輕，功耗小，頻率高，耐震動，耐灰塵、油污、水汽和鹽霧等各種污染或腐蝕的優(yōu)點(diǎn)。
南開大學(xué)
2021-02-01
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碲化鎘薄膜太陽電池的產(chǎn)業(yè)化制造技術(shù)
本成果包含如下內(nèi)容：高轉(zhuǎn)換效率的小面積碲化鎘太陽電池制造技術(shù)，面積為1200mm×600mm 的碲化鎘太陽電池組件規(guī)模化生產(chǎn)技術(shù)，年產(chǎn)30-50MW碲化鎘太陽電池生產(chǎn)線及關(guān)鍵設(shè)備的設(shè)計(jì)。 主要技術(shù)指標(biāo)： 組件效率超過12%。 應(yīng)用范圍： 用于太陽能直接發(fā)電，建立大規(guī)模光伏電站或小型戶用光伏發(fā)電系統(tǒng)。國家扶持光伏發(fā)電系統(tǒng)的建設(shè)，每年新建在10GW以上。由于是薄膜太陽電池，出口不會受到限制。 項(xiàng)目目前已進(jìn)入產(chǎn)業(yè)化階段，成果權(quán)屬為我校獨(dú)自擁有。
四川大學(xué)
2021-04-11
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解析Micro-LED顯示全彩化關(guān)鍵技術(shù)
復(fù)旦大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院副教授田朋飛團(tuán)隊(duì)與臺灣交通大學(xué)、電子科技大學(xué)相關(guān)團(tuán)隊(duì)合作，圍繞Micro-LED顯示全彩化關(guān)鍵技術(shù)撰寫綜述文章，發(fā)表于Progress in Quantum Electronics雜志。文章系統(tǒng)闡述了實(shí)現(xiàn)全彩色micro-LED顯示的生長技術(shù)、轉(zhuǎn)移打印技術(shù)、顏色轉(zhuǎn)換技術(shù)，對三種關(guān)鍵技術(shù)的機(jī)理、實(shí)現(xiàn)方法、優(yōu)缺點(diǎn)進(jìn)行著重介紹。
復(fù)旦大學(xué)
2021-01-12
氧化物薄膜晶體管材料及其器件
本項(xiàng)目主要研究和開發(fā)高遷移率透明氧化物半導(dǎo)體薄膜，重點(diǎn)研究摻鋅氧化銦(IZO)透明氧化物半導(dǎo)體薄膜;篩選合適的介質(zhì)層材料，研 究和制備優(yōu)質(zhì)致密的透明介質(zhì)層薄膜;研究制備摻鎢氧化銦(IWO)高 遷移率 TCO 薄膜，使其與 TOS 薄膜具有良好的電接觸特性;研究制 備采用上述透明導(dǎo)電氧化物電極、透明氧化物半導(dǎo)體溝道層和透明介 質(zhì)層構(gòu)成的全透明 TFT，研究 TFT 的尺寸和各種工藝技術(shù)對 I-V 特
復(fù)旦大學(xué)
2021-01-12
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化合物薄膜太陽能電池及其制備方法
化合物薄膜太陽能電池及其制備方法，屬于半導(dǎo)體光電材料與薄膜太陽能電池制備領(lǐng)域，解決現(xiàn)有化合物薄膜太陽能電池中所需材料在地殼中含量較少、價(jià)格昂貴、對人體有毒的問題。本發(fā)明的化合物薄膜太陽能電池，包括襯底及透明電極層、N 型緩沖層、P 型吸收層和背電極層，P 型吸收層材料為 Sb2Se3、Cu3SbS3 或 Cu3SbS4；本發(fā)明的制備方法包括沉積透明電極層步驟、沉積 N 型緩沖層步驟、沉積 P 型吸收層步驟、沉積電極層
華中科技大學(xué)
2021-04-14