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旦大學(xué).jpg){kind=logo}
一種實(shí)現(xiàn)微型LED顯示器件封裝制作方法
本申請(qǐng)涉及一種實(shí)現(xiàn)微型LED顯示器件封裝制作方法，通過設(shè)計(jì)新型的微型LED陣列顯示器件結(jié)構(gòu)，結(jié)合電極外引光刻工藝與貼片封裝工藝，以進(jìn)行微型LED陣列顯示器件與驅(qū)動(dòng)電路板的封裝集成。一方面通過制備電極外引結(jié)構(gòu)，可以增大像素的電極面積，使得貼片鍵合過程更容易操作且精確度更高，有效簡化鍵合的步驟；另一方面結(jié)合漏印錫膏技術(shù)，將芯片與基板鍵合，減少金線或者合金等物料的使用，并且通過采用芯片高像素密度陣列式制作，提升生產(chǎn)效率，并降低生產(chǎn)成本。
復(fù)旦大學(xué)
2021-01-12
大學(xué).jpg){kind=logo}
一種具有存儲(chǔ)功能的晶體管器件的應(yīng)用
本發(fā)明涉及一種具有存儲(chǔ)功能的晶體管器件的應(yīng)用，屬于半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域。針對(duì)現(xiàn)有二維電荷陷阱存儲(chǔ)器中因缺乏合適電荷陷阱介質(zhì)導(dǎo)致的可靠性差及集成度低等問題，本發(fā)明提出采用二維碘化鉛（PbI<subgt;2</subgt;）作為電荷陷阱層，利用其天然存在的碘空位缺陷實(shí)現(xiàn)高效電荷捕獲。所述器件由二維半導(dǎo)體材料（如WSe<subgt;2</subgt;）與PbI<subgt;2</subgt;通過范德華異質(zhì)結(jié)構(gòu)集成，形成柵控存儲(chǔ)單元。該器件具有大存儲(chǔ)窗口、高開關(guān)比、快速寫入速度、多級(jí)存儲(chǔ)能力、高久性及長數(shù)據(jù)保持時(shí)間。本發(fā)明為高集成度、低功耗非易失性存儲(chǔ)器提供了創(chuàng)新解決方案。
南京工業(yè)大學(xué)
2021-01-12
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微型皮拉尼計(jì)與體硅器件集成加工的方法
本發(fā)明公開了一種微型皮拉尼計(jì)的制備方法及其與體硅器件集成加工的方法。集成加工的方法包括：在硅基片正面制備體硅器件所需的絕緣層及電路引線；在硅基片的背面或正面沉積一層絕緣隔熱材料，刻蝕去除其四周部分得到絕緣隔熱層；在絕緣隔熱層上制備加熱體和電極；在沒有加熱體的一面制備圖形化的光刻膠掩膜；在有加熱體的一面沉積金屬膜；將金屬膜粘貼在表面有氧化層的硅托片上；對(duì)有光刻膠掩膜的一面進(jìn)行感應(yīng)耦合等離子體干法刻蝕，刻穿硅基片；去除光刻膠掩膜和金屬膜，得到集成結(jié)構(gòu)。本發(fā)明能有效提高皮拉尼計(jì)的制備與其它工藝的兼容性，解決皮拉尼計(jì)與體硅器件集成封裝工藝難度大，風(fēng)險(xiǎn)高，成本高且產(chǎn)量低的技術(shù)問題。
華中科技大學(xué)
2021-04-14
電子元器件激光機(jī)飲料瓶蓋激光打碼噴碼機(jī)
產(chǎn)品詳細(xì)介紹電子元器件激光打標(biāo)，電感電阻電線電纜，飲料瓶蓋激光打標(biāo)流水線在線激光機(jī)口罩激光機(jī)都可以在線打標(biāo)歡迎咨詢！
上海康彥電子科技有限公司
2021-08-23
州大學(xué).jpg){kind=logo}
H7N9亞型流感抗原快速檢測(cè)試紙條
該成果是揚(yáng)州大學(xué)江蘇省家禽疫病防控工程技術(shù)研究中心自主研發(fā)的 H7N9 亞型流感抗原檢測(cè)試劑及試劑盒產(chǎn)品。 產(chǎn)品以兩株針對(duì) H7N9 流感病毒不同抗原表位的單克隆抗體建立雙抗體夾心免疫層析快速檢測(cè)試紙條。該試紙條特異性、廣譜性強(qiáng)，與傳統(tǒng)的血凝和血凝抑制試驗(yàn)相比，靈敏度更高、耗時(shí)更短； 與國外進(jìn)口的同類產(chǎn)品有相同的檢出率，且敏感性更高，更利于臨床樣品的快速檢測(cè)，適合推廣應(yīng)用。
揚(yáng)州大學(xué)
2021-04-14
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一種 N2 分子振轉(zhuǎn) Raman 譜的測(cè)量系統(tǒng)
本發(fā)明公開了一種 N2 分子振轉(zhuǎn) Raman 譜的測(cè)量系統(tǒng)。該系統(tǒng)由發(fā)射單元和光學(xué)接收與信號(hào)檢測(cè)單 元組成。發(fā)射單元采用種子注入的固體激光器輸出極窄線寬的 354.8 nm 紫外激光照射大氣分子；光學(xué)接 收與信號(hào)檢測(cè)單元收集由 N2 分子產(chǎn)生的振轉(zhuǎn) Raman 譜信號(hào)，采用雙光柵色散系統(tǒng)將 384.9-388.6 nm 范 圍光以 8.3 mm nm-1 的線色散率在空間上色散開來，采用 32 通道的線陣探測(cè)器分辨并記錄 N2 分子振轉(zhuǎn) Ram
武漢大學(xué)
2021-04-14
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一種單相α-Si3N4超細(xì)粉體及其制備方法
本發(fā)明涉及一種單相α?Si3N4超細(xì)粉體及其制備方法。其技術(shù)方案是：先將5——30wt%的單質(zhì)硅粉、15——45wt%的固態(tài)氮源和40——80wt%的鹵化物粉混合均勻，制得混合物；再將所述混合物置入管式電爐內(nèi)，在氮?dú)鈿夥障乱?——10℃/min的升溫速率升至1000——1300℃，保溫2——6小時(shí)；然后將所得產(chǎn)物用去離子水反復(fù)清洗，直至分別用AgNO3和Ca(NO3)2溶液滴定不再出現(xiàn)白色沉淀為止；最后在110℃條件下干燥10——24小時(shí)，即得單相α?Si3N4超細(xì)粉體。本發(fā)明具有反應(yīng)溫度低、成本低、合成工藝簡單、過程易于控制、產(chǎn)率高和產(chǎn)業(yè)化前景大的特點(diǎn)；所制備的單相α?Si3N4超細(xì)粉體粒度為100——500nm，無雜相、活性高、顆粒團(tuán)聚小和粒度分布均勻。
（注：本項(xiàng)目發(fā)布于2015年）
武漢科技大學(xué)
2021-01-12
P06/N01/PSt壓電陶瓷促動(dòng)器—芯明天科技
產(chǎn)品詳細(xì)介紹 壓電陶瓷，是一種能夠?qū)C(jī)械能和電能互相轉(zhuǎn)換的功能陶瓷材料。壓電陶瓷到底是一種什么樣的材料呢？壓電陶瓷屬于無機(jī)非金屬材料。這是一種具有壓電效應(yīng)的材料。所謂壓電效應(yīng)是指某些介質(zhì)在力的作用下產(chǎn)生形變，引起介質(zhì)表面帶電，這是正壓電效應(yīng)。反之，施加激勵(lì)電場(chǎng)，介質(zhì)將產(chǎn)生機(jī)械形變，稱逆壓電效應(yīng)。這種奇妙的效應(yīng)已經(jīng)被科學(xué)家應(yīng)用在與人民生活密切相關(guān)的許多領(lǐng)域，以實(shí)現(xiàn)能量轉(zhuǎn)換、傳感、驅(qū)動(dòng)、頻率控制等功能 特性：納米級(jí)分辨率 無摩擦，無間隙 剛度強(qiáng)，使用壽命長 可選擇位置傳感功能進(jìn)行閉環(huán)控制 真空兼容，可在高溫或低溫下操作 機(jī)械接頭形式：螺紋、圓球、平頭 可根據(jù)客戶要求定制應(yīng)用：通信，光纖調(diào)節(jié) 顯微鏡微調(diào)，機(jī)械工程 微系統(tǒng)技術(shù)，你米定位技術(shù) 半導(dǎo)體設(shè)備，精密儀器 閥門（真空管） 度量衡/干涉度量學(xué) 生命科學(xué)/生物技術(shù)
哈爾濱芯明天科技有限公司
2021-08-23
XM-633頭頸部層次解剖模型附腦N、A模型
XM-633頭頸部層次解剖模型附腦N、A
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XM-633頭頸部層次解剖模型附腦N、A模型顯示頭部、頸部深、淺層血管和神經(jīng)，在顯示頭部、頸部的肌肉基礎(chǔ)上顯示血管、神經(jīng)的分布和走向，頭部、頸部作正中矢狀切面顯示各種器官結(jié)構(gòu)，左側(cè)半腦拆下可示腦神經(jīng)外形及腦神經(jīng)進(jìn)出腦及腦顱底部位，腦可拆下示眼外肌。
尺寸：自然大，38.5×24×50cm
材質(zhì)：PVC材料
上海欣曼科教設(shè)備有限公司
2021-08-23
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超大功率硅基射頻LDMOS晶體管設(shè)計(jì)技術(shù)
大功率射頻LDMOS器件以其線性度好、增益高、輸出功率大、熱穩(wěn)定性好、效率高、寬帶匹配性能好、價(jià)格低廉等方面的優(yōu)勢(shì)已經(jīng)成為基站、廣播電視發(fā)射機(jī)、航空電子、雷達(dá)等領(lǐng)域等應(yīng)用最廣泛的射頻功率器件。 本團(tuán)隊(duì)利用優(yōu)化的法拉第屏蔽罩結(jié)構(gòu)和版圖布局技術(shù)，基于國內(nèi)8英吋工藝技術(shù)平臺(tái)，研制出大功率L 和S 波段RF LDMOS 器件（圖1），能夠提供完整的RF LDMOS器件的設(shè)計(jì)與研制方案。目前已制作出頻率0.5GHz，輸出功率>500W，功率增益>18dB、漏極效率>50%的單芯片RF LDMOS 器件；頻率1.2GHz，輸出功率>600W，功率增益>20dB、漏極效率>40%的L波段RF LDMOS 器件；頻率3.1GHz，輸出功率>80W，功率增益>10dB、漏極效率>35%的單芯片S波段RF LDMOS 器件（圖2）。 (a) (b) 圖1 RF LDMOS器件：(a)晶圓顯微照片 (b)封裝器件 a b c 圖2 RF LDMOS器件功率測(cè)試曲線：(a)P波段 (b) L波段 (c) S波段
電子科技大學(xué)
2021-04-10