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一種基于漸變能量帶的雙面焊接激光設備
本發明公開了一種基于漸變能量帶的雙面焊接激光設備，包括 反光板支架以及依次平行放置且安裝在反光板支架上的第一矩形反光 板，第二矩形反光板和第三矩形反光板；第一矩形反光板和第三矩形 反光板關于第二矩形反光板對稱；第二矩形反光板的第一表面鍍有對 激光具有透過率為 T 的膜，第二矩形反光板的第二表面鍍有對激光的 全透膜；第一矩形反光板的第二表面鍍有對激光的全反膜，第三矩形 反光板的第一表面鍍有對激光的全反膜。本發明巧妙地利
華中科技大學
2021-04-14
一種基于硅基液晶的波長選擇開關
一種基于硅基液晶的波長選擇開關，屬于光交換器件，解決現 有基于硅基液晶的波長選擇開關輸出端口數量受到限制的問題。本發 明由設置在光路上的輸入單模光纖、偏振轉換組件、反射鏡、傅里葉 透鏡、衍射光柵、硅基液晶相位空間光調制器、自聚焦準直透鏡陣列 和輸出二維單模光纖陣列構成。本發明對需要交換的光束利用硅基液 晶相位空間光調制器實現二維偏轉，使波長選擇開關輸出光纖陣列的 光束由一維向二維轉化，能夠大幅度增加波長選擇開關輸出端
華中科技大學
2021-04-14
用于激光精密加工的266nm深紫外光源
具有高科技含量的激光精細、精密加工技術是激光行業的科技發展目標之一。然而，目前在激光精細、精密加工業中仍沿用準分子激光器作紫外光源。準分子激光器輸出的光束大而方，聚焦后光束質量差；其設備龐大、成本高；最大缺點是使用有毒氣體作工作介質，不利于安全和環保。目前國內外都致力于用四倍頻方法研制緊湊型深紫外固體激光器，把這種紫外光源安裝到激光設備上，就可以方便地進行激光精密加工和標識。 例如，在對金、銀等金屬進行激光焊接時，由于其對1μm以上光束反射率極高，一般在98%以上，所以，目前市場上的
南開大學
2021-04-14
一種基于憶阻器件的神經元電路
本發明公開了一種基于憶阻器件的神經元電路，本發明中，突 觸陣列的憶阻器選用部分易失性雙極性電阻轉變器件，表達神經元膜 電位的憶阻器選用易失性電阻轉變器件，構建神經元電路，并具有突 觸基本單元。該神經元電路能夠實現生物神經元中的整合放電功能， 表達出局部分級電位，突觸具有部分易失性，可以表達活動時序相關 的可塑性，與生物學上神經元與突觸在信息存儲、傳遞與處理方面有 極大相似性。本發明可以為硬件模擬大腦神經網絡結構提供基
華中科技大學
2021-04-14
基于模分復用的自相干光纖通信系統
本發明公開了一種基于模分復用的自相干光纖通信系統，光載 波輸入單元、光信號調制單元、波分復用單元、模分復用和解復用單 元、波分解復用單元及相干接收單元；模分復用和解復用單元包括通 過少模光纖連接的模式復用器和模式解復用器；光載波輸入單元依次 通過單模光纖連接各光信號調制單元、波分復用單元和模式復用器， 模式復用器通過少模光纖連接模式解復用器，模式解復用器通過單模 光纖連接波分解復用單元及各相干接收單元；光載波輸入單元
華中科技大學
2021-04-14
一種基于憶阻器的聯想記憶電路
本發明公開了一種基于憶阻器的聯想記憶電路，包括憶阻器、 第一電阻、第二電阻和運算比較器；第一電阻和憶阻器依次串聯在運 算比較器的第一輸入端，憶阻器的非串聯連接端作為聯想記憶電路的 第一輸入端；第一電阻和憶阻器的串聯連接端作為聯想記憶電路的第 二輸入端；第二電阻的一端連接至運算比較器的第一輸入端，第二電 阻的另一端接地；運算比較器的第二輸入端用于連接參考電壓，運算 比較器的輸出端作為聯想記憶電路的輸出端；聯想記憶電路的
華中科技大學
2021-04-14
一種模塊化脈沖晶閘管的壓裝結構
本發明公開了一種模塊化脈沖晶閘管的壓裝結構，包括上壓裝 盤、下壓裝盤、上引出線盤、下引出線盤、壓裝螺栓、緩沖元件、絕 緣拉桿、保護電路模塊、觸發電路模塊、線纜端子接入螺孔和外保護 罩；在上壓裝盤與所述上引出線盤之間、所述下壓裝盤與所述下引出 線盤之間均安裝有緩沖元件。上、下壓裝盤之間壓裝有一系列串、并 聯在一起的單個晶閘管可控硅開關，壓裝力依賴上、下壓裝盤之間的 若干根棒型絕緣拉桿的拉緊來實現，上、下壓裝盤上有固定棒型絕緣拉桿的螺柱或內螺紋孔，螺柱或內螺紋孔均勻分布在壓裝盤上，呈對 稱布局。&nbs
華中科技大學
2021-04-14
異構并行系統下時間能耗權衡優化的任務調度算法
本發明提出了一種基于時間-能耗重要性比重的并行任務調度算 法，在滿足時間和能耗的雙重限制下，實現異構并行系統下任務所用 時間和能耗的權衡優化。本發明考慮到實際情況中任務受各種因素的 影響，執行時間不是固定且確定的，而是近似于正態分布，因此在確 定任務調度順序時，不采用以往技術中使用執行時間平均值的方法， 而是將執行時間的平均值和方差同時考慮進來使用近似權重。在任務 分配階段，同時考慮時間和能耗這兩個性能指標，并能根據
華中科技大學
2021-04-14
一種具有耦合電感的多電平級聯逆變器
本發明公開了一種具有耦合電感的多電平級聯逆變器，其中， 有 N 個逆變單元并聯，每個單相 H 橋對應一個耦合電感，N≥2，且 N 為自然數；同一個單相 H 橋逆變單元的左橋臂側的上橋臂是第一功率開關管，同一個逆變單元的左橋臂側的下橋臂是第二功率開關管，同 一個單相 H 橋單元的右橋臂側的上橋臂是第三功率開關管，同一個單 相 H 橋單元的右橋臂的下橋臂是第四功率開關管，第一功率管、第二 功率管、第三功率管和第四功率管均為絕緣柵雙極性晶體管 IGBT；N 個耦合電感以循環對稱的結構連接。本發明在無需復雜
華中科技大學
2021-04-14
一種 LED 倒裝芯片的圓片級封裝結構
本實用新型公開了一種 LED 倒裝芯片的圓片級封裝結構，包括LED 倒裝芯片、硅基板、透鏡、印刷電路板和熱沉；硅基板正面加工有放置芯片的凹腔，凹腔底部的長度與芯片的長度相同；硅基板的反面加工有兩組通孔，兩通孔與凹腔相連通；在凹腔和兩通孔的表面沉積有絕緣層；凹腔表面的絕緣層上沉積有散熱金屬層和反光金屬層；兩通孔內填充有金屬體，通孔內的金屬體與凹腔表面的散熱金屬層相接；凹腔內底部的兩金屬層存在一開口，用于將該金屬層隔離為兩部分；硅基板的反面沉積有絕緣層，該絕緣層表面布線用于電極連接的金屬層；凹腔內涂覆有
華中科技大學
2021-04-14