|
搜索
搜 索
高等教育領域數字化綜合服務平臺
一種多軸加工系統的刀具偏離量的建模方法
本發明公開了一種多軸加工系統的刀具偏離量的建模方法，包 括：建立一種新的未變形切屑厚度模型，采用向量法建立圓弧刀變姿 態銑削加工切削力預測模型；運用等效圓柱法建立機床傳動軸的柔度 模型，并應用力橢球方法和坐標系變換建立了加工系統的綜合柔度度 模型；最后通過變姿態加工過程的切削力模型和多軸加工系統末端柔 度模型，得到刀具偏離量模型。本發明公開的刀具偏離量的建模方法， 通過建立新的刀具切削刃的未變形切削厚度模型和多軸加工系統的綜 合柔度模型，得到更準確的加工過程中的刀具偏離量變化規律，從而 在多軸加工中
華中科技大學
2021-04-14
大摻量粉煤灰水泥研究及其在工程中的應用
工藝流程 ：將 50%以上的粉煤灰與硅酸鹽水泥熟料或硅酸鹽水泥、 少 量的化學外加劑和礦物混合材料共同磨細并混合均勻，即可制成滿足 GB1344-1999 水泥標準中強度等級為 32.5 或 32.5R 要求的大摻量粉煤灰水 泥。 技術特點 ：該水泥具有熱量低、耐腐蝕性好的特點。它可以廣泛用于 工業與民用建筑中的地基、地下室、梁、板、柱等的混凝土工程，特別適 用于大壩、地基基礎、隧道、地下
南昌大學
2021-04-14
一種微閉孔輕量剛玉耐火骨料及其制備方法
小試階段/n重質耐火材料輕量化是耐火材料重要的發展方向之一，開發能夠直接在工作層使用的輕量耐火材料對整個高溫工業節能減排具有舉足輕重的意義。然而，現有的制備方法所制備的多孔耐火骨料盡管熱導率低，但由于顯氣孔率高或孔徑大無法滿足工作層耐火材料抗渣性能的要求，因此，實現工作層耐火材料輕量化的關鍵在于制備顯氣孔率低、閉口氣孔率高、孔徑小的輕量耐火骨料。。本項目旨在克服現有技術缺陷，任務是提供一種顯氣孔率低、閉口氣孔率高、體積密度較小、平均孔徑小、熱導率較低和抗熔渣侵蝕能力強的微閉孔輕量剛玉耐火骨料及其制備
武漢科技大學
2021-01-12
利用激光點云輔助的可量測全景影像生成方法
本發明公開了一種利用激光點云輔助的可量測全景影像生成方法，包括：步驟 1，將全景影像進行 虛擬成像獲得多幅框幅式影像；步驟 2，選取初始點對，并初始化各框幅式影像的外方位元素；步驟 3， 以初始點對中所有激光點到對應框幅式影像上的投影誤差的和最小為條件方程，調整外方位元素初始值， 獲得精確的外方位元素值；步驟 4，構建激光點云的空間索引，在空間索引中選取以曝光中心為球心的 球形鄰域，球形鄰域內激光點云即全景影像的鄰域點云；步驟 5，計算鄰域點云中各激光點的法向量， 獲得鄰域點云的特征；步驟 6，將鄰域點云的深度和特征投影到全景影像。采用本發明生產的可量測全 景影像具有較高精度，可廣泛運用于測量領域及資產調查。
武漢大學
2021-04-13
鐵電量子隧道結亞納秒超快憶阻器的研究
中國科學技術大學李曉光團隊在前期研究基礎上，基于鐵電隧道結量子隧穿效應，實現了具有亞納秒信息寫入速度的超快原型存儲器，并可用于構建存算一體人工神經網絡，該成果在線發表《自然通訊》雜志上。研究人員制備了高質量Ag/BaTiO3/Nb:SrTiO3鐵電隧道結，其中鐵電勢壘層厚為6個單胞（約2.4nm）。基于隧道結能帶的設計，以及其對阻變速度、開關比、操作電壓的調控，該原型存儲器信息寫入速度快至600ps（注：機械硬盤的速度約為1ms, 固態硬盤的約為1-10ms）、開關比達2個數量級，且其600ps的阻變速度在85℃時依然穩定（工業測試標準）；寫入電流密度4×103A/cm2，比目前其他新型存儲器低約3個量級；一個存儲單元具有32個非易失阻態；寫入的信息預計可在室溫穩定保持約100年；可重復擦寫次數達108-109次，遠超商用閃存壽命（約105次）。即使在極端高溫（225℃）環境下仍能進行信息的寫入，可實現高溫緊急情況備用。
中國科學技術大學
2021-04-10
一種基于憶阻器的超寬帶脈沖信號產生裝置
本發明公開了一種基于憶阻器的超寬帶脈沖信號產生裝置，包 括憶阻器控制電路、方波振蕩電路、超寬帶脈沖產生電路和倍壓電路； 方波振蕩電路的輸入端連接憶阻器控制電路，倍壓電路的輸入端連接 至方波振蕩電路的第一輸出端，脈沖產生電路的第一輸入端連接至倍 壓電路的輸出端，第二輸入端連接至方波振蕩電路的第二輸出端。憶 阻器控制電路包括三極管，方波振蕩電路包括 TTL 門電路、憶阻器、 射極放大電路，超寬帶脈沖產生電路包括反相器、R
華中科技大學
2021-04-14
基于憶阻器的多值存儲單元、讀寫電路及其操作方法
本發明公開了一種基于憶阻器的多值存儲單元、讀寫電路及其·717·操作方法；所述基于憶阻的多值存儲單元是利用憶阻器的阻變特性，由多個憶阻器以特殊的連接方式構成。這種連接方式組成的多值存儲單元繼承了憶阻器，體積小，功耗低，可拓展性強的優點。相較于傳統憶阻器存儲結構，所述多值存儲結構提供了更大的存儲空間，為存儲器設計提供了一種新的思路。所述多值存儲單元的讀寫電路包括存儲單元、控制開關以及電壓比較電路。所述讀寫
華中科技大學
2021-04-14
一種基于憶阻器的圖像識別系統及方法
本發明公開了一種基于憶阻器的圖像識別系統及方法。所述系 統包括圖像信號提取模塊、多個基于憶阻器的神經網絡模塊和識別模 塊；所述識別模塊其輸入端與多個神經網絡模塊的輸出端相連；每個 神經網絡模塊的輸出端與識別模塊的輸入端相連，其輸入端與信號提 取模塊的輸出端相連。所述方法包括以下步驟：（1）獲取待識別灰度 圖像的特征向量并輸入各神經網絡模型；（2）各神經網絡模型根據其 圖像模型對所述特征向量分別進行打分并進行識別；（3
華中科技大學
2021-04-14
一種基于憶阻器實現多層識別的電路及其控制方法
本發明公開了一種基于憶阻器實現多層識別的電路及其控制方 法，來模擬生物大腦的多狀態(認知、熟悉、陌生)認知能力。通過分別 調節第二輸入端與第一輸入端信號脈沖的匹配數目和第二輸入端信號 脈沖幅值來實現多層次脈沖識別。第一輸入端輸入信號代表已存儲在 生物大腦中的樣本信號，第二輸入端輸入信號代表生物大腦接收到外 界環境的刺激信號，這種識別方法的原理是通過控制大腦存儲的樣本 信號和外界環境的刺激信號相互匹配，來調控大腦對于外
華中科技大學
2021-04-14
一種基于憶阻器的通用編程模塊及其操作方法
本發明公開了一種基于憶阻器的通用編程模塊及其操作方法， 可編程模塊包括阻變元件、電阻 R1、第一 N 型 MOS 管、第一 P 型 MOS 管、第二 N 型 MOS 管和第二 P 型 MOS 管；第一 N 型 MOS 管 的漏極和第一 P 型 MOS 管的漏極均連接至阻變元件的一端，第一 N 型 MOS 管的源極和第一 P 型 MOS 管的源極連接后與電阻 R1 的一端 連接，第一 N 型 MOS 管的柵極與第一 P 型 MOS
華中科技大學
2021-04-14