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植入式/非植入式神經(jīng)功能刺激器
復(fù)合功能腦深部刺激器及 MEMS 腦電極：本課題組針對(duì) MEMS 腦電極及其配套腦起搏器極端制造技術(shù)中的諸多關(guān)鍵難題，開(kāi)展了如下研究：環(huán)形腦電極的鍵合、封裝等工藝，制造了環(huán)形腦電極樣品；MEMS 硅基腦電極的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及制造工藝、鍵合方法和封裝工藝，制造了硅基腦電極樣品；螺旋微導(dǎo)線和轉(zhuǎn)接線的制造工藝，制造了樣品；植入式顱內(nèi)壓傳感器的制造和封裝工藝，制造出顱內(nèi)壓微傳感器樣品；經(jīng)皮無(wú)線能量傳輸供電的關(guān)鍵技術(shù)和方法，制造出穩(wěn)定地?zé)o線供電裝置；植入裝置與體外控制裝置之間的無(wú)線通訊方法研究及其實(shí)用裝置；腦深部神經(jīng)核團(tuán)信號(hào)采集方法研究及其實(shí)用裝置；植入式腦起搏器的封裝工藝和方法。
西安交通大學(xué)
2021-04-11
第四批“全國(guó)高校黃大年式教師團(tuán)隊(duì)”擬入圍名單公示！
200個(gè)團(tuán)隊(duì)擬入圍！
云上高博會(huì)
2025-08-20
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一種石墨烯/銀量子點(diǎn)/氮化鎵雙向發(fā)光二極管
本實(shí)用新型公開(kāi)了一種石墨烯/銀量子點(diǎn)/氮化鎵雙向發(fā)光二極管，該發(fā)光二極管是自下而上依次有藍(lán)寶石襯底層或硅襯底層、氮化鎵層、銀量子點(diǎn)層、石墨烯層，在氮化鎵層上還設(shè)有側(cè)面電極，在石墨烯層上設(shè)有正面電極，所述的氮化鎵層厚度為2～10μm；本實(shí)用新型的石墨烯/銀量子點(diǎn)/氮化鎵雙向發(fā)光二極管利用銀量子點(diǎn)表面等離子體增強(qiáng)發(fā)光，同時(shí)結(jié)合石墨烯材料的高透光性、高導(dǎo)電性和氮化鎵優(yōu)異的發(fā)光性能，正反偏壓下均可發(fā)光且波段多樣，亮度高，制備工藝簡(jiǎn)單，成本低。
浙江大學(xué)
2021-04-13
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一種常溫條件下大批量制備疏水性碳量子點(diǎn)的方法
本發(fā)明為一種常溫條件下大批量制備疏水性碳量子點(diǎn)的方法，公開(kāi)了一種可在室溫、常壓條件下，大規(guī)模制備疏水性碳量子點(diǎn)的方法。此方法以烷基吡啶鹽為碳源和保護(hù)劑，在其溶液中加入強(qiáng)堿，常溫常壓條件下靜置，即可生成具有綠色熒光的疏水性碳量子點(diǎn)。整個(gè)制備過(guò)程在室溫及常壓條件下完成，操作簡(jiǎn)單，成本低，且具有較高的產(chǎn)率，可用于大規(guī)模合成疏水性碳量子點(diǎn)。制備的碳量子點(diǎn)具有低毒、較強(qiáng)的熒光和較高的光穩(wěn)定性，因此在制備熒光油漆、熒光涂料及熒光纖維生產(chǎn)等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。
四川大學(xué)
2016-09-12
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可任意尋址操縱的超導(dǎo)量子計(jì)算機(jī)芯片設(shè)計(jì)及可行性論證
本項(xiàng)目提出一種基于數(shù)據(jù)總線工作模式可切換的超導(dǎo)量子計(jì)算機(jī)芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)(發(fā)表于國(guó)際一流期刊PRB，2005)，相比于美國(guó)Google公司、IBM公司、加拿大D-Wave公司的超導(dǎo)量子計(jì)算機(jī)芯片而言，具有更強(qiáng)的糾錯(cuò)和避錯(cuò)品質(zhì)，更易于實(shí)現(xiàn)大規(guī)模陣列集成。
一、項(xiàng)目分類
重大科學(xué)前沿創(chuàng)新
二、成果簡(jiǎn)介
提出一種基于數(shù)據(jù)總線工作模式可切換的超導(dǎo)量子計(jì)算機(jī)芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)(發(fā)表于國(guó)際一流期刊PRB，2005)，相比于美國(guó)Google公司、IBM公司、加拿大D-Wave公司的超導(dǎo)量子計(jì)算機(jī)芯片而言，具有更強(qiáng)的糾錯(cuò)和避錯(cuò)品質(zhì)，更易于實(shí)現(xiàn)大規(guī)模陣列集成。技術(shù)上已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了全國(guó)產(chǎn)設(shè)備工藝線上，芯片電路單元核心器件-約瑟夫森結(jié)和共面波導(dǎo)超導(dǎo)諧振器的自行設(shè)計(jì)制造，在極低溫環(huán)境下完成了單元器件性能的標(biāo)定和檢驗(yàn)。
西南交通大學(xué)
2022-09-13
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發(fā)現(xiàn)全無(wú)機(jī)鹵化物鈣鈦礦CsPbBr3量子點(diǎn)具有出色的鐵電性
合成了立方相CsPbBr3量子點(diǎn)，屬于空間群，其結(jié)構(gòu)中心對(duì)稱，不具有鐵電性。當(dāng)溫度降低到低于263 K時(shí)，量子點(diǎn)發(fā)生相轉(zhuǎn)變。該相轉(zhuǎn)變是可逆的，升高溫度超過(guò)298 K時(shí)，重新轉(zhuǎn)變?yōu)榱⒎较唷Ｍㄟ^(guò)X-射線衍射圖譜精修和高分辨透射電鏡分析發(fā)現(xiàn)，低溫處理使鈣鈦礦由立方相轉(zhuǎn)變?yōu)榉侵行膶?duì)稱的正交相，屬于Pna21空間群。結(jié)構(gòu)分析表明，正交相CsPbBr3中，[PbBr6]4-八面體發(fā)生畸變，Cs+偏離中心位置，使得正電荷和負(fù)電荷的中心不重合，預(yù)
南方科技大學(xué)
2021-04-14
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一種摻雜硅量子點(diǎn)發(fā)光二極管器件及其制備方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種摻雜硅量子點(diǎn)發(fā)光二極管，包括硅襯底，沉 積銀納米顆粒層，以及在銀納米顆粒結(jié)構(gòu)上沉積多層分布均勻且包含 摻雜硅量子點(diǎn)的 SiNx 薄膜，透明導(dǎo)電薄膜 AZO 層以及 Si3N4 鈍化層。 還公開(kāi)了該發(fā)光二極管的制備方法，利用摻雜硅量子點(diǎn)-SiNx 薄膜的電 致發(fā)光特性，構(gòu)成發(fā)光二極管的發(fā)光有源層；利用摻雜可以鈍化量子 點(diǎn)，同時(shí)摻雜硅量子點(diǎn)與硅襯底形成的 p-n 結(jié)增強(qiáng)電子空穴的輻射復(fù) 合。此外，利用銀納
華中科技大學(xué)
2021-04-14
量子谷Berry Phase的拓?fù)渎曌討B(tài)在二維六角晶格材料
徐虎課題組發(fā)現(xiàn)具有量子谷Berry Phase的拓?fù)渎曌討B(tài)在二維六角晶格材料中普適存在。隨著研究的深入，拓?fù)洳牧系姆诸愒絹?lái)越豐富和多樣化。到目前為止，拓?fù)洳牧系难芯恐饕性谫M(fèi)米子相關(guān)的系統(tǒng)。隨著研究水平的進(jìn)一步發(fā)展，拓?fù)涞牟Ｉ酉到y(tǒng)也越來(lái)越引起人們的關(guān)注，例如光子晶體、聲子晶體等人工晶體中的拓?fù)洮F(xiàn)象等。但是，固體中的THz頻率段的拓?fù)渎曌拥难芯肯鄬?duì)緩慢。理論研究表明，拓?fù)渎曌訉?duì)研究量子聲子霍爾效應(yīng)、拓?fù)渎曌訜崞骷染哂兄匾饔谩Ｒ虼耍诂F(xiàn)實(shí)材料中尋找拓?fù)渎曌討B(tài)是相關(guān)領(lǐng)域亟待解決的問(wèn)題。 在研究中，徐虎課題組研究人員采用基于密度泛函理論的晶格動(dòng)力學(xué)計(jì)算，根據(jù)二階力常數(shù)矩陣構(gòu)造類似于電子系統(tǒng)的緊束縛哈密頓量，從而可以獲得聲子系統(tǒng)的Berry 相和拓?fù)溥吘墤B(tài)。在此基礎(chǔ)上，他們結(jié)合高通量計(jì)算，發(fā)現(xiàn)具有量子谷Berry相的Dirac聲子態(tài)在二維六角晶格材料中普適存在(圖3a)。研究結(jié)果對(duì)進(jìn)一步研究拓?fù)渎曌討B(tài)以及其實(shí)際應(yīng)用具有重要作用。 近兩年，徐虎課題組致力于拓?fù)洳牧系睦碚擃A(yù)測(cè)和設(shè)計(jì)方面的研究工作，以南方科技大學(xué)物理系為第一單位發(fā)表1篇Phys. Rev. Lett.，1篇Nano Lett.和8篇Phys. Rev. (其中5篇為Phys. Rev. B Rapid Communications)。
南方科技大學(xué)
2021-04-13
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一種強(qiáng)穩(wěn)定性樹(shù)枝盒狀溴化物鈣鈦礦量子點(diǎn)制備方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種強(qiáng)穩(wěn)定性樹(shù)枝盒狀溴化物鈣鈦礦量子點(diǎn)制備方法，該量子點(diǎn)材料為聚酰胺胺樹(shù)狀分子(PAMAM)包裹的CH3NH3PbBr3，結(jié)構(gòu)式為PAMAM?CH3NH3PbBr3。其制備方法包括如下步驟：
(1)以官能團(tuán)為羧基的PAMAM和正辛胺作為配體輔助制備PAMAM CH3NH3PbBr3前驅(qū)體溶液；
(2)將前驅(qū)體溶液轉(zhuǎn)換到甲苯中，搖勻形成PAMAM CH3NH3PbBr3量子點(diǎn)。
本發(fā)明使用一鍋法制備鈣鈦礦量子點(diǎn)，簡(jiǎn)單易操作，原料供給方便，在一般實(shí)驗(yàn)室均能完成，易于推廣。
東南大學(xué)
2021-04-11
靜壓氣體止推軸承氣膜面的氣體壓強(qiáng)分布測(cè)量裝置及方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種靜壓氣體止推軸承氣膜面的氣體壓強(qiáng)分布測(cè) 量裝置及方法，該測(cè)量裝置沿光路方向依次包括準(zhǔn)直光源、起偏鏡、 1/4 波片、前透明方塊、光彈性薄片、后透明方塊、1/4 波片、檢偏鏡 和成像記錄儀，所述光彈性薄片采用受應(yīng)力產(chǎn)生雙折射現(xiàn)象的透明光 彈性材料制成，固定在前后透明方塊之間，并置于供氣狀態(tài)的止推軸承氣膜之下；所述測(cè)量方法采用單色光通過(guò)起偏鏡和 1/4 波片后垂直 入射到光彈性薄片，并經(jīng)過(guò)第二個(gè) 1/4 波片和檢偏鏡后產(chǎn)生明暗相間 的干涉條紋，用成像記錄儀記錄光彈性條紋，經(jīng)過(guò)計(jì)算和標(biāo)定反
華中科技大學(xué)
2021-04-14