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本發(fā)明公開了一種非均勻吸收率固態(tài)熱機(jī)光?電轉(zhuǎn)換或熱?電轉(zhuǎn)換裝置和方法，該裝置包括透鏡、旋轉(zhuǎn)遮光板、固態(tài)熱機(jī)、橋式整流電路以及可充電電容；固態(tài)熱機(jī)為由導(dǎo)電膜、熱釋電膜和導(dǎo)電振動(dòng)膜依次粘連復(fù)合而成的工質(zhì)，導(dǎo)電膜局部表面覆蓋一層著色涂料；光波經(jīng)透鏡后產(chǎn)生的聚焦光束經(jīng)旋轉(zhuǎn)遮光板的調(diào)制形成光脈沖，光脈沖照射在導(dǎo)電層表面周期性加熱固態(tài)熱機(jī)，在光波照射下的固態(tài)熱機(jī)的導(dǎo)電層上形成高能量密度空間和低能密度空間，高、低能量密度空間相接觸的位置形成突變的熱梯度，產(chǎn)生應(yīng)力突變強(qiáng)化了光能或熱能向機(jī)械能轉(zhuǎn)化的效應(yīng)，促進(jìn)固態(tài)熱機(jī)發(fā)生熱釋電效應(yīng)，輸出交流電經(jīng)橋式整流電路后向可充電電容供電。熱電轉(zhuǎn)換效果好，經(jīng)濟(jì)成本低。

終末分化的體細(xì)胞可以通過SCNT或者誘導(dǎo)性多能干細(xì)胞（iPS）技術(shù)，重編程至全/多能性的狀態(tài)。與SCNT和iPS技術(shù)相比，化學(xué)小分子誘導(dǎo)（CiPS）僅使用化學(xué)小分子就能使普通體細(xì)胞發(fā)生重編程，逆轉(zhuǎn)為多潛能干細(xì)胞。CiPS技術(shù)不僅簡單，而且不受試驗(yàn)材料限制及不涉及倫理方面的問題，因此CiPS具有更廣泛的科研、臨床及育種應(yīng)用價(jià)值。然而，CiPS的誘導(dǎo)耗時(shí)長且效率低，如何提高CiPS的誘導(dǎo)效率，是化學(xué)誘導(dǎo)細(xì)胞重編程領(lǐng)域亟待解決的問題之一。 本研究針對哺乳動(dòng)物SCNT和CiPS介導(dǎo)的體細(xì)胞重編程效率低與克隆動(dòng)物出生率低等關(guān)鍵科學(xué)問題，利用課題組在2018年自主研發(fā)的“胚胎ZGA實(shí)時(shí)監(jiān)測系統(tǒng)”，結(jié)合siRNA-repressor和mRNA-inducer技術(shù)，對16種“合子基因組調(diào)控因子（ZGA-regulator）”進(jìn)行篩選。結(jié)果發(fā)現(xiàn)，Dux、Dppa2和Dppa4在體細(xì)胞重編程的早期階段發(fā)揮關(guān)鍵作用。如用CRISPR-Cas9敲除Dux，克隆胚胎將完全被阻斷在2-細(xì)胞時(shí)期。只有在瞬間過表達(dá)Dux（tOE-Dux），使其符合內(nèi)源Dux時(shí)空特性時(shí)，才能提高核移植重編程效率，我們將這種方法稱為D-SCNT。此外，D-SCNT結(jié)合干擾DNA甲基化酶（si-Dnmts）能夠進(jìn)一步提高克隆動(dòng)物的出生率。研究還發(fā)現(xiàn)，特異性過表達(dá)Dux可以顯著提高CiPS的細(xì)胞重編程效率和提高干細(xì)胞的多能性，并對相關(guān)機(jī)制做了闡釋。 該研究首次揭示了ZGA調(diào)控因子Dux在體細(xì)胞重編程中的作用機(jī)制，時(shí)空特異性過表達(dá)Dux可大幅度提高克隆效率和化學(xué)小分子誘導(dǎo)多能干細(xì)胞的建系效率，為干細(xì)胞的再生醫(yī)學(xué)與生物工程應(yīng)用提供了新的途徑。

本成果來自國家科技計(jì)劃項(xiàng)目，獲國家發(fā)明專利授權(quán)。該發(fā)明獲得的光控油水浸潤性可逆轉(zhuǎn)換的SiO2/TiO2復(fù)合涂層在功能納米界面材料研究領(lǐng)域具有重要意義。這項(xiàng)研究成果在基因傳輸、無損失液體輸送、微流體、生物芯片、藥物緩釋、石油化工、建筑材料等領(lǐng)域具有極為廣闊的應(yīng)用前景。

本發(fā)明屬于偏振檢測設(shè)備領(lǐng)域，并公開了一種針對偏振光束與 磁光材料作用下偏振態(tài)時(shí)間分辨譜的檢測系統(tǒng)，該檢測系統(tǒng)包括高壓 脈沖發(fā)生器、火花隙、電光 Q 開關(guān)、連續(xù)激光器、飛秒激光器、聚光 透鏡、第一偏振棱鏡、第二偏振棱鏡和偏振測量儀；連續(xù)激光器用于 產(chǎn)生連續(xù)激光；第一偏振棱鏡用于使所述連續(xù)激光的 P 偏振光通過； 飛秒激光器產(chǎn)生的脈沖激光可打開電光 Q 開關(guān)，從而讓所述測量光束 依次穿過電光 Q 開關(guān)、第二偏振棱鏡后和磁

本發(fā)明公開了一種雙碟片串接的泵浦光多程傳輸系統(tǒng)，該系統(tǒng) 包括第一離軸拋物面反射鏡，第一直角反射鏡組，其位于所述第一離 軸拋物面反射鏡的反射光路上；第一碟片激光晶體，置于第一離軸拋 物面反射鏡焦點(diǎn)處；球面反射鏡，第二離軸拋物面反射鏡，其與所述 第一離軸拋物面反射鏡相對于過所述球面鏡球心的平面α對稱設(shè)置； 第二直角反射鏡組，其位于所述第二離軸拋物面反射鏡反射光路上； 第二碟片激光晶體，其與所述第一碟片激光晶體相對于過所述

光動(dòng)力治療（Photodynamic Therapy, PDT）是近年來興起的一種治療惡性腫瘤新模式，局部病灶選擇性攝取光敏劑并給予適當(dāng)波長的光照，通過光敏劑介導(dǎo)產(chǎn)生自由基導(dǎo)致氧化損傷，引起靶細(xì)胞的凋亡和壞死。

有機(jī)無機(jī)雜化鈣鈦礦以其光吸收系數(shù)高、載流子擴(kuò)散距離長、制備方法簡單、帶隙連續(xù)可調(diào)等特性，被廣泛認(rèn)為是發(fā)展下一代光伏器件的理想材料。自2009年以來，僅僅歷經(jīng)10年的發(fā)展時(shí)間，鈣鈦礦太陽能電池的能量轉(zhuǎn)化效率已經(jīng)達(dá)到25.2%，發(fā)展速度為各類太陽能電池之最。但是，由于鈣鈦礦太陽能電池當(dāng)前面臨的熱穩(wěn)定性、長時(shí)間工作穩(wěn)定性等問題，嚴(yán)重阻礙了其商業(yè)化應(yīng)用發(fā)展。針對此問題，北京大學(xué)物理學(xué)院趙清教授課題組利用材料工程方法，設(shè)計(jì)提出了富溴鈣鈦礦籽晶誘導(dǎo)生長兩步法，實(shí)現(xiàn)了鈣鈦礦薄膜中溴離子的高效摻雜，有效提高了鈣鈦礦太陽能電池的長時(shí)間工作穩(wěn)定性。 通過在碘化鉛薄膜中引入微米級富溴鈣鈦礦籽晶，一方面提供后續(xù)鈣鈦礦生長所需的成核位點(diǎn)、誘導(dǎo)薄膜生長、提高薄膜生長質(zhì)量，另一方面為鈣鈦礦生長提供充足的溴元素，解決兩步法中溴離子難以有效摻雜的問題。通過改變鈣鈦礦籽晶的添加量，可以實(shí)現(xiàn)對鈣鈦礦成核、晶粒大小、缺陷態(tài)密度等的精確調(diào)控，實(shí)現(xiàn)對最終鈣鈦礦成分與帶隙的精準(zhǔn)控制。測試表明，利用富溴鈣鈦礦籽晶誘導(dǎo)生長兩步旋涂法制備得到的鈣鈦礦太陽能電池器件，其能量轉(zhuǎn)化效率可以達(dá)到21.5%；更為重要的是，其長時(shí)間工作穩(wěn)定性得到了顯著提高，在AM1.5G太陽光下持續(xù)工作500小時(shí)后，仍然能保持超過80%的初始效率。這一成果遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過傳統(tǒng)兩步法僅有的數(shù)小時(shí)穩(wěn)定性。該研究表明，溴元素對鈣鈦礦材料長時(shí)間工作穩(wěn)定性具有至關(guān)重要的作用，同時(shí)，提供了一條簡單、高效、穩(wěn)定的基于鈣鈦礦兩步法的溴摻雜方法。此研究將為鈣鈦礦領(lǐng)域內(nèi)鹵素離子的均勻高效摻入、器件長時(shí)間工作穩(wěn)定性的提高等問題提供了新的思路。相關(guān)研究結(jié)果發(fā)表于Advanced Energy Materials 9, 1902239 (2019),并被選為當(dāng)期封底圖片。北京大學(xué)博士生李琪為該研究論文的第一作者，趙清教授為通訊作者。以上研究得到了國家自然科學(xué)基金委、北京大學(xué)人工微結(jié)構(gòu)和介觀物理國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、北京大學(xué)納光電子前沿科學(xué)中心、量子物質(zhì)科學(xué)協(xié)同創(chuàng)新中心等單位的支持。

大氣壓低溫等離子體材料表面改性是一種新型的表面改性方法，這種方法可以有效地改善材料表面性能，且憑借其獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn)使其具有其它傳統(tǒng)方法不可比擬的優(yōu)勢，是一項(xiàng)值得深入研究的有廣闊應(yīng)用前景的技術(shù)。本項(xiàng)目采用大氣壓低溫等離子體改性PTFE材料，替代傳統(tǒng)的濕法化學(xué)處理方法，從而提高其表面的粘接性、吸濕性、可染色性、及生物相容性等性能，開發(fā)出適合對PTFE表面處理的高放電均勻性、高放電電離效率和大面積的均勻等離子體在線清潔處理技術(shù)，從而達(dá)到對PTFE表面改性的有效調(diào)控，取代傳統(tǒng)的化學(xué)表面處理方法，推動(dòng)相關(guān)產(chǎn)業(yè)的技

本發(fā)明公開了一種高靈敏的ZnO/AlN核鞘納米棒陣列紫外光探測器的制備方法，包括如下步驟：在藍(lán)寶石襯底上生長ZnO納米棒陣列；采用磁控濺射法在ZnO納米棒上濺射不同厚度的AlN鞘層薄膜；采用濺射法或者電子束蒸鍍分別在ZnO/AlN核鞘納米棒陣列兩端制備具有歐姆接觸的金屬電極，構(gòu)成完整的器件。本發(fā)明通過簡單的磁控濺射方法，控制濺射時(shí)間，在ZnO納米棒上生長不同厚度、表面光滑均一的AlN鞘層薄膜，制備的ZnO/AlN核鞘光探測器件不僅具有更好的紫外光響應(yīng)，在360nm紫外光照射下，電壓為5V時(shí)，明暗電流比為5.5×103，提高了一個(gè)數(shù)量級，同時(shí)具有更快速的響應(yīng)和恢復(fù)時(shí)間，分別是0.883和0.956s。