太阳城集团亚洲娱乐城-澳门太阳城集团娱乐城最新地址_百家乐电影网_全讯网xb112 (中国)·官方网站

“一鍵式”錄制、實景摳像雙模式、一站式微課發(fā)布 輕松滿足： ·師范院校學生教學能力提升 ·微課資源建設(shè) 應用場景 微課錄制常態(tài)化 建設(shè)全自動微課制作系統(tǒng)，實現(xiàn)多學科錄制常態(tài)化、便捷化，快速建設(shè)微課視頻資源。 教學能力專業(yè)化 建設(shè)自主錄制微課室，師范院校學生可通過錄制視頻進行教學分析，改進教學方式。 優(yōu)勢特點 雙模式錄制 一機多用，實現(xiàn)微課制作與虛擬摳像一體化 開啟實景微課與虛擬微課雙模式拍攝與錄制 同步批注 虛擬藍幕信號輸出，裝修布置更簡單 同步課件批注疊加，教學講解更貼切 一線通暢 視頻傳輸“一線通”，簡配置、易部署 無需專門供電線路部署，減少安全隱患 優(yōu)質(zhì)體驗 統(tǒng)一管理入口，提供一站式微課發(fā)布體驗 形成“微課建設(shè)、管理和應用”系統(tǒng)服務

基于平面光波光路(PLC)技術(shù)的各類光功能器件，是實現(xiàn)現(xiàn)代高速光網(wǎng)絡(luò)、高速光信號處理、大容量光互連節(jié)點和終端設(shè)備中光信號處理模塊的基礎(chǔ)。/lineInP基多量子阱PLC器件基于成熟的半導體工藝，以脊波導為基礎(chǔ)，具有體積小、功耗/損耗低、可靠性高、性價比高等優(yōu)點，在國際上即將形成新的產(chǎn)業(yè)熱點。電子科學與工程學院光子學與光通信研究室順應這一趨勢，潛心攻關(guān)，埋頭研究，歷時四年完成了InP多量子阱PLC單元器件理論與實驗研究。在國內(nèi)首次建立了PLC光路設(shè)計和光學特性測試平臺，探索出國產(chǎn)化工藝加工途徑，取得多項自主知識產(chǎn)權(quán)，成功地研制出InP基多量子阱PLC無源光子器件。包括光調(diào)制器/開關(guān)、可調(diào)式多模干涉耦合器、諧振腔濾波器、2×4分路器等，于2007年2月通過了教育部組織并主持的科技成果鑒定，達到國際先進水平。

本研究提出一種基于連續(xù)梯度非均勻電場結(jié)合梯度凝膠孔徑分布的靶型多腔電泳裝置(Circular Multicavity Electrophoresis，CME)實現(xiàn)細胞外囊泡的分離制備。

本實用新型提供一種帶隱藏式電鉤的腔鏡用吸引器，由吸引器、電鉤、開關(guān)、電鉤槽構(gòu)成，電鉤槽內(nèi)置于吸引器管道中，電鉤套入電鉤槽內(nèi)，電鉤槽下面設(shè)有兩個呈弧形膨出的彈簧片，電鉤下面有兩個弧形凹陷，該弧形凹陷與彈簧片的弧形膨出相適，用于互相契合固定。本實用新型集電鉤及吸引器為一體的腔鏡用長柄手術(shù)器械，將電鉤隱藏于吸引器管道中，手術(shù)者通過單手操作電鉤開關(guān)來伸縮電鉤，也可單手調(diào)節(jié)吸引器開關(guān)來決定是否開啟吸引功能，利用此器械，無需通過反復進出切換電鉤與吸引器兩種不同的手術(shù)器械進行手術(shù)操作，即可進行切割止血與吸引。本實用新型設(shè)計合理，提高手術(shù)安全性，節(jié)省手術(shù)時間。且時刻保持手術(shù)視野干凈，無煙無血，利于手術(shù)操作。

本發(fā)明提出了一種基于細長反應腔的全基因組擴增方法，其特征在于將多重鏈置換擴增反應體系注入細長型的反應腔中，完成對目標基因組的全基因組擴增。細長形的反應腔體將多重鏈置換擴增反應體系相對分隔于一個細長的反應腔中，各微觀反應單元之間的物質(zhì)交換和相互影響大為減少，因此各微觀反應單元以一個相對獨立的狀態(tài)發(fā)生反應，目標核酸各個片段之間的擴增一致性得到很大提升。同時，基于細長反應腔的多重鏈置換擴增，不需要預先制備微液滴發(fā)生裝置或復雜反應微腔，并且在系統(tǒng)調(diào)試和擴增反應的過程中，不需要對微量液體進行精密和復雜的控制，

本發(fā)明公開了一種單腔多孔式節(jié)流結(jié)構(gòu)的氣體軸承，其特征在于：在氣體軸承上開有中心孔，該中心孔內(nèi)鑲嵌有圓柱體，該圓柱體的直徑為 5～10mm，長度為 0.1～2mm，該圓柱體上開有微型孔陣列，微型孔的孔徑為 1～100μm，微型孔陣列構(gòu)成節(jié)流器，中心孔的上端開有一個圓柱體腔作為進氣腔，中心孔的下端開有一個圓柱體腔作為壓力腔，壓力腔與進氣腔的直徑具有相同量級，為 1～10mm，壓力腔的深度為 0.01～0.5mm。這種單腔多孔式節(jié)流結(jié)構(gòu)的氣體軸承具有良好的穩(wěn)定性和力學性能，能應用于各種超精密運動平臺中，實

太赫茲（THz）科學技術(shù)既是重大的基礎(chǔ)科學問題，也是國家的重大需求。然而，作為一段全新的的電磁波譜，實現(xiàn)THz波傳輸與控制的相關(guān)器件極為匱乏，大大限制了THz科學技術(shù)的發(fā)展及應用。本項目提出了THz波物質(zhì)探測、低損傳輸、高速控制的新理論和新技術(shù)，研制出多種實用化THz功能器件。本項目的主要成果包括：(1) 提出了THz波吸收的理論模型，研制出吸收率達到85%以上的窄帶、多帶和寬帶太赫茲吸收材料，解決了傳統(tǒng)電磁波吸收材料無法有效工作于THz頻段的技術(shù)難題；(2)提出“人工電磁結(jié)構(gòu)”與“電子功能材料”相結(jié)合構(gòu)建可調(diào)諧太赫茲功能器件的思想，研制出開關(guān)速率達到0.1ms的太赫茲開關(guān)、調(diào)制速率達到10Mbps的太赫茲波調(diào)制器，帶內(nèi)透射達到80%的太赫茲帶通濾波器，以及高效太赫茲功率衰減器；（3）基于高阻Si的深能級摻雜技術(shù)和石墨烯二維晶體材料，研制出寬帶太赫茲波空間調(diào)制器，開關(guān)速率達到5MHz，空間調(diào)制面積達到3英寸，為提高太赫茲成像速率和分辨率奠定了基礎(chǔ)；(4)提出極化約束實現(xiàn)太赫茲波導低損耗傳輸?shù)男赂拍睢；凇熬酆衔锟招静▽А迸c“周期性金屬光柵結(jié)構(gòu)”的集成，研制出一種雙面光柵聚合物空芯波導實現(xiàn)了單模的傳輸,大幅度降低太赫茲傳輸損耗到0.68dB/m，達到了實用化的要求。 這一研究成果既加深了對THz波譜特性和基本物理現(xiàn)象的理解，也解決了THz傳輸、控制、波譜識別和應用成像的多個關(guān)鍵科學問題。本項目成果的實施，可望實現(xiàn)載波300GHz以上高速無線通信，為太赫茲波無線通信、雷達探測、醫(yī)療診斷以及以及波譜成像等應用系統(tǒng)提供了重要的技術(shù)支撐。在Appl. Phys. Lett., Sci. Rep., Opt. Lett., Optics Express, J. Opt. Soc. Am.等國際主流期刊上發(fā)表SCI 論文66 篇。申請國家發(fā)明專利22 項，已授權(quán)專利7 項，獲得教育部自然科學一等獎1項。跟國內(nèi)外綜合比較，本項目的研究成果總體上處于國際先進水平，對推動太赫茲科學快速進入實際應用領(lǐng)域具有重要的科學意義。

本項目提出了THz波物質(zhì)探測、低損傳輸、高速控制的新理論和新技術(shù)，研制出多種實用化THz功能器件。

隨著集成電路工藝的進步，MOS管的特征尺寸越來越小，電路的工作電壓也不斷下降，柵氧化層的厚度也越來越薄，在這種趨勢下，將可控硅ESD防護器件的觸發(fā)電壓降低到可觀的電壓值內(nèi)，使用高性能的ESD防護器件來泄放靜電電荷以保護柵極氧化層顯得十分重要。本發(fā)明涉及可用于65nm半導體工藝的靜電保護（ESD）器件，特別涉及低電壓觸發(fā)的SCR器件。    本發(fā)明提供一種采用新型技術(shù)減小器件的ESD觸發(fā)電壓的PMOS嵌入的低壓觸發(fā)用于ESD保護的SCR器件。本發(fā)明采用PMOS進行觸發(fā)NMOS導通，NMOS的導通電流觸發(fā)SCR晶閘管，從而減小SCR器件的ESD觸發(fā)電壓。ESD脈沖信號施加在Anode和Cathode之間，PMOS首先被觸發(fā)導通，PMOS開通之后，觸發(fā)NMOS導通，NMOS導通后，其導通電流觸發(fā)晶閘管SCR導通。晶閘管電流（SCR current）導通大部分ESD 電流，從而實驗了ESD保護。

本項目以制備超快高儲能柔性器件為導向，建立基于界面納米復合材料的新技術(shù)。通過水熱法和電化學方法在柔性導電基底上構(gòu)建納米陣列/金摻雜二氧化錳的三維納米復合電極，作為正極；通過水熱法和熱處理法在柔性導電基底上生長多孔氧化鐵納米復合材料，作為負極，組裝全固態(tài)薄膜器件。利用納米復合材料的多方面優(yōu)勢加速電子/離子在活性材料中的傳遞，進而達到超快高儲能的目的。基于納米復合材料的全固態(tài)薄膜器件可展現(xiàn)出超快充電能力（10 V/s），比常規(guī)電容器的充電時間快10-100倍。這是國際上基于金屬氧化物贗電容薄膜型超級電容器研究領(lǐng)域的一個重大突破。此外，本項目以開發(fā)超快超柔儲能器件為導向，開發(fā)了一種熱力學誘導自發(fā)組裝和原位摻雜結(jié)合碳熱還原的方法來實現(xiàn)石墨烯納米篩粉體和薄膜的宏觀可控制備，解決了傳統(tǒng)石墨烯材料縱向物質(zhì)傳輸差的局限。通過控制碳熱溫度，可以調(diào)節(jié)石墨烯納米篩表面的孔密度，即孔徑大小可控（10~100 nm）。與傳統(tǒng)石墨烯薄膜電極相比，石墨烯納米篩表面豐富的孔結(jié)構(gòu)使得其作為電極材料時擁有更大的比表面積，而且電解質(zhì)離子可以在垂直于平面的軸向上傳遞，縮短了離子傳輸路徑。