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調諧外腔式半導體激光器
半導體激光器由于體積小、效率高、結構簡單、便于調諧等優點，在工業、軍事、科研以及家電等領域發揮越來越重大作用，已成為重要的基礎器件。 項目研制和開發了半導體激光器系列產品，主要包括: 1、可調諧外腔半導體激光器 激光器二極管(LD)發出的光經準直透鏡后平行入射到外腔閃耀光柵上，經光柵分光得到一級衍射光和零級光。一級衍射光反饋回外腔與有源區光場相互作 用，實現壓窄線寬、降低噪聲目的;零級光經聚焦透鏡后作為輸出光，調整光柵 的角度可實現波長的調諧。產品覆蓋從 762 到 795 納米(nm)各種波長，輸出功 率 50~100 毫瓦(mW)，線寬<500 kHz，可用于工業測量、光通信、光信息處理、 激光光譜學等。2、外腔半導體激光器穩頻系統通過調制激光器的外腔、激光管的注入電流等得到激光光譜信號，處理后得 到參考譜線中心頻率兩側極性相反的穩頻誤差控制信號，將激光頻率鎖定在參考 譜線中心附近。激光穩頻在精密干涉測量、光頻標、光通信、激光陀螺及其精密光譜研究等 領域中有廣泛應用。產品可實現三種激光穩頻，將線寬限制在 100kHz 左右。主 要有:(1)飽和吸收鎖——鎖峰: 產品精度高且易于操作。利用飽和吸收峰將激光 器精確鎖在某一固定頻率上。(2)FP 腔鎖——鎖峰:產品使用非常方便。通過改變 FP 腔的腔長實現一定 范圍的波長掃描。(3)PID 電路鎖——鎖邊:產品簡單易用，用于對精度要求不高的鎖頻應用。 3、外腔半導體激光放大器 放大器可對入射激光進行放大，同時保持注入光的偏振、線寬和波長等物理特性不變。產品輸入光功率 10 mW~50 mW, 放大倍數 13dB, 輸出功率 500mW~ 1000mW,增益帶寬 30nm。
西安交通大學
2021-04-11
單芯片高光束質量光子晶體激光器
可以量產/n波長范圍905-1064nm、水平、垂直發散角<10度；直流輸出功率>5W;窄脈沖輸出功率>20W;光子晶體激光器模塊窄脈沖輸出功率>130W；并與傳統半導體激光器工藝相兼容。此外還開展了808nm、980nm和1064nm等波段光子晶體激光器研究。“先進半導體光子晶體激光器技術研究”獲得2013年度北京市科學技術獎二等獎，光子晶體高功率高亮度激光器被評為“2014中國光學重要成果”。市場預期：半導體激光器的應用范圍覆蓋了整個光電子學領域，已成為當今光電子科學的核
中國科學院大學
2021-01-12
工業用高功率超短脈沖光纖激光器
北京工業大學
2021-04-14
GY-3型 He－Ne激光器
產品詳細介紹物理實驗用激光電源
波長632.8nm
發射功率大于1.5mW
一種單一波長的光源
可用于幾何光學實驗
干涉、衍射等光學實驗
包括激光器和配套電源箱
天津市兆仟科技發展有限公司
2021-08-23
1.15級聯振蕩Er*:ZBLAN光纖激光器
項目成功開發了級聯振蕩Er*:ZBLAN光纖激光器，采用基于多色鏡技術的F-P腔和全固態LD反向泵浦技術獲”了2.8um 和1.6um雙波段激光輸出，由于2.8ym波長的激光可進行精確切割而1.6um波長的激光可凝結止血，因此同時輸出此兩個波段的激光器可用于開發多用途的激光醫療系統。同時這兩個波段的激光在光電對抗、激光通信、空間探測、科研測量等方面都有良好的應用前景。項目在實施過程中申報國家專利5項，已獲發明專利授權3項、實用新型專利授權1項;發表科研論文8篇，其中被SCI收錄7篇。
長春理工大學
2021-04-26
可調諧外腔式半導體激光器
西安交通大學
2021-04-10
兩種有源光纖棒單模輸出激光器
螺旋耦合摻稀土光纖棒單模輸出激光器（專利號：200810118083.9）。它包括泵浦源與單模摻稀土光纖、摻稀土光纖棒；泵浦源對光纖光柵、光纖光柵與單模摻稀土光纖構成的激光器進行泵浦；泵浦源對摻稀土光纖棒進行泵浦，將光纖光柵與光纖光柵、單模摻稀土光纖連接在一起，置入在摻稀土光纖棒包層上刻的螺旋槽內，其中置入槽內的光纖光柵、單模摻稀土光纖部分或全部包層去掉，對槽進行封裝，并對摻稀土光纖棒兩端端面光滑處理，通過內部強耦合，使摻稀土光纖棒諧振在光纖光柵、單模摻稀土光纖構成的激光器產生的激光波長上，實現主動鎖相，從而實現單模激光超亮度大功率輸出。 種子激光注入式有源光纖棒單模激光器（專利號：200810118082.4），它包括泵浦源、單模種子光纖激光器、摻稀土離子光纖棒、光纖；其中泵浦源對摻稀土離子光纖棒進行泵浦；光纖的一端與單模種子光纖激光器的輸出端連接，另一端去掉部分或全部包層的光纖置入摻稀土離子光纖棒包層或摻稀土離子光纖棒芯內的孔中，其后對摻稀土離子光纖棒進行熱處理，使孔無空氣間隙。由于光纖與摻稀土離子光纖棒芯之間的強耦合，使得摻稀土離子光纖棒諧振在單模種子光纖激光器產生的激光波長上，從而實現單模激光超亮度大功率輸出。
北京交通大學
2021-04-13
InP?基?2?微米波段半導體激光器
可以量產/nInP基In(Ga)As量子阱在材料制備及器件工藝制作方面具有諸多優勢。除了具 有高質量，低成本的襯底材料，InP基激光器因其兼容傳統通訊用激光器的成熟工 藝，且易與其它器件實現集成等優勢而具有更好的工業應用前景。我們擁有采用 MOCVD制備大晶格失配In(Ga)As/InP量子阱外延芯片、半導體激光器工藝制作以及 器件測試封裝的全套技術。我們制備的激光器外延芯片波長可精確調控，其面內波 長不均勻性低至±3nm，相應的激光器件性能指達到國際先進水平。 目前市場對2微米激光器的應用需求主要
中國科學院大學
2021-01-12
大功率、高純度、高階LG模式激光器
本項目的提出主要是為了解決LG光束產生方面的困難。主要研究內容是周期極化鈮酸鋰晶體中高質量LG光束的高效產生和有效調控，主要目標是拓展LG光束的波長（特別是在傳統方法難以工作的藍光和近紫外波段）、實現高階LG光束的有效產生和提高LG光束的質量（包括純度、強度等）。我們將利用周期極化鈮酸鋰晶體這一特色材料，設計新型的相位匹配機制，輔助以光學諧振腔，通過高效非線性光學混頻過程來產生不同波長的高質量LG光束。與同行工作相比，我們的特色在于可以發展各種新型相位匹配機制，立足自主研發的多重準相位匹配理論和非線
南京大學
2021-04-14
基于氧化鋅納米棒的隨機激光器
本實用新型涉及一種基于氧化鋅納米棒的隨機激光器，屬于隨機激光器領域。該隨機激光器包括泵浦激光器、反射鏡、柱透鏡；還包括基于氧化鋅納米棒的隨機激光增益介質；所述隨機激光增益介質由鋅金屬薄片、微米級鋅金屬結構、氧化鋅納米棒、聚甲基丙烯酸甲酯薄膜和若丹明6G組成。本實用新型所述隨機激光增益介質是在鋅金屬薄片表面直接生長氧化鋅納米棒，獲得基于氧化鋅納米棒的隨機激光增益介質；用鋅金屬薄片表面均勻分散的納米級的氧化鋅納米棒提供散射和光反饋，從而隨機激光器獲得激光輸出；其輸出的激光光譜采用光纖光譜儀探頭進行探測。本實用新型其結構簡單，具有成本低廉及環境友好的特點。
四川大學
2017-12-28