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博志金鉆技術(shù)團隊在磁控濺射領(lǐng)域深耕二十余年，目前已經(jīng)實現(xiàn)氧化鋁、氮化鋁、氮化硅、單晶金剛石、單晶碳化硅覆銅板的量產(chǎn)，三英寸陶瓷覆銅板月產(chǎn)能10萬片，包括各類種子層方案，銅層厚度0.5-100um，表面無毛刺、劃痕、色差等異樣，350度加熱平臺烘烤5分鐘不起泡。 一、項目進展 已注冊公司運營 二、企業(yè)信息 企業(yè)名稱 蘇州博志金鉆科技有限責(zé)任公司 企業(yè)法人 潘遠志 注冊時間 2022/3/31 注冊所在省市 江蘇省 蘇州市 組織機構(gòu)代碼 91610131MA712U7Q06 經(jīng)營范圍 一般項目：技術(shù)服務(wù)、技術(shù)開發(fā)、技術(shù)咨詢、技術(shù)交流、技術(shù)轉(zhuǎn)讓、技術(shù)推廣；金屬表面處理及熱處理加工；新材料技術(shù)研發(fā)；新材料技術(shù)推廣服務(wù)；電子元器件制造；集成電路制造；信息安全設(shè)備制造；通信設(shè)備制造；光通信設(shè)備制造；雷達及配套設(shè)備制造；光電子器件制造；真空鍍膜加工；表面功能材料銷售；金屬基復(fù)合材料和陶瓷基復(fù)合材料銷售；合成材料銷售；有色金屬合金銷售；半導(dǎo)體器件專用設(shè)備制造；新型陶瓷材料銷售；電子元器件零售；電子元器件批發(fā)；泵及真空設(shè)備制造；泵及真空設(shè)備銷售；通用設(shè)備制造（不含特種設(shè)備制造）；玻璃、陶瓷和搪瓷制品生產(chǎn)專用設(shè)備制造；電子專用材料研發(fā)；電子專用材料制造；特種陶瓷制品銷售；半導(dǎo)體器件專用設(shè)備銷售；集成電路設(shè)計；機械設(shè)備租賃；租賃服務(wù)（不含許可類租賃服務(wù)）（除依法須經(jīng)批準的項目外，憑營業(yè)執(zhí)照依法自主開展經(jīng)營活動） 企業(yè)地址 江蘇省 蘇州高新區(qū)長亭路8號大新科技園3幢二樓 獲投資情況 2021/07/01蘇州匯伯壹號創(chuàng)業(yè)投資合伙企業(yè)（有限合伙）天使輪1000萬元 2022/03/22蘇州融享進取創(chuàng)業(yè)投資合伙企業(yè)（有限合伙）preA輪2500萬元 三、負責(zé)人及成員 姓名 學(xué)院/所學(xué)專業(yè) 入學(xué)/畢業(yè)時間 潘遠志 鄧敏航 楊添皓 電子與信息學(xué)部/自動化 2020/2024 陶佳怡 管理學(xué)院/大數(shù)據(jù)管理 2020/2024 林子涵 電氣工程學(xué)院/電氣工程及其自動化 2020/2024 袁子涵 電氣工程學(xué)院/電氣工程及其自動化 2020/2024 牟國瑜 電氣工程學(xué)院/電氣工程及其自動化 2020/2024 楊志鵬 能源與動力工程學(xué)院/強基（核工程與核技術(shù)） 2020/2024 田繼森 航天航空學(xué)院/工程力學(xué) 2020/2024 孫浩然 機械工程學(xué)院/機械工程 2020/2024 鄭力愷 電氣工程學(xué)院/電氣工程及其自動化 2019/2023 王羿淮 管理學(xué)院/工商管理 2019/2025 李青卓 材料科學(xué)與工程學(xué)院/材料科學(xué)與工程 2018/2023 四、指導(dǎo)教師 姓名 學(xué)院/所學(xué)專業(yè) 職務(wù)/職稱 研究方向 宋忠孝 材料學(xué)院/材料系 教授、博士生導(dǎo)師 核電領(lǐng)域；電化學(xué)、催化、電池領(lǐng)域；器件、封裝領(lǐng)域：高溫抗氧化燒蝕、高壓抗電弧燒蝕領(lǐng)域；輕量化領(lǐng)域硬質(zhì)涂層領(lǐng)域 王小華 電氣學(xué)院/電機電器及其控制 教授/博導(dǎo)，國家級人才計劃入選者（特聘教授），國家級青年人才計劃入選者（青年學(xué)者），教育部新世紀優(yōu)秀人才，陜西省青年科技標兵。西安交通大學(xué)未來技術(shù)學(xué)院/現(xiàn)代產(chǎn)業(yè)學(xué)院副院長、實踐教學(xué)中心（工程坊）副主任、教務(wù)處副處長、創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)學(xué)院副院長，CIGRE開關(guān)設(shè)備狀態(tài)評估工作組成員，中國電工技術(shù)學(xué)會電器智能化系統(tǒng)及應(yīng)用專委會委員 開關(guān)設(shè)備設(shè)計、狀態(tài)監(jiān)測與壽命評估 田高良 管理學(xué)院/會計與財務(wù) 教授、博士生導(dǎo)師 財務(wù)預(yù)警；內(nèi)部控制與風(fēng)險管理；資產(chǎn)評估；信用管理等 五、項目簡介 蘇州博志金鉆科技有限責(zé)任公司是一家專門從事高功率半導(dǎo)體封裝材料研發(fā)生產(chǎn)的公司。以先進的陶瓷表面金屬化技術(shù)為核心形成了包括（1）粉體表面改性；（2）熱壓燒結(jié)；（3）研磨、拋光；（4）陶瓷金屬化；（5）增厚、刻蝕；（6）預(yù)制金錫焊料；（7）激光切割等環(huán)節(jié)的完整高端熱沉材料生產(chǎn)體系。公司擁有完整的熱沉材料生產(chǎn)體系，致力于成為“國產(chǎn)化功率半導(dǎo)體器件熱沉材料領(lǐng)跑者”，為我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展添磚加瓦。 博志金鉆技術(shù)團隊在磁控濺射領(lǐng)域深耕二十余年，目前已經(jīng)實現(xiàn)氧化鋁、氮化鋁、氮化硅、單晶金剛石、單晶碳化硅覆銅板的量產(chǎn)，三英寸陶瓷覆銅板月產(chǎn)能10萬片，包括各類種子層方案，銅層厚度0.5-100um，表面無毛刺、劃痕、色差等異樣，350度加熱平臺烘烤5分鐘不起泡。博志金鉆目前蘇州主體工廠面積超過5000平米，含萬級潔凈間。擁有20余臺研磨拋光設(shè)備、10余臺燒結(jié)爐、4條臥式連續(xù)鍍膜設(shè)備、5臺立式鍍膜設(shè)備，以及超聲清洗、噴淋甩干等完善的配套設(shè)備。博志金鉆的工藝流程包括粉體表面改性、熱壓燒結(jié)、研磨/拋光、陶瓷金屬化、增厚/刻蝕、預(yù)制金錫焊料、激光切割，博志金鉆已經(jīng)建立了完善的產(chǎn)品生產(chǎn)管理及質(zhì)量監(jiān)控體系來進行管控，完成了包括ISO9001、14001等認證，并不斷完善產(chǎn)品檢測設(shè)備及手段，確保產(chǎn)品質(zhì)量穩(wěn)定。 公司積極進行產(chǎn)品迭代和技術(shù)儲備，在高功率半導(dǎo)體封裝材料研發(fā)生產(chǎn)領(lǐng)域有著二十余年研發(fā)經(jīng)驗。中國科學(xué)院院士孫軍教授和國家萬人計劃領(lǐng)軍人才宋忠孝教授作為本公司首席科學(xué)家領(lǐng)銜公司技術(shù)研發(fā)，進行陶瓷金屬化和半導(dǎo)體封裝基板領(lǐng)域關(guān)鍵技術(shù)的探索。潘遠志帶領(lǐng)公司與西安交通大學(xué)表面工程國際研發(fā)中心、金屬材料強度國家重點實驗室合作進行前沿技術(shù)開發(fā)，團隊與蘇州市產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院、高新區(qū)共同設(shè)立蘇州思萃材料表面應(yīng)用技術(shù)研究所，是公司的技術(shù)支持和組織依托。目前公司已完成天使輪、preA輪數(shù)千萬融資交割，公司投后估值逾2億元。

寬禁帶半導(dǎo)體硅基GaN器件以其高效率，高開關(guān)速度高工作溫度抗輻時等特點,成為當(dāng)前國際功率半導(dǎo)體器件與技術(shù)學(xué)科的研究前沿及熱點，也是業(yè)界普遍認可的性能卓越的下代功率半導(dǎo)體器件。而S基GaN因其S基特性.能夠突破新材料在發(fā)展初期的成本牦頸且易與S集成電路產(chǎn)業(yè)鏈匹配，因此兼具高性能與低成本的優(yōu)點在消費電子(如手機快沖與天線充電).數(shù)據(jù)中心與人工智能，無人駕駛與新能源汽車、5G通信等團家戰(zhàn)略新興領(lǐng)城具有巨大的應(yīng)用前景。電子科技大學(xué)功率集成技術(shù)實驗室自2008年起即開展硅基GaN功率器件與集成技術(shù)研究,圍繞硅基GaN兩大核心器件:增強型功率晶體管、功率整流器進行基礎(chǔ)研究與應(yīng)用技術(shù)開發(fā)。解決了增強型功率晶體管閾值電壓大范圍調(diào)控功率二圾管導(dǎo)通電壓調(diào)控與耐壓可靠性加查等關(guān)鍵技術(shù)瓶頸,研究成果為硅基GaN的產(chǎn)業(yè)化奠定了重要基礎(chǔ)。

       芯片功率器件測試平臺，以工程教育專業(yè)認證為引領(lǐng)參與高校專業(yè)建設(shè)，以信息化引領(lǐng)構(gòu)建學(xué)習(xí)者為中心的教育生態(tài)，培養(yǎng)集成電路硬件測試人才。為學(xué)生提供豐富的教學(xué)資源以及貼近現(xiàn)實的產(chǎn)業(yè)環(huán)境，支撐集成電路相關(guān)課程的教學(xué)與實訓(xùn)，且能進行項目開發(fā)和師資培訓(xùn)。

功率DMOS是一類重要的新型功率器件，具控制電路簡單、開關(guān)頻率高、可靠性好等優(yōu)點，因此廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、汽車電子、DC/DC轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域，市場需求巨大，目前在功率分立器件領(lǐng)域占據(jù)了最大的市場份額。本團隊在功率DMOS器件的研究方面有豐富的技術(shù)積累，開展了大量前沿性研究和產(chǎn)業(yè)化研究，目前本團隊在功率DMOS領(lǐng)域累計授權(quán)發(fā)明專利超過50項，能夠量產(chǎn)的產(chǎn)品型號近百種。

1. 痛點問題 功率半導(dǎo)體是支撐能源領(lǐng)域發(fā)展的核心部件。為實現(xiàn)3060雙碳目標，我國正在超常規(guī)推動新能源發(fā)電、大容量輸配電和電氣化交通等領(lǐng)域，對電壓等級4.5kV以上的功率器件需求急速增長。提高器件電壓和容量可以減少器件串并聯(lián)數(shù)量、縮減裝備體積和成本，是解決城市用地緊張、降低海上風(fēng)電平臺建設(shè)成本的關(guān)鍵。然而，受工作機理和制備工藝限制，IGBT器件最大功率等級為4.5kV/3kA和6.5kV/0.75kA，已接近瓶頸，無法滿足能源發(fā)展需求。因此，亟需更高電壓、更大容量、更高可靠性和更低制造成本的功率半導(dǎo)體器件解決方案。 2020年，中國功率半導(dǎo)體市場規(guī)模達2000億元，但90%以上依賴進口，尤其是4.5kV以上器件，近乎全部進口。亟需尋求自主可控的功率半導(dǎo)體器件國產(chǎn)替代方案。 2. 解決方案 本技術(shù)面向新能源發(fā)電和輸配電領(lǐng)域大容量、高可靠的需求，提出了自主化IGCT器件（集成門極換流晶閘管）的設(shè)計、制備和驅(qū)動控制方案，可以提高阻斷電壓和關(guān)斷電流能力、降低器件運行損耗，且可以結(jié)合應(yīng)用工況開展定制優(yōu)化，如改善器件防爆特性、解決高壓裝置中的驅(qū)動供電問題等，從而實現(xiàn)大容量、高可靠、低成本、高效率的能量管理和功率變換。 目前團隊已研制出4.5kV/5kA和6.5kV/4kA的IGCT器件，功率等級全面覆蓋IGBT，且具有向更大容量發(fā)展的潛力。與IGBT、MOSFET等晶體管器件相比，本技術(shù)提出的IGCT具有通態(tài)損耗低、耐受電壓高、可靠性高、抗干擾能力強等突出優(yōu)勢，符合能源發(fā)展趨勢，且制造工藝沿用基本沿用傳統(tǒng)的晶閘管路線，制造成本低，國內(nèi)工藝基礎(chǔ)好。

成果描述：現(xiàn)已裝車使用的金屬帶式無級變速器，由于金屬間摩擦系數(shù)的限定以及帶抗拉能力的制約，使得其在大扭矩傳遞中一直沒有獲得突破性進展。與金屬帶式無級變速器相比，牽引式半環(huán)面型無級變速器借助牽引油在輸入錐盤、傳力滾輪和輸出錐盤接觸區(qū)間的牽引性能傳遞運動和動力，極大地改善了接觸面間的摩擦條件，提高了半環(huán)面型無級變速器的承載能力，適用于中、大排量轎車。由于受牽引油剪切極限和運動構(gòu)件材料的抗彎曲強度極限的限制，僅由牽引式半環(huán)面型無級變速器傳遞的扭矩?zé)o法滿足工程機械作業(yè)時對大扭矩的需求。雙腔半環(huán)面型功率分流無級變速器通過功率分流在很大程度上克服了單腔半環(huán)面型無級變速器傳遞功率受牽引油傳遞扭矩極限限制的缺陷，滿足工程機械領(lǐng)域?qū)Υ笈ぞ氐男枨蟆Ｊ袌銮熬胺治觯焊鶕?jù)匹配的柴油機型號，該產(chǎn)品適用于40裝載機、18～22噸振動壓路機、80水泥拖泵、20～25噸挖掘機、160～180平地機等工程機械。由于實現(xiàn)了無級變速和大扭矩傳輸，減少了工人作業(yè)時頻繁換擋的疲勞感，減輕了工人的勞動強度，是工程機械發(fā)展的新趨勢。與同類成果相比的優(yōu)勢分析：匹配柴油機型號：YC6A200L-T20，標定功率：148kW，轉(zhuǎn)速：2200r/min 變速比：2.5~8； 輸出扭矩：1488~3324 . 國內(nèi)領(lǐng)先。

針對汽車電子、5G通訊基站、航空航天及電力電子設(shè)備等功率電子元器件難以在高溫、大電流/電壓、潮濕等惡劣工作環(huán)境下服役的難題，并且要求芯片封裝互連接頭尺寸更小、高溫穩(wěn)定性更好、可靠性更高，本團隊首次采用超聲輔助納米燒結(jié)的新型互連工藝，利用納米銀包銅顆粒作為焊料，成功獲得大功率器件高溫高可靠服役要求的互連接頭，為高功率芯片貼裝高導(dǎo)熱界面制造提供了新材料和新工藝。

隨著電子技術(shù)的不斷發(fā)展，電子器件和芯片性能的提高帶來電路及其芯片的散熱問題日益突出。研究表明：電子器件工作溫度在70～80℃水平時，每增加1℃，其可靠性就降低5%。同時由于芯片的不斷集成化和微型化，導(dǎo)致散熱量的迅速增加，傳統(tǒng)的冷卻技術(shù)已經(jīng)不能滿足散熱要求。本技術(shù)開發(fā)了一種制冷劑閃蒸噴霧高效冷卻循環(huán)系統(tǒng)，利用閃蒸霧化和相變傳熱技術(shù)，實現(xiàn)了低溫高效換熱，傳熱系數(shù)高達26533W/(m2·K)，表面溫度在低于60攝氏度熱流密度即可超過100W/cm2（而常規(guī)水冷條件下元器件表面溫度超過150攝氏度）。

本發(fā)明涉及光伏并網(wǎng)逆變器技術(shù)領(lǐng)域。包括由功率電路組成的功率逆變單元和逆變控制單元兩部分，功率逆變單元主要包括輸入EMI 濾波電路、交錯并聯(lián) Boost 升壓電路、采用混合器件的全橋逆變電路、輸出并網(wǎng)濾波電路，逆變控制單元主要包括電網(wǎng)相位檢測電路、采樣電路、及控制器。本發(fā)明采用雙級結(jié)構(gòu)，前級采用交錯并聯(lián) Boost升壓，減小了電流的波動，降低了輸出電壓紋波；后級逆變單元采用混合功率器件，有效減小了逆變損耗，提高系統(tǒng)效率

課題組基于NiO生長工藝和異質(zhì)PN的前期研究基礎(chǔ)（Weibing Hao, et.al., Applied Physics Letters, 118, 043501, 2021），設(shè)計了結(jié)終端擴展結(jié)構(gòu)（Junction Termination Extension, JTE），并優(yōu)化退火工藝，成功制備出耐高壓且耐高溫的氧化鎵異質(zhì)結(jié)二極管。