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小球滾動(dòng)測(cè)量重力加速度的方法涉及物理參數(shù)的測(cè)定領(lǐng)域，特別是重力加速度的測(cè)量。為克服單擺對(duì)擺球不能實(shí)現(xiàn)有效約束容易出現(xiàn)疊加圓錐擺，本發(fā)明提出一種小球滾動(dòng)測(cè)量重力加速度的方法。技術(shù)方案是：一個(gè)小球從曲率半徑為R的圓弧形凹槽一側(cè)上部滾下，在勢(shì)能和動(dòng)能的相互轉(zhuǎn)換下做往復(fù)擺動(dòng)；圓環(huán)形凹槽側(cè)面有一對(duì)透光孔，在該透光孔布置光電門(mén)的發(fā)光二極管和接收二極管，光電門(mén)測(cè)量小球擺動(dòng)的周期T，重力加速度g=(2π/T)2*1.4R。有益效果是：小球受到圓弧形凹槽的限制，不會(huì)像單擺一樣出現(xiàn)疊加圓錐擺；提出了另外一種測(cè)量重力加速度的方法，拓展了學(xué)生的思維；相對(duì)于復(fù)擺測(cè)量重力加速度，測(cè)量過(guò)程和數(shù)據(jù)處理過(guò)程像單擺測(cè)量重力加速度一樣簡(jiǎn)單。

產(chǎn)品詳細(xì)介紹特點(diǎn)：傳感器：微機(jī)械電容、充氮阻尼、密封封裝內(nèi)置溫度傳感器（用于輸出溫度補(bǔ)償）輸出阻抗低，可支持遠(yuǎn)距離傳輸全量程線性標(biāo)定DC/AC 加速度響應(yīng)可提供非標(biāo)量程定制服務(wù)傳感器已內(nèi)置放大信號(hào)處理符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)用：飛行測(cè)試 儀器儀表 機(jī)器人安全系統(tǒng) 沖撞測(cè)試 機(jī)械控制振動(dòng)檢測(cè) 模態(tài)分析 振動(dòng)分析車輛動(dòng)態(tài)性能測(cè)試參數(shù)：傳感器性能：（數(shù)據(jù)為9~32V供電，溫度輸出 25℃ 得出）性能 -002 -005 -010 -025 -050 -100 -200 單位輸入量程 ±2 ±5 ±10 ±25 ±50 ±100 ±200 g頻率響應(yīng)（3dB） 0-400 0-600 0-1000 0-1500 0-2000 0-2500 0-3000 Hz靈敏度（差分輸出） 2000 800 400 160 80 40 20 mV/g輸出噪聲（差分模式，典型值） 8 9 10 25 50 100 200 μg/root HZ可承受最大沖擊（0.1ms） 2000 g傳感器性能：（除注明外，數(shù)據(jù)為9~32V供電，溫度輸出 25℃ ，差分模式得出）性能參數(shù) 最小值 典型值 最大值 單位橫軸靈敏度 1 2 %偏置標(biāo)定誤差 -002   4 滿量程的% -005~-200   1.5 偏置溫漂TC=-55~125℃ -002,005 100 200 PPM%滿量程/℃ -010~-400 50 100 標(biāo)定誤差比例因子 1 2 %溫漂比例因子TC=-55~125℃ -150   +150 Ppm/ ℃非線性（±90%滿量程） -002~-050 0.15 　0.5 滿量程的% -100 0.25 1.0 -200 0.4 1.5 電源抑制比 65 DB輸出阻抗 1 歐姆供電電壓 9   32 V功耗 12 14 mA質(zhì)量（L型） 10 克

產(chǎn)品詳細(xì)介紹特點(diǎn)：傳感器：微機(jī)械電容、充氮阻尼、密封封裝內(nèi)置溫度傳感器（用于輸出溫度補(bǔ)償）全量程線性標(biāo)定DC/AC 加速度響應(yīng)可提供非標(biāo)量程定制服務(wù)傳感器已內(nèi)置放大信號(hào)處理符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)用：地震監(jiān)測(cè) 消費(fèi)電子 機(jī)器人安全系統(tǒng) 沖撞測(cè)試 機(jī)械控制振動(dòng)檢測(cè) 模態(tài)分析 振動(dòng)分析儀器儀表 車輛動(dòng)態(tài)性能測(cè)試參數(shù)：傳感器性能：（數(shù)據(jù)為8~32V供電，溫度輸出 25℃ 得出）性能 -002 -005 -010 -025 -050 -100 -200 單位輸入量程 ±2 ±5 ±10 ±25 ±50 ±100 ±200 g頻率響應(yīng)（3dB） 0-400 0-600 0-1000 0-1500 0-2000 0-2500 0-3000 Hz靈敏度（差分輸出） 2000 800 400 160 80 40 20 mV/g輸出噪聲（差分模式，典型值） 12 14 15 38 75 150 300 μg/root HZ可承受最大沖擊（0.1ms） 2000 g傳感器性能：（除注明外，數(shù)據(jù)為8~32V供電，溫度輸出 25℃ ，差分模式得出）性能參數(shù) 最小值 典型值 最大值 單位橫軸靈敏度 2 3 %偏置標(biāo)定誤差 -002   4 滿量程的% -005~-200   1.5 偏置溫漂TC=-55~125℃ -002 100 200 PPM%滿量程/℃ -005~-400 50 100 標(biāo)定誤差比例因子 1 2 %溫漂比例因子TC=-55~125℃ -150     +150 Ppm/ ℃非線性（±90%滿量程） -002~-050 0.15 0.5 滿量程的% -100 0.25 1.00 -200 0.4 1.5 電源抑制比 65 DB輸出阻抗 1 歐姆供電電壓 8 32 V功耗 27 30 mA質(zhì)量  21 克

本發(fā)明公開(kāi)了一種加速溶劑萃取-高速逆流色譜聯(lián)用方法及其裝置。采用加速溶劑萃取裝置提取物料得到提取液,采用儲(chǔ)液瓶收集;將提取液通過(guò)蠕動(dòng)泵泵入定量環(huán);將儲(chǔ)液瓶中的固定相采用柱塞泵泵入高速逆流色譜儀,啟動(dòng)高速逆流色譜儀,同時(shí)用柱塞泵將儲(chǔ)液瓶中的流動(dòng)相泵入高速逆流色譜儀,進(jìn)行溶劑體系平衡;將定量環(huán)中的樣品溶液泵入高速逆流色譜儀,采用制備型高速逆流色譜純化制備得到目標(biāo)組分,或采用分析型高速逆流色譜分析天然產(chǎn)物提取液中的目標(biāo)組分;上述步驟通過(guò)切換閥集成加速溶劑萃取與高速逆流色譜于一體,實(shí)現(xiàn)天然產(chǎn)物有效成分的在線提取分離與純化制備,具有快速高效、自動(dòng)化程度高的特點(diǎn).

利用圓錐擺測(cè)量重力加速度的方法涉及物理參數(shù)的測(cè)定領(lǐng)域，是測(cè)量重力加速度一種新方法。技術(shù)方案是：?jiǎn)螖[的擺線長(zhǎng)度為L(zhǎng)，擺球的半徑為r，擺線所在的擺球的直徑方向、與擺線相對(duì)的另一側(cè)固定一個(gè)長(zhǎng)度為a的半硬質(zhì)塑料薄片；轉(zhuǎn)軸帶動(dòng)單擺擺球做圓周運(yùn)動(dòng)，測(cè)量擺線與豎直方向的夾角θ以及擺球的擺動(dòng)周期T，從而重力加速度g=(2pi/T)2*L’cosθ，其中，pi=3.1415926。有益效果是：提出一種重力加速度的測(cè)量新方法；引導(dǎo)學(xué)生正確認(rèn)識(shí)誤差；相對(duì)于單擺擺角振幅因空氣阻力而逐漸減少而言，本發(fā)明受電機(jī)的驅(qū)使，能夠保證以恒定速度穩(wěn)定運(yùn)行；單擺的周期公式是一種近似，要求擺角在5度之內(nèi)，本發(fā)明無(wú)此要求。

本實(shí)用新型涉及試件加速腐蝕的鹽霧試驗(yàn)裝置，旨在提供一種用于大尺寸試件加速腐蝕的鹽霧試驗(yàn)裝置。包括鹽霧箱、密封箱和鹽霧管；密封箱是由兩個(gè)或兩個(gè)以上部件拼接而成的，各部件相對(duì)的側(cè)面上蝕刻凹槽，使拼接后的密封箱內(nèi)部呈中空的形狀；該中空的形狀與待測(cè)試件或待測(cè)試件局部位置的形狀相匹配，當(dāng)密封箱將待測(cè)試件或待測(cè)試件局部位置包裹起來(lái)后仍能保持間隙；密封箱的底部設(shè)有用于插入鹽霧管的開(kāi)孔，鹽霧管的另一端接至鹽霧箱。本實(shí)用新型該不但能對(duì)大尺寸、全尺寸結(jié)構(gòu)構(gòu)件進(jìn)行加速腐蝕試驗(yàn)，加速腐蝕速率、縮短腐蝕試驗(yàn)所用時(shí)長(zhǎng)，還能進(jìn)行多個(gè)平行構(gòu)件的同時(shí)腐蝕，提高試驗(yàn)效率。還可以模擬構(gòu)件在水面上方使用時(shí)，下方水汽蒸騰所造成的腐蝕。

產(chǎn)品詳細(xì)介紹 石英撓性加速度計(jì)JHT-I-A 石英撓性加速度計(jì)JHT-I-A簡(jiǎn)介：JHT-I-A石英撓性加速度計(jì)用于載體的微重力測(cè)量系統(tǒng)和高精度慣導(dǎo)系統(tǒng)中，并可用于高精度的靜態(tài)角度測(cè)量系統(tǒng)中。 石英撓性加速度計(jì)JHT-I-A性能參數(shù)：

已有樣品/n針對(duì)產(chǎn)業(yè)界對(duì)MEMS 代工的迫切需求，微電子所科研人員以高精度三軸加速度計(jì)開(kāi)發(fā)為牽引展開(kāi)攻關(guān)，致力于在現(xiàn)有8 英寸硅工藝線上實(shí)現(xiàn)與CMOS 工藝兼容的通用MEMS 加工平臺(tái)技術(shù)，成功開(kāi)發(fā)出大深寬比MEMS 結(jié)構(gòu)刻蝕、MEMS 與ASIC 晶圓堆疊、TSV 電學(xué)連接及晶圓級(jí)蓋帽鍵合封裝等關(guān)鍵工藝技術(shù)的量產(chǎn)，最終實(shí)現(xiàn)了TSV的ASIC 晶圓、MEMS 結(jié)構(gòu)晶圓及蓋帽晶圓的三層鍵合工藝，并順利交付首款三軸加速度計(jì)產(chǎn)品。

本發(fā)明公開(kāi)了一種基于 GPU 加速的 DEM 超分辨率方法。包括： (1)利用插值方法將低分辨率 DEM 學(xué)習(xí)數(shù)據(jù)擴(kuò)充 K 倍，使其與高分辨 率 DEM 學(xué)習(xí)數(shù)據(jù)達(dá)到同一尺度；同時(shí)將待重建的 DEM 數(shù)據(jù)通過(guò)相同 的插值方法擴(kuò)充 K 倍，得到低分辨率 DEM 重建數(shù)據(jù)；(2)分別將高分 辨率 DEM 學(xué)習(xí)數(shù)據(jù)、低分辨率 DEM 學(xué)習(xí)數(shù)據(jù)和低分辨率 DEM 重建 數(shù)據(jù)分為一系列大小為 N×N 的相互重疊的區(qū)域塊；(3)對(duì)低分辨率 DEM 重建數(shù)據(jù)的每一個(gè)區(qū)域塊，在低分辨率 DEM 學(xué)習(xí)數(shù)據(jù)中進(jìn)行相 似