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本發(fā)明公布了一種矯正功率傳感器數(shù)據(jù)的方法。首先，根據(jù)軟件運(yùn)行時(shí)間長短來分別采用不同方法進(jìn)行數(shù)據(jù)矯正。運(yùn)行時(shí)間短的程序傳感器采集到的功耗數(shù)據(jù)是趨向性數(shù)據(jù)，需要進(jìn)行擬合來進(jìn)行矯正。運(yùn)行時(shí)間長的程序，傳感器采集的數(shù)據(jù)是逐漸逼近的真實(shí)數(shù)據(jù)，采用基于誤差方向的逼近函數(shù)進(jìn)行矯正。通過在K20系列的GPU平臺(tái)上進(jìn)行實(shí)驗(yàn)，表明該方法適用于解決傳感器測量能耗存在的問題。通過使用本方法較準(zhǔn)確地獲得軟件在設(shè)備中運(yùn)行的能耗，為以后的程序能耗優(yōu)化奠定了基礎(chǔ)。

本發(fā)明公開了一種脈沖功率開關(guān)電路封裝結(jié)構(gòu)。包括第一銅箔、 半導(dǎo)體脈沖功率開關(guān)芯片、電容、第二銅箔、銅柱、磁開關(guān)和第三銅 箔；電容的一端焊接第三銅箔，另一端焊接銅柱的一端，銅柱與電容 的中心軸垂直，銅柱的另一端穿過磁開關(guān)的中心焊接至第二銅箔的一 端，第二銅箔與電容的中心軸平行，其另一端靠近電容的一面焊接半 導(dǎo)體脈沖功率開關(guān)芯片的陽極，半導(dǎo)體脈沖功率開關(guān)芯片的陰極焊接 第一銅箔。本發(fā)明將多個(gè)外圍器件與半導(dǎo)體脈沖功率開關(guān)封

三種產(chǎn)品及其關(guān)鍵技術(shù)： 1、冷凝端擴(kuò)展型仿生毛細(xì)管芯平板熱管 基本原理：（1）在散熱翅片內(nèi)構(gòu)造許多通道，增加平板熱管冷凝端的散熱面積。（2）在平板熱管蒸發(fā)端表面上燒結(jié)仿生毛細(xì)管芯，提高熱管蒸發(fā)端的傳熱系數(shù)。（3）熱管蒸發(fā)端和冷凝端（散熱翅片）采用一體化設(shè)計(jì)，從而確保平板熱管和散熱器之間的緊密接觸。（4）眾多散熱翅片內(nèi)的通道與仿生毛細(xì)芯相結(jié)合，類似于許多微型熱管同時(shí)工作。 技術(shù)指標(biāo)：（1）提高散熱性能20%（用于大功率LED的散熱器產(chǎn)品如圖5所示）。（2）中心溫度降低20℃；減少產(chǎn)品重量50%。（3）材料成本可節(jié)省50％。 綜合優(yōu)勢：（1）由于固體翅片內(nèi)存在延伸冷凝器，可為加熱區(qū)提供充足的液體，保證加熱區(qū)在超高熱流密度下不會(huì)達(dá)到干燥狀態(tài)。（2）翅片不僅用作散熱器，還用作冷凝器。固體翅片內(nèi)的冷凝傳熱確保了沿翅片高度方向均勻溫度，從而提高翅片效率。（3）散熱器可在反重力狀態(tài)下運(yùn)行，體積小，重量輕。由于集成設(shè)計(jì)，蒸發(fā)器和翅片散熱器之間不存在接觸熱阻。 應(yīng)用領(lǐng)域：電力電子、航空航天、能源動(dòng)力、石油化工、軍工設(shè)備等領(lǐng)域中大功率、大熱流密度芯片及其設(shè)備的散熱，例如大功率激光器、照明LED、控制芯片、燃料電池、新能源汽車、激光、雷達(dá)及大數(shù)據(jù)計(jì)算中心等。 2、回路熱管 基本原理：（1）回路熱管內(nèi)部構(gòu)造了三層毛細(xì)芯，第一層毛細(xì)芯為多尺度結(jié)構(gòu)吸液芯，取代了傳統(tǒng)回路熱管中的實(shí)心溝槽微通道。多尺度結(jié)構(gòu)吸液芯可將蒸發(fā)器內(nèi)的汽－液流動(dòng)路徑分開，液體通過多尺度毛細(xì)芯吸入，蒸汽在固－液－汽界面處產(chǎn)生，并通過大尺度溝槽溢出。多尺度毛細(xì)芯同時(shí)滿足了兩個(gè)需求：蒸汽溢出需要多尺度孔隙，液體吸入需要小尺度孔隙。（2）第二層和第三毛細(xì)芯不僅起到回流液體的作用，還起到防止熱泄露的作用。第三毛細(xì)芯為超低導(dǎo)熱率材料，可大大減少從蒸發(fā)器到補(bǔ)償箱的熱泄漏。 技術(shù)指標(biāo)：（1）與傳統(tǒng)回路熱管相比，蒸發(fā)器中心溫度可降低20-50℃，最大熱流密度可達(dá)40W/cm2。（2）在300W加熱功率下，最大反重力高度可達(dá)500mm。 綜合優(yōu)勢：（1）可在反重力狀態(tài)下運(yùn)行。（2）散熱功率大，散熱距離長。 應(yīng)用領(lǐng)域：航空航天、能源動(dòng)力和軍工裝備等領(lǐng)域光電設(shè)備的散熱。 3、超薄熱管 基本原理：（1）將仿生多尺度微－納結(jié)構(gòu)應(yīng)用于熱管蒸發(fā)端毛細(xì)芯。（2）熱管超親水蒸發(fā)端和超疏水冷凝端相互匹配，共同調(diào)節(jié)熱管內(nèi)部的汽液相分布。（3）熱管蒸發(fā)端和冷凝端的相變傳熱主要是核態(tài)傳熱機(jī)制，傳熱系數(shù)對(duì)于熱流密度的變化具有自適應(yīng)響應(yīng)特性。 技術(shù)指標(biāo)：（1）顯著降低熱管蒸發(fā)端中心溫度30-40℃(~100W/cm2)。（2）蒸發(fā)傳熱系數(shù)提高2.4倍。（3）冷凝傳熱系數(shù)提高4倍。 綜合優(yōu)勢：（1）體積小，重量輕。（2）顯著提高設(shè)備穩(wěn)定性、可靠性和使用壽命。 應(yīng)用領(lǐng)域：筆記本電腦、微處理器、手機(jī)等小型電子設(shè)備的散熱。

混凝土砂漿3D打印機(jī)是將混凝土砂漿或其它增材，通過噴嘴擠出，逐層打印生成3D實(shí)體。本打印機(jī)適用于大型結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的微觀化評(píng)價(jià)、快速建房、多維度建筑等。公司研發(fā)的3D打印機(jī)集機(jī)械、自動(dòng)化、信息化為一體，結(jié)合科研高校的實(shí)際應(yīng)用，可對(duì)材料科學(xué)的研究提供多種方案的設(shè)計(jì)。

成果介紹基片集成類導(dǎo)波結(jié)構(gòu)是近十幾年發(fā)展起來的一類新型平面集成高性能導(dǎo)波結(jié)構(gòu)，2011年被國際微波雜志列為“改變未來無源與控制器件的十大非凡發(fā)明”之首（Microwave Journal, Nov. 2011）。本項(xiàng)目組是國際上這一領(lǐng)域的主要貢獻(xiàn)者之一，在國家自然科學(xué)基金委創(chuàng)新群體基金和國家973項(xiàng)目等的資助下，對(duì)基片集成類導(dǎo)波結(jié)構(gòu)的傳輸特性、諧振特性、損耗機(jī)理、模式轉(zhuǎn)換機(jī)理、極化轉(zhuǎn)換機(jī)理等科學(xué)問題及其在多個(gè)分支的創(chuàng)新應(yīng)用開展了系統(tǒng)深入的研究，建立了精確有效的設(shè)計(jì)方法，構(gòu)建了基礎(chǔ)設(shè)計(jì)公式，提出并命名了半模基片集成波導(dǎo)等新型導(dǎo)波結(jié)構(gòu)，提出了一系列基片集成類無源元件新結(jié)構(gòu)等。技術(shù)創(chuàng)新點(diǎn)及參數(shù)1、在國際上最早提出并發(fā)展了適合于周期性基片集成類導(dǎo)波結(jié)構(gòu)的頻域有限差分和直線法全波分析模型，揭示了其傳輸機(jī)理，并在此基礎(chǔ)上構(gòu)建了一組閉式設(shè)計(jì)公式。這組公式已被廣泛用于基片集成類導(dǎo)波結(jié)構(gòu)元器件的設(shè)計(jì)。相關(guān)代表作單篇正面他引均超過150次。2、提出并命名了半模基片集成波導(dǎo)、折疊半模基片集成波導(dǎo)等新型導(dǎo)波結(jié)構(gòu)，系統(tǒng)研究了其導(dǎo)波特性、損耗機(jī)理和模式轉(zhuǎn)換機(jī)理等，構(gòu)建了設(shè)計(jì)公式，并在此基礎(chǔ)上發(fā)展了一系列新型微波毫米波高性能元器件，其中代表作單篇正面他引均超過100次。3、提出了多種基片集成波導(dǎo)無源新結(jié)構(gòu)，深入研究了其諧振特性、耦合特性和損耗機(jī)理，并在此基礎(chǔ)上發(fā)展了一系列高性能新型元器件及單基片集成系統(tǒng)。相關(guān)代表作合計(jì)正面他引350余次。4、在基片集成波導(dǎo)天線輻射機(jī)理研究的基礎(chǔ)上，突破了經(jīng)典Elliott設(shè)計(jì)公式的局限性，建立了相應(yīng)的分析模型和設(shè)計(jì)方法，發(fā)展了一系列新穎的高性能基片集成類天線及陣列，相關(guān)代表作由于其基礎(chǔ)性和創(chuàng)新性被合計(jì)正面他引300余次。市場前景項(xiàng)目研究成果已獲54項(xiàng)授權(quán)國家發(fā)明專利，其中部分專利已進(jìn)行技術(shù)轉(zhuǎn)讓并應(yīng)用于企業(yè)產(chǎn)品中。

該項(xiàng)目以基片集成類導(dǎo)波結(jié)構(gòu)的工作機(jī)理與創(chuàng)新應(yīng)用為主線，對(duì)這類結(jié)構(gòu)及器件的傳輸特性、損耗機(jī)理等基礎(chǔ)科學(xué)問題進(jìn)行了深入研究，提出了半模基片集成波導(dǎo)等多種新型平面導(dǎo)波結(jié)構(gòu)，發(fā)展了相應(yīng)的設(shè)計(jì)方法，并發(fā)明了一系列新型高性能微波毫米波器件，部分器件已得到實(shí)際應(yīng)用。

微流體數(shù)字化技術(shù)通過對(duì)裸結(jié)構(gòu)的微噴嘴實(shí)施脈沖的慣性力，使微量流體在慣性力與黏性力交替作用下實(shí)現(xiàn)微流體的脈沖流動(dòng)，從而實(shí)現(xiàn)數(shù)字化可控的微量流體的噴射，適用于液體微噴射、粉體微噴射等領(lǐng)域。 成熟度：基于非晶態(tài)玻璃材料毛細(xì)加工原理，進(jìn)行了拉制、鍛制、殘余應(yīng)力熱處理等工序研究，制作了出微納米級(jí)的微噴嘴、微管道。以玻璃微噴嘴制備儀為平臺(tái)研究了不同拉制參數(shù)、鍛制參數(shù)對(duì)微噴嘴幾何形狀的影響規(guī)律。基于微流體脈沖驅(qū)動(dòng)-控制技術(shù)，分別采用拉制、鍛制的微噴嘴穩(wěn)定地制備了均一的微液滴。 微流體

采用光互連技術(shù)可以有效的解決集成電路進(jìn)一步發(fā)展的尺寸限制同時(shí)可以極大的提高芯片間信息傳輸?shù)乃俣群皖l率。Si基光子集成是實(shí)現(xiàn)集成電路光互聯(lián)的核心技術(shù)和重要研究方向。然而，Si因?yàn)槠溟g接帶系的特性很難作為發(fā)光材料使得Si基光源的缺失成為制約Si基光子芯片的瓶頸，而傳統(tǒng)Ⅲ-Ⅴ族材料如GaAs，InP等由于優(yōu)良的光電轉(zhuǎn)換效率已經(jīng)在光電子器件領(lǐng)域得到廣泛的應(yīng)用。因此，Si基與Ⅲ-Ⅴ的集成是實(shí)現(xiàn)Si基光子芯片的一種理想途徑。

寧波大學(xué)晶體材料實(shí)驗(yàn)室在國際上首次成功開發(fā)鎢酸鎘(CWO)閃爍單晶的坩堝下降法生長技術(shù)，自主掌握CWO單晶材料制備專利技術(shù)。 一、項(xiàng)目分類 關(guān)鍵核心技術(shù)突破 二、成果簡介 閃爍單晶是廣泛應(yīng)用于高能射線探測成像技術(shù)的光學(xué)功能材料。寧波大學(xué)晶體材料實(shí)驗(yàn)室在國際上首次成功開發(fā)鎢酸鎘(CWO)閃爍單晶的坩堝下降法生長技術(shù)，自主掌握CWO單晶材料制備專利技術(shù)。近年來所制備閃爍單晶性能完全達(dá)到射線探測器制造所要求實(shí)用化指標(biāo)，CWO閃爍單晶材料可廣泛應(yīng)用于安檢設(shè)備、集裝箱檢查系統(tǒng)、CT診療儀等技術(shù)領(lǐng)域。迄今已經(jīng)形成單晶原坯、多規(guī)格晶片和單晶陣列的批量生產(chǎn)能力，相關(guān)材料產(chǎn)品已銷往國內(nèi)外相關(guān)射線探測成像設(shè)備制造廠商。