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一種輕量鋁鎂澆注料及其制備方法
本發明涉及一種輕量鋁鎂澆注料及其制備方法。其具體方案是：以60~75wt%的微孔剛玉-尖晶石顆粒為骨料，以10~30wt%的剛玉細粉、2~6wt%的氧化鎂微粉、3~8wt%的α-Al2O3微粉和3~8wt%的鋁硅凝膠粉為基質料；按所述骨料和所述基質料的質量百分含量，先將所述基質料混勻，再將混勻后的基質料加入所述骨料中，混合均勻，然后外加占所述骨料與所述基質料之和3~10wt%的水，攪拌均勻，振動成型，室溫條件下養護12~24小時，最后在110~200℃條件下保溫12~36小時，制得輕量鋁鎂澆注料。本發明制備的輕量鋁鎂澆注料具有優異的高溫體積穩定性、抗剝落性能、隔熱性能和抗渣性能，能有效提高鋁鎂澆注料的使用壽命。
武漢科技大學
2021-01-12
[DSC差示掃描量熱儀]藥物結晶熱分析儀
產品詳細介紹品牌：久濱型號：JB-DSC-500B名稱：差示掃描量熱儀一、產品概述： DSC測量的是與材料內部熱轉變相關的溫度、熱流的關系，應用范圍非常廣，特別是材料的研發、性能檢測與質量控制。材料的特性：如玻璃化轉變溫度。冷結晶、相轉變、熔融、結晶、熱穩定性、固化/交聯、氧化誘導期等，都是DSC的研發領域。二、儀器符合國家標準：GB/T 19466.2 – 2004 / ISO 11357-2: 1999第2部分：玻璃化轉變溫度的測定；GB/T 19466.3 – 2004 / ISO 11357-3: 1999第3部分：熔融和結晶溫度及熱焓的測定；GB /T 19466.6- 2009/ISO 11357-3 :1999 第6部分氧化誘導期 氧化誘導時間（等溫OIT)和氧化誘導溫度（動要態OIT）的測定。三、技術參數：1、DSC量程：0～±500mW2、溫度范圍：室溫～500℃ 3、升溫速率：0.1～80℃/min4、溫度分辨率：0.01℃5、溫度精度：±0.1℃6、溫度重復性：±0.1℃7、DSC精度：±2%8、DSC分辨率：0.001mW9、DSC解析度：0.001mW10、控溫方式：升溫、恒溫、降溫、循環控溫（全程序自動控制）11、曲線掃描：升溫掃描12、氣氛控制：氣體質量流量計自動切換兩路氣體13、顯示方式：24bit色，7寸LED觸摸屏顯示14、數據接口：USB標準接口，配套相應操作軟件15、參數標準：配有標準校準物，帶一鍵校準功能，用戶可自行對溫度進行校準16、工作電源：AC220V 50Hz/60Hz17、全封閉支架結構設計，防止物品掉入到爐體中、污染爐體，減少維修率
上海久濱儀器有限公司
2021-08-23
鐵電量子隧道結亞納秒超快憶阻器的研究
中國科學技術大學李曉光團隊在前期研究基礎上，基于鐵電隧道結量子隧穿效應，實現了具有亞納秒信息寫入速度的超快原型存儲器，并可用于構建存算一體人工神經網絡，該成果在線發表《自然通訊》雜志上。研究人員制備了高質量Ag/BaTiO3/Nb:SrTiO3鐵電隧道結，其中鐵電勢壘層厚為6個單胞（約2.4nm）?；谒淼澜Y能帶的設計，以及其對阻變速度、開關比、操作電壓的調控，該原型存儲器信息寫入速度快至600ps（注：機械硬盤的速度約為1ms, 固態硬盤的約為1-10ms）、開關比達2個數量級，且其600ps的阻變速度在85℃時依然穩定（工業測試標準）；寫入電流密度4×103A/cm2，比目前其他新型存儲器低約3個量級；一個存儲單元具有32個非易失阻態；寫入的信息預計可在室溫穩定保持約100年；可重復擦寫次數達108-109次，遠超商用閃存壽命（約105次）。即使在極端高溫（225℃）環境下仍能進行信息的寫入，可實現高溫緊急情況備用。
中國科學技術大學
2021-04-10
一種基于憶阻器的超寬帶脈沖信號產生裝置
本發明公開了一種基于憶阻器的超寬帶脈沖信號產生裝置，包 括憶阻器控制電路、方波振蕩電路、超寬帶脈沖產生電路和倍壓電路； 方波振蕩電路的輸入端連接憶阻器控制電路，倍壓電路的輸入端連接 至方波振蕩電路的第一輸出端，脈沖產生電路的第一輸入端連接至倍 壓電路的輸出端，第二輸入端連接至方波振蕩電路的第二輸出端。憶 阻器控制電路包括三極管，方波振蕩電路包括 TTL 門電路、憶阻器、 射極放大電路，超寬帶脈沖產生電路包括反相器、R
華中科技大學
2021-04-14
基于憶阻器的多值存儲單元、讀寫電路及其操作方法
本發明公開了一種基于憶阻器的多值存儲單元、讀寫電路及其·717·操作方法；所述基于憶阻的多值存儲單元是利用憶阻器的阻變特性，由多個憶阻器以特殊的連接方式構成。這種連接方式組成的多值存儲單元繼承了憶阻器，體積小，功耗低，可拓展性強的優點。相較于傳統憶阻器存儲結構，所述多值存儲結構提供了更大的存儲空間，為存儲器設計提供了一種新的思路。所述多值存儲單元的讀寫電路包括存儲單元、控制開關以及電壓比較電路。所述讀寫
華中科技大學
2021-04-14
一種基于憶阻器的圖像識別系統及方法
本發明公開了一種基于憶阻器的圖像識別系統及方法。所述系 統包括圖像信號提取模塊、多個基于憶阻器的神經網絡模塊和識別模 塊；所述識別模塊其輸入端與多個神經網絡模塊的輸出端相連；每個 神經網絡模塊的輸出端與識別模塊的輸入端相連，其輸入端與信號提 取模塊的輸出端相連。所述方法包括以下步驟：（1）獲取待識別灰度 圖像的特征向量并輸入各神經網絡模型；（2）各神經網絡模型根據其 圖像模型對所述特征向量分別進行打分并進行識別；（3
華中科技大學
2021-04-14
一種基于憶阻器實現多層識別的電路及其控制方法
本發明公開了一種基于憶阻器實現多層識別的電路及其控制方 法，來模擬生物大腦的多狀態(認知、熟悉、陌生)認知能力。通過分別 調節第二輸入端與第一輸入端信號脈沖的匹配數目和第二輸入端信號 脈沖幅值來實現多層次脈沖識別。第一輸入端輸入信號代表已存儲在 生物大腦中的樣本信號，第二輸入端輸入信號代表生物大腦接收到外 界環境的刺激信號，這種識別方法的原理是通過控制大腦存儲的樣本 信號和外界環境的刺激信號相互匹配，來調控大腦對于外
華中科技大學
2021-04-14
一種基于憶阻器的通用編程模塊及其操作方法
本發明公開了一種基于憶阻器的通用編程模塊及其操作方法， 可編程模塊包括阻變元件、電阻 R1、第一 N 型 MOS 管、第一 P 型 MOS 管、第二 N 型 MOS 管和第二 P 型 MOS 管；第一 N 型 MOS 管 的漏極和第一 P 型 MOS 管的漏極均連接至阻變元件的一端，第一 N 型 MOS 管的源極和第一 P 型 MOS 管的源極連接后與電阻 R1 的一端 連接，第一 N 型 MOS 管的柵極與第一 P 型 MOS
華中科技大學
2021-04-14
基于雙反饋法的阻性傳感陣列線性讀出電路及其讀出方法
本發明公開了一種基于雙反饋法的阻性傳感陣列線性讀出電路。所述讀出電路包括：行多路選擇器、列多路選擇器、掃描控制器、負恒流源、電壓采樣裝置以及第一運算放大器、第二運算放大器、第三運算放大器；所述負恒流源的輸出端連接第一運算放大器的反相輸入端，第一運算放大器的同相輸入端與第二運算放大器的同相輸入端連接后接地，第二運算放大器的反相輸入端與第二運算放大器的輸出端連接，第三運算放大器的反相輸入端與第三運算放大器的輸出端連接；電壓采樣裝置用于對第三運算放大器的輸出端電壓、第一運算放大器的輸出端電壓進行檢測。本發
東南大學
2021-04-14
去阻啟動噴動床秸稈與煤共催化氣化制燃氣技術
項目簡介 本成果利用去阻啟動噴動床為反應器，將生物質秸稈和煤共催化氣化，產生燃氣， 形成了生物質稻草催化水煤氣反應低焦油中熱值燃氣制備工藝，可用于農村地區以村鎮 為單位的小型氣化站的建設。成果已取得發明專利授權，ZL 2009 1 0264047.8。 性能指標 120kg/h 的生物質稻草等與煤、碳酸鈣和水蒸汽共氣化，生成焦油含量低于 10mg/m3 、 熱值 10-15MJ/m3 的農村用燃氣。 適用范圍、市場前景
江蘇大學
2021-04-14