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DT640硅二極管溫度計(jì)溫度傳感器低溫測(cè)量?jī)x器
北京錦正茂科技有限公司
2022-03-21
DT640硅二極管溫度計(jì)溫度傳感器低溫測(cè)量?jī)x器
DT640系列硅二極管溫度傳感器選用了專門適用于低溫溫度測(cè)量的硅二極管。相比普通硅二極管，具有重復(fù)性好、離散性小、精度更高溫度范圍更寬、低溫下電壓相對(duì)高而易于測(cè)量等特點(diǎn)。所有此款溫度計(jì)都較好地遵循一個(gè)電壓-溫度（V-T）曲線，因而具有更好的可互換性。很多應(yīng)用中都不需要單獨(dú)的標(biāo)定。
DT640-BC型裸片溫度計(jì)，相比市場(chǎng)上的其它溫度計(jì)，具有尺寸更小、熱容更小、響應(yīng)時(shí)間更短的特點(diǎn)。在尺寸、熱容以及響應(yīng)時(shí)間有特殊要求的應(yīng)用中具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)。
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特點(diǎn)：
※ 激勵(lì)電流小，因而具有很小的自熱效應(yīng)；
※ 符合標(biāo)準(zhǔn)曲線，具有良好的互換性；
※ 多種封裝，不易損壞、耐溫度沖擊、易于安裝；
※ 在寬溫度范圍1.4K-500K內(nèi)，可提供較好的測(cè)量精度；
※ 遵循DT-640標(biāo)準(zhǔn)溫度響應(yīng)曲線；
※ 多種可選封裝方式。
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參數(shù)：
※ 溫度范圍：3K~500K；
※ 標(biāo)準(zhǔn)曲線：DT640
※ 推薦激勵(lì)電流：10µA±0.1%；
※ 可重復(fù)性：10mK@4.2K，16mK@77K，75mK@273K。
※ 反向電壓高達(dá)：75V；
※ 損壞前電流高達(dá)：長(zhǎng)時(shí)間200mA 或瞬間1A；
※ 推薦激勵(lì)下的功率耗散：20µW@4.2K; 10µW@77K; 6µW@300K；
※ BC封裝響應(yīng)時(shí)間：10ms@4.2K, 100ms@77K, 200ms@305K；
※ 輻射影響：只推薦在低輻射場(chǎng)合下使用；
※ 磁場(chǎng)影響：不推薦在磁場(chǎng)環(huán)境下使用。
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北京錦正茂科技有限公司
2022-04-11
【北京青年報(bào)社】高博會(huì)服務(wù)高校設(shè)備更新改造及數(shù)字化建設(shè)專項(xiàng)工作新聞發(fā)布會(huì)在京召開
中國(guó)高等教育學(xué)會(huì)把服務(wù)高校設(shè)備更新改造及數(shù)字化建設(shè)列為重點(diǎn)工作，并納入高博會(huì)重要項(xiàng)目。
云上高博會(huì)
2023-01-12
工業(yè)和信息化部等八部門關(guān)于推進(jìn)IPv6技術(shù)演進(jìn)和應(yīng)用創(chuàng)新發(fā)展的實(shí)施意見(jiàn)
到2025年底，IPv6技術(shù)演進(jìn)和應(yīng)用創(chuàng)新取得顯著成效，網(wǎng)絡(luò)技術(shù)創(chuàng)新能力明顯增強(qiáng)，“IPv6+”等創(chuàng)新技術(shù)應(yīng)用范圍進(jìn)一步擴(kuò)大，重點(diǎn)行業(yè)“IPv6+”融合應(yīng)用水平大幅提升。
工業(yè)和信息化部
2023-04-23
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中藥飲片質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)生產(chǎn)執(zhí)行系統(tǒng)及智能化中藥炮制設(shè)備-一種高溫溫控中藥?kù)阉帬t專利證書
南京中醫(yī)藥大學(xué)
2021-04-13
關(guān)于組織開展2023年山西省省級(jí)科技企業(yè)孵化器申報(bào)和績(jī)效評(píng)價(jià)工作的通知
為貫徹落實(shí)黨的二十大精神，加快實(shí)施創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)發(fā)展戰(zhàn)略，加快實(shí)現(xiàn)高水平科技自立自強(qiáng)，促進(jìn)創(chuàng)業(yè)孵化機(jī)構(gòu)體系化、專業(yè)化建設(shè)，推動(dòng)科技創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展，形成示范帶動(dòng)效應(yīng)，現(xiàn)開展2023年山西省省級(jí)科技企業(yè)孵化器認(rèn)定工作，有關(guān)事項(xiàng)通知如下
山西省科技廳國(guó)際與區(qū)域科技合作處
2023-07-20
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用于同時(shí)檢測(cè)CU2+ Ｐb2+ Cd2+的陣列式薄膜傳感器及其制備方法
本發(fā)明涉及用于同時(shí)檢測(cè)Cu2+,Pb2+,Cd2+的陣列式薄膜傳感器及基制備方法,以p型或n型Si片作基底,在基底上依次為SiO2層,對(duì)Cu2+,Pb2+,Cd2+敏感的三種薄膜;該薄膜傳感器是通過(guò)激光脈沖沉積技術(shù)在SiO2表面上制備三種敏感薄膜,采用激光沉積技術(shù)把三個(gè)敏感材料分別制備在SiO2表面上,最后形成三種陣列式薄膜傳感器.它對(duì)溶液中的Cu2+,Pb2+,Cd2+具有選擇性,能檢測(cè)出Cu2+,Pb2+,Cd2+的含量.本發(fā)明可在江河湖泊,生物醫(yī)學(xué)領(lǐng)域(如血液,體液),工業(yè)廢水,中藥,蔬菜,水果,茶葉等領(lǐng)域中對(duì)Cu2+,Pb2+,Cd2+同時(shí)進(jìn)行定性和定量檢測(cè).
東北電力大學(xué)
2021-04-30
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一種用于薄膜太陽(yáng)能電池的碳基光子晶體背反射器及其制備方法
本發(fā)明公開了一種用于薄膜太陽(yáng)能電池的碳基光子晶體背反射器，由兩種結(jié)構(gòu)不同的光子晶體疊加構(gòu)成，其結(jié)構(gòu)為[A/B]mAE[C/D]nC，其中A；B；C；D；E的厚度分別為d1=50nm，d2=100nm，d3=70nm，d4=140nm，d5=120nm，m；n為兩種光子晶體的周期數(shù)，m取3，n取4。其制備方法是：RF-PECVD法在普通載玻片上交替沉積a-Si:H和a-C薄膜。本發(fā)明的碳基光子晶體背反射器，具有一維光子晶體全角反射，可實(shí)現(xiàn)600—1300nm光波段平均75%的反射率，增加光波在太陽(yáng)能電池吸收層中的傳播光程，提高光子利用效率，增加光電流密度和光電轉(zhuǎn)換效率。制備工藝簡(jiǎn)單。
河北師范大學(xué)
2021-05-03
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一種寬量程高精度集成雙膜電容式壓力傳感器及制作方法
本發(fā)明涉及壓力傳感器技術(shù)領(lǐng)域，特指一種寬量程高精度集成雙膜電容式壓力傳感器及制作方法，包括玻璃襯底，玻璃襯底上設(shè)有淺槽一與淺槽二，淺槽一與淺槽二通過(guò)細(xì)槽連通，淺槽二中心位置設(shè)有淺槽通孔，淺槽通孔從淺槽二底面延至玻璃襯底底面，淺槽一上設(shè)有可測(cè)量低壓差的電容Ｃ１，淺槽二上設(shè)有可測(cè)量高壓差的電容Ｃ２，可測(cè)量低壓差的電容Ｃ１包括底電極板與薄壓力敏感膜，可測(cè)量高壓差的電容Ｃ２包括厚壓力敏感膜與頂電極板，淺槽通孔通過(guò)細(xì)槽與可測(cè)量低壓差的電容Ｃ１對(duì)應(yīng)設(shè)置，淺槽通孔通過(guò)淺槽二與可測(cè)量高壓差的電容Ｃ２對(duì)應(yīng)設(shè)置。本發(fā)明通過(guò)可測(cè)量低壓差的電容Ｃ１與可測(cè)量高壓差的電容Ｃ２分別實(shí)現(xiàn)了壓力在低壓段與高壓段的高精度測(cè)量。
東南大學(xué)
2021-04-11
一種基于開槽結(jié)構(gòu)的四分之一模基片集成波導(dǎo)濾波器
本發(fā)明公開了一種基于開槽結(jié)構(gòu)的四分之一模基片集成波導(dǎo)濾波器，包括四分之一模基片集成波導(dǎo)弧形腔，四分之一模基片集成波導(dǎo)弧形腔通過(guò)基片集成波導(dǎo)圓形腔沿任意兩條相互垂直的磁壁分割得到，四分之一模基片集成波導(dǎo)弧形腔包括介質(zhì)基片，介質(zhì)基片的上表面設(shè)有上金屬層，介質(zhì)基片的下表面設(shè)有下金屬層，介質(zhì)基片中沿四分之一模基片集成波導(dǎo)弧形腔的周向均勻分布有貫穿上金屬層和下金屬層的金屬通孔。本發(fā)明相對(duì)于傳統(tǒng)的基片集成波導(dǎo)圓形腔有效實(shí)現(xiàn)了小型化。并且，相對(duì)于傳統(tǒng)的多層結(jié)構(gòu)，本發(fā)明結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，加工方便。此外，相對(duì)于傳統(tǒng)的微帶結(jié)構(gòu)，本發(fā)明的濾波器品質(zhì)因數(shù)高，損耗小。
東南大學(xué)
2021-04-11